
- •В.Ф. Сухова, д.А. Борисов физика полупроводников
- •Основы физики полупроводников Структура полупроводников. Зонная модель и модель ковалентной связи
- •Образование носителей заряда в собственных полупроводниках
- •Примесная электропроводность полупроводников
- •Закон действующих масс и принцип нейтральности полупроводника
- •Процессы электропроводности в полупроводниках
- •Дрейф носителей заряда
- •Диффузия носителей заряда
- •Оптические свойства полупроводников
- •Собственное поглощение
- •Примесное поглощение
- •Фоторезистивный эффект
- •Контакт полупроводников p- и n-типа
- •Образование электронно-дырочного перехода
- •Электронно-дырочный переход под прямым напряжением
- •Электронно-дырочный переход под обратным напряжением
- •Вольтамперная характеристика реального p-n перехода
- •Пробой электронно-дырочного перехода
- •Влияние температуры на ход вольтамперной характеристики p-n перехода
- •Лабораторные работы Лабораторная работа №1 Исследование вольтамперных характеристик p-n переходов с различной площадью переходов и шириной запрещенной зоны полупроводника
- •Описание лабораторной установки
- •Задания на лабораторную работу
- •Вопросы для допуска к работе
- •Контрольные вопросы и задания
- •Лабораторная работа №2 Исследование влияния температуры на вольтамперную характеристику p-n перехода
- •Описание лабораторной установки
- •Задания на лабораторную работу
- •Вопросы для допуска к работе
- •Контрольные вопросы и задания
- •Лабораторная работа №3 Исследование электрических режимов пробоя p-n перехода
- •Описание лабораторной установки
- •Задания к лабораторной работе
- •Вопросы для допуска к работе
- •Контрольные вопросы и задания
- •Лабораторная работа №4 Исследование оптических свойств полупроводника
- •Описание лабораторной установки
- •Задания на лабораторную работу
- •Вопросы для допуска к работе
- •Контрольные вопросы и задания
- •Библиографический список
- •Оглавление
Задания на лабораторную работу
Задание 1. Снять семейство вольтамперных характеристик фоторезистора для нескольких, например, пяти, постоянных значений освещенности в виде I = f(U) при N = сonst (исключение составляет первая из характеристик при Е = 0). Значения N1, N2…N5 устанавливать ручками регулировки «VOLTAGЕ» на правом индикаторе источника GVA2, соблюдая условие 27>N5>N4>…>N1>3,4. Шаг измерений устанавливать постоянный, если это возможно. Результаты измерений занести в таблицу 6.
Таблица 6
E = 0 |
N1 |
N2 |
N3 |
N4 |
N5 |
||||||
U, В |
I, мкА |
U, В |
I, мкА |
U, В |
I, мкА |
U, В |
I, мкА |
U, В |
I, мкА |
U, В |
I, мкА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Задание 2. По данным таблицы 6 построить графики вольтамперных характеристик фоторезистора, предварительно пересчитав по формуле значения N в освещенность Е, в люксах. На первом графике построить семейство ВАХ при Е ≠ 0, на втором – ВАХ при Е = 0 в подходящем масштабе оси тока.
Задание 3. Снять зависимость тока от величины освещенности при постоянном напряжении на фоторезисторе. Для этого изменять значения N от 3,4 до 27 ручками регулировок «VOLTAGЕ» на источнике GVA2 и фиксировать значения тока по прибору РА1. Пересчитать значения N в значения освещенности в люксах и результаты измерений занести в таблицу 7.
Таблица 7
U = const |
|||||||||||
E, лк |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I, мкА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Задание 4. По данным таблицы 7 построить график зависимости тока от величины освещенности фоторезистора при постоянном значении напряжения на фоторезисторе. Объяснить поведение характеристики с точки зрения процессов, происходящих в полупроводнике.