Методика выполнения работы

Для каждой из схем:

1. получите графики входных и выходных сигналов

2. измерьте параметры t_PHL и t_PLH (т.е. задержку прохождения сигнала) и их среднее значение.

3. измерьте параметры t_THL и t_TLH (т.е. времена фронтов) и их среднее значение

4. измерьте среднее значение тока i_avg и значение динамической мощности P_avg

5. измерьте среднее значение тока утечки i_leak и значение статической мощности P_leak

6. постройте графики зависимости t_P , t_T , i_avg , i_leakmax , P_dyn и P_leak для различных входных векторов.

Для всех схем:

Сравните зависимости t_P , t_T , i_avg , i_leakmax для различных входных векторов для двух типов схем. Объясните причину возросшего тока утечки в модифицированной схеме с транзисторами включёнными в стек при входной комбинации 11. Исходя из полученных данных назовите входную комбинацию, при которой уменьшение тока утечки является максимальным, объясните почему. Сделайте выводы относительно входных комбинаций, при которых стек эффект проявляет себя лучше всего.

Содержание отчета

1. Исследованные схемы и их описания

2. Тексты входных файлов

3. Полученные путем моделирования электрические характеристики и функциональные диаграммы: средняя потребляемая мощность, задержки.

4. Анализ результатов моделирования.

5. Ответы на контрольные вопросы

6. Краткое заключение