
- •Электроника и микроэлектроника
- •1 Выпрямительный диод
- •1.1 Теоретические сведения
- •4 Гост 25529-82. Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.
- •2 Варикап
- •2.1 Теоретические сведения
- •4 Гост 25529-82. Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.
- •3 Стабилитрон
- •3.1 Теоретические сведения
- •4 Гост 25529-82. Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.
- •4 Биполярный транзистор
- •4.1.1 Устройство и принцип действия
- •5 Полевой транзистор
- •5.1 Теоретические сведения
- •5.1.1 Типы полевых транзисторов, принцип действия, область применения
- •5.1.2 Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
- •5.1.2.1 Устройство и принцип действия
- •5.1.2.2 Статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
- •5.1.3.1 Устройство и принцип действия
- •5.1.3.2 Статические характеристики моп-транзисторов с индуцированным каналом
- •5.1.4.1 Устройство и принцип действия
- •Пример оформления отчета по лабораторной работе
5.1.2.2 Статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
Статические выходные (стоковые) характеристики. Семейство стоковых характеристик полевого транзистора, выражающих зависимость IС = f (UСИ) при UЗИ = const, изображено на рисунке 5.3. Рассмотрим стоковую характеристику, снятую при UЗИ = 0.
Если бы сопротивление канала не зависело от проходящего через него тока стока IС, ток IС был бы связан с напряжением UСИ линейной зависимостью. Но ток IС создает на сопротивлении канала падение напряжения U(x), увеличивающее области объемного заряда переходов. Вследствие этого увеличение напряжения UСИ сопровождается уменьшением площади сечения канала и увеличением его сопротивления, что приводит к замедлению роста тока IС. При некотором напряжении на стоке, обозначаемом UСИ нас и называемом напряжением насыщения канал в области стока перекрывается. это происходит при |UСИ нас| = |UЗИ отс|. Ток стока, при котором перекрывается канал, называют начальным и обозначают IС нач. Если к затвору полевого транзистора приложить напряжение UЗИ, смещающее p-n-переход в обратном направлении, то перекрытие канала наступит при меньшем значении напряжения UСИ. Это объясняется тем, что к p-n переходу между затвором и стоком прикладывается обратное напряжение, равное |UЗИ| + |UСИ|. Смыкание переходов произойдет при условии равенства этого суммарного напряжения напряжению отсечки:
|U'СИ нас| + |U'ЗИ| = |UЗИ отс| = |UСИ нас|. (1)
Учитывая, что в полевых транзисторах с каналом n-типа UСИ > 0, а UЗИ < 0 и UЗИ отс < 0, из уравнения (1) получаем
|U'СИ нас| = |UСИ нас| – |U'ЗИ|. (2)
ICнач - - - - - - - -
Рисунок 5.3 – Семейство выходных (стоковых) характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
Область стоковых характеристик, соответствующая напряжениям 0 < UСИ < UСИ нас, называется крутой или омической. Последнее название связано с тем, что дифференциальное сопротивление канала полевого транзистора в данной области определяется напряжением на затворе. Вследствие этого полевые транзисторы широко используются в качестве переменных резисторов, управляемых электрическим способом.
Участки стоковых характеристик, снятые при UСИ > UСИ нас, соответствуют перекрытию канала (или насыщению). При напряжении UСИ, большем напряжения перекрытия, увеличиваются длина перекрытой части канала и его сопротивление. Если бы длина перекрытой части канала линейно зависела от напряжения UСИ, то с его ростом пропорционально увеличивалось бы сопротивление канала, а проходящий через него ток стока оставался постоянным. На самом деле длина перекрытой части канала зависит от напряжения UСИ так же, как глубина проникновения области объемного заряда δ в канал, определяемая формулой
.
(3)
Согласно уравнению
(3), длина перекрытой части канала и его
сопротивление пропорциональны
и увеличиваются с ростом напряжения
UСИ
более медленно. Поэтому в области
перекрытия канала увеличение напряжения
UСИ
сопровождается небольшим возрастанием
тока стока.
Стоковые характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом могут быть достаточно точно представлены аналитической зависимостью тока IС от напряжений UЗИ, UСИ и UЗИ отс:
для крутой области
;
(4)
для пологой области
.
(5)
Начальный ток стока IС нач и напряжение отсечки UЗИ отс определяются размерами канала (L и b) и физическими параметрами полупроводникового кристалла (подвижностью основных носителей, диэлектрической проницаемостью), а также законом распределения примесей в канале.
Статические характеристики передачи. Статическая вольт-амперная характеристика передачи, называемая также стокозатворной, проходной или характеристикой управления полевого транзистора, отображает зависимость IС = f (UЗИ) при UСИ = const в режиме перекрытия канала. Следовательно, эта характеристика описывается уравнением (5). Семейство характеристик передачи изображено на рисунке 5.4. Вид характеристики показывает, что при увеличении напряжения UЗИ, смещающего p-n-переход в обратном направлении, ток стока уменьшается, а при UЗИ = UЗИ отс ток стока становится равным нулю. Таким образом характеристика передачи полевого транзистора может быть использована для определения напряжения отсечки.
UЗИотс
Рисунок 5.4 – семейство передаточных (стокозатворных) характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
5.1.3 МОП-транзисторы с индуцированным каналом