
- •Электроника и микроэлектроника
- •1 Выпрямительный диод
- •1.1 Теоретические сведения
- •4 Гост 25529-82. Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.
- •2 Варикап
- •2.1 Теоретические сведения
- •4 Гост 25529-82. Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.
- •3 Стабилитрон
- •3.1 Теоретические сведения
- •4 Гост 25529-82. Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров.
- •4 Биполярный транзистор
- •4.1.1 Устройство и принцип действия
- •5 Полевой транзистор
- •5.1 Теоретические сведения
- •5.1.1 Типы полевых транзисторов, принцип действия, область применения
- •5.1.2 Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом
- •5.1.2.1 Устройство и принцип действия
- •5.1.2.2 Статические характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом
- •5.1.3.1 Устройство и принцип действия
- •5.1.3.2 Статические характеристики моп-транзисторов с индуцированным каналом
- •5.1.4.1 Устройство и принцип действия
- •Пример оформления отчета по лабораторной работе
Пример оформления отчета по лабораторной работе
Титульный лист отчета
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования
«Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого»
Институт электронных и информационных систем
_______________________________________________________________
Кафедра физики твердого тела и микроэлектроники
Термистор
Лабораторная работа по учебной дисциплине
“Электротехника и электроника: электроника” по направлению 210300 – Радиотехника
Отчет
Преподаватель
Ст. преподаватель КФТТМ
___________Г.В. Гудков
подпись
“. . .”. . . . . . . . . . 2012 г.
дата
Студент гр. _________
____________ В.В.Алексеев
подпись
“. . .”. . . . . . . . . . 2012 г.
дата
1 Цель работы
Научиться определять основные статические и дифференциальные параметры термистора.
2 Задачи
– ознакомиться со справочными данными термистора;
– провести измерения вольтамперной характеристики и зависимости сопротивления от температуры;
– рассчитать температурный коэффициент сопротивления и коэффициент температурной чувствительности термистора.
3 Определение
Термистор - это полупроводниковый объемный резистор с большим отрицательным температурным коэффициентом сопротивления.
4 Практическая часть
Справочные данные термистора КМТ-17б /1/:
конструкция условное графическое обозначение
Маркировка: КМТ-17б. Кобальто-марганцевый (КМ) терморезистор (Т), тип конструкции 17б (дисковый).
Основные параметры:
– пределы номинального сопротивления Rном = 0,320 кОм;
– максимальная мощность рассеяния Рмакс = 500 мВт;
– интервал рабочих температур t = -60155 С;
– температурный коэффициент сопротивления R > 4,2 %/К;
– коэффициент рассеяния Н = 10 мВт/К;
– коэффициент температурной чувствительности В > 3600 К;
– постоянная времени = 30 с.
Измерение вольтамперной характеристики и температурной зависимости сопротивления термистора
Рисунок А1 - Принципиальная электрическая схема для измерения
характеристик и параметров терморезисторов
Таблица А1 - Вольтамперная характеристика термистора КМТ-17б
I, мА |
0 |
0,5 |
1,0 |
1,5 |
2,0 |
2,5 |
3,0 |
4,0 |
4,5 |
5,0 |
6,0 |
7,0 |
8,0 |
10 |
U, В |
0 |
10 |
30 |
40 |
60 |
80 |
100 |
90 |
80 |
70 |
65 |
60 |
57 |
52 |
Таблица А2 - Зависимость сопротивления термистора КМТ-17б
от температуры
Т, С |
22 |
30 |
35 |
40 |
45 |
50 |
55 |
60 |
65 |
70 |
75 |
80 |
85 |
90 |
RТ, Ом |
2 |
10 |
5 |
10 |
600 |
200 |
150 |
100 |
91 |
80 |
72 |
60 |
40 |
33 |
Рисунок А2 Рисунок А3
4.3 Расчет параметров термистора КМТ-17б
Температурный коэффициент сопротивления (рисунок А3):
.
Коэффициент температурной чувствительности:
4.4 Применение термистора
Термисторы применяются в качестве датчиков при измерении и регулировании температуры, измерении мощности на СВЧ, для температурной сигнализации и т.п.
Литература
Пасынков В. В., Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы: Учеб. пособие. – 8-е изд., испр. – СПб.: Лань, 2006. – 480 с.: ил.