
- •4.2 Схемы включения биполярных транзисторов
- •4.3 Статические характеристики биполярных транзисторов
- •4.3.1 Характеристики транзистора, включенного по схеме об
- •4.3.2 Характеристики транзистора, включенного по схеме оэ:
- •4.4 Основные параметры
- •4.5 Режимы работы биполярных транзисторов
- •4.6 Область применения
- •Описание универсального лабораторного макета для исследования характеристик транзисторов.
- •Порядок выполнения работы
- •Обработка экспериментальных данных
Порядок выполнения работы
1. Ознакомиться с лабораторным макетом и его описанием.
2. Подготовить макет к работе, для чего:
переключатель «ОБ-ОЭ» установить в положение «ОЭ». Схема для снятия статических характеристик исследуемого транзистора в этом случае принимает вид, показанный на рисунке 2:
Рис. 2. Схема установки
ручки потенциометров R1 и R2 («Напряжение на входе» и «Напряжение на выходе») повернуть до отказа против часовой стрелки, что соответствует минимальным напряжениям, подаваемым на электроды исследуемого транзистора.
включить сеть и дать прогреться лабораторной установке 3-5 минут.
установить ламповые вольтметры V1 и V2 на нуль. Для установки ламповых вольтметров на нуль, соответствующие переключатели перевести в положение «Установка нуля» и ручками «Установка нуля» совместить стрелки вольтметров с нулевыми отметками шкал, после чего ключи перевести в положение «Измерение».
В процессе снятия характеристик рекомендуется время от времени проверять установку нуля вольтметров
3. Снять входную статическую
характеристику
для значения напряжения
.
При снятии характеристики придерживаться следующей методики:
Установив потенциометром R1 величину тока
, фиксировать величину
для указанного напряжения
.
Ток базы изменять в пределах от 0 до 500 мкА через 50 мкА.
В процессе снятия характеристики необходимо следить за постоянством напряжения .
Экспериментальные данные занести в таблицу 1:
(мкА) |
|
(В) |
|
4. Снять выходную статическую
характеристику
для значения тока базы
=150
мкА. Требуемая величина тока базы
устанавливается при помощи потенциометра
R1, а напряжение
регулируется потенциометром R2.
Напряжение
изменять от 0 до 16 В через 2 Вольта.
При снятии характеристики следить за постоянством тока базы .
Экспериментальные данные занести в таблицу 2:
(В) |
|
|
|
5. Снять характеристику прямой
передачи транзистора в схеме с общим
эмиттером
при
=-5
В = const.
Ток базы изменять от 0 до 400 мкА через 50 мкА. При снятии характеристики следить за постоянством напряжения .
Экспериментальные данные занести в таблицу 3:
(мкА) |
|
(мА) |
|
6. Снять характеристику обратной
связи транзистора в схеме с общим
эмиттером
при
=150
мкА = const.
Напряжение изменять от 0 до 16 В через 2 В. При снятии характеристики следить за постоянством тока базы .
Экспериментальные данные занести в таблицу 4:
(В) |
|
(В) |
|
Обработка экспериментальных данных
1. Используя данные табл. 1, построить входную характеристику транзистора:
при в качестве параметра.
По входной характеристике определить входное сопротивление транзистора:
2. По данным табл. 2 построить выходную характеристику транзистора:
при токе базы в качестве параметра.
По выходной характеристике определить выходное сопротивление транзистора:
3. По данным табл. 3 построить характеристику прямой передачи транзистора:
при =const и определить по характеристике коэффициент усиления транзистора по току:
4. Используя данные табл. 4 построить характеристику обратной связи транзистора:
при токе базы в качестве параметра.