Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лабораторная работа - Исследование транзисторов...doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.04.2025
Размер:
449.54 Кб
Скачать

Порядок выполнения работы

1. Ознакомиться с лабораторным макетом и его описанием.

2. Подготовить макет к работе, для чего:

  • переключатель «ОБ-ОЭ» установить в положение «ОЭ». Схема для снятия статических характеристик исследуемого транзистора в этом случае принимает вид, показанный на рисунке 2:

Рис. 2. Схема установки

  • ручки потенциометров R1 и R2 («Напряжение на входе» и «Напряжение на выходе») повернуть до отказа против часовой стрелки, что соответствует минимальным напряжениям, подаваемым на электроды исследуемого транзистора.

  • включить сеть и дать прогреться лабораторной установке 3-5 минут.

  • установить ламповые вольтметры V1 и V2 на нуль. Для установки ламповых вольтметров на нуль, соответствующие переключатели перевести в положение «Установка нуля» и ручками «Установка нуля» совместить стрелки вольтметров с нулевыми отметками шкал, после чего ключи перевести в положение «Измерение».

В процессе снятия характеристик рекомендуется время от времени проверять установку нуля вольтметров

3. Снять входную статическую характеристику для значения напряжения .

При снятии характеристики придерживаться следующей методики:

  • Установив потенциометром R1 величину тока , фиксировать величину для указанного напряжения .

  • Ток базы изменять в пределах от 0 до 500 мкА через 50 мкА.

  • В процессе снятия характеристики необходимо следить за постоянством напряжения .

  • Экспериментальные данные занести в таблицу 1:

(мкА)

(В)

4. Снять выходную статическую характеристику для значения тока базы =150 мкА. Требуемая величина тока базы устанавливается при помощи потенциометра R1, а напряжение регулируется потенциометром R2. Напряжение изменять от 0 до 16 В через 2 Вольта.

При снятии характеристики следить за постоянством тока базы .

Экспериментальные данные занести в таблицу 2:

(В)

(мА)

5. Снять характеристику прямой передачи транзистора в схеме с общим эмиттером при =-5 В = const.

Ток базы изменять от 0 до 400 мкА через 50 мкА. При снятии характеристики следить за постоянством напряжения .

Экспериментальные данные занести в таблицу 3:

(мкА)

(мА)

6. Снять характеристику обратной связи транзистора в схеме с общим эмиттером при =150 мкА = const.

Напряжение изменять от 0 до 16 В через 2 В. При снятии характеристики следить за постоянством тока базы .

Экспериментальные данные занести в таблицу 4:

(В)

(В)

Обработка экспериментальных данных

1. Используя данные табл. 1, построить входную характеристику транзистора:

при в качестве параметра.

По входной характеристике определить входное сопротивление транзистора:

2. По данным табл. 2 построить выходную характеристику транзистора:

при токе базы в качестве параметра.

По выходной характеристике определить выходное сопротивление транзистора:

3. По данным табл. 3 построить характеристику прямой передачи транзистора:

при =const и определить по характеристике коэффициент усиления транзистора по току:

4. Используя данные табл. 4 построить характеристику обратной связи транзистора:

при токе базы в качестве параметра.

16