Скачиваний:
31
Добавлен:
26.05.2014
Размер:
2 Mб
Скачать

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru

Таблица 5.1.19. Транзисторы составные p-n-p большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) высокой частоты (30 МГц < fгр ≤ 300 МГц) [39].

 

 

 

Предельные значения

 

 

 

Значения параметров

 

 

 

Тип

 

параметров при Tп = 25 °С

 

 

 

 

при Tп = 25 °С

 

 

Ри-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

прибора

Iк.

UкэR.

Uкбо.

Uэбо.

Рк.

Тп.

Тмакс,

 

Uкб,

Iэ,

Uкэ.

IкэR,

fгр,

 

tрас,

Ртп-к,

су-

макс,

макс,

макс,

макс,

макс,

макс,

h21Э

нас,

 

нок

 

°С

В

А

мА

МГц

 

мкс

°С / Вт

 

 

А

B

B

B

Вт

°С

 

 

 

 

B

 

 

 

 

 

 

КТ973А

4

60

60

5

8

150

85

750

3

1

1,5

1

200

 

0,2

15,6

48

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ973Б

4

45

45

5

8

150

85

750

3

1

1,5

1

200

 

0,2

15,6

48

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Транзисторы КТ973 серии содержат следующую схему:

 

 

Коллектор

База

VT1

VD1

 

 

 

VT2

 

R1

Эмиттер

Таблица 5.1.20. Транзисторы составные n-p-n большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) высокой частоты (30 МГц < fгр ≤ 300 МГц) [39].

 

 

 

Предельные значения

 

 

 

Значения параметров

 

 

 

Тип

 

параметров при Tп = 25 °С

 

 

 

 

при Tп = 25 °С

 

 

Ри-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

прибора

Iк.

UкэR.

Uкбо.

Uэбо.

Рк.

Тп.

Тмакс,

 

Uкб,

Iэ,

Uкэ.

IкэR,

fгр,

 

tрас,

Ртп-к,

су-

макс,

макс,

макс,

макс,

макс,

макс,

h21Э

нас,

 

нок

 

°С

В

А

мА

МГц

 

мкс

°С / Вт

 

 

А

B

B

B

Вт

°С

 

 

 

 

B

 

 

 

 

 

 

КТ972А

4

60

60

5

8

150

85

750

3

1,5

1

200

 

0,2

15,6

48

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ972Б

4

45

45

5

8

150

85

750

3

1,5

1

200

 

0,2

15,6

48

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

131

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru

Таблица 5.1.21. Транзисторы p-n-p большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) высокой частоты (30 МГц < fгр ≤ 300 МГц) усилительные и генераторные [39].

 

 

 

Предельные значения

 

 

 

 

Значения параметров

 

 

 

 

параметров при Tп = 25 °С

 

 

 

при Tп = 25 °С

 

 

Ри-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тип прибора

Iк.

Iк.и.

 

Uкэо.макс,

Uкбо.

Uэбо.

Рк.

Uкэ,

Iк,

Uкэ.

IкэR,

fгр,

Cк,

 

су-

 

макс,

макс,

 

макс,

макс,

макс,

нас,

h21Э

нок

 

 

B

B

А

мА

МГц

пФ

 

 

А

А

 

B

B

Вт

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т932Б

2

 

60

60

4,5

20

3

1,5

1,5

1,5

50

300

30…120

54

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т933А

0,5

 

80

80

4,5

5

3

0,4

1,5

0,5

75

100

15…80

83

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т933Б

0,5

 

60

60

4,5

5

3

0,4

1,5

0,5

75

100

30…120

83

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ932А

2

 

80

80

4,5

20

3

1,5

1,5

1,5

40

300

5…80

54

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ932Б

2

 

60

60

4,5

20

3

1,5

1,5

1,5

60

300

30…120

54

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ932В

2

 

40

40

4,5

20

3

1,5

1,5

1,5

300

40

54

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ933А

0,5

 

80

80

4,5

5

3

0,4

1,5

0,5

75

100

15…80

84

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ933Б

0,5

 

60

60

4,5

5

3

0,4

1,5

0,5

75

100

30…120

84

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

132

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru

Таблица 5.1.22. Транзисторы n-p-n большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) высокой частоты (30 МГц < fгр ≤ 300 МГц) усилительные и генераторные [39].

 

 

 

Предельные значения

 

 

 

Значения параметров

 

 

 

 

параметров при Tп = 25 °С

 

 

 

при Tп = 25 °С

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тип

 

 

UкэR.макс,

 

 

Рк.

 

 

 

IкэR,

 

 

 

Ри-

Iк.

Iк.и.

(Uкэо.гр),

Uкбо.

Uэбо.

макс,

Uкэ,

Iк,

Uкэ.

 

 

 

прибора

(Iкбо),

fгр,

Cк,

 

су-

макс,

макс,

[Uкэх.и.макс],

макс,

макс,

{Рк.ср.

(Uкб),

(Iэ),

нас,

h21Э

нок

 

[Iкэк],

МГц

пФ

 

 

А

А

{Uкэо.макс},

B

B

макс},

B

А

B

 

 

 

мА

 

 

 

 

 

 

 

B

 

 

Вт

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т602А

0,075

0,5

(70)

120

5

2,8

(10)

(0,01)

3

(0,01)

150

4

20…80

85

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т602АМ

0,075

0,5

(70)

120

5

2,8

(10)

(0,01)

3

(0,01)

150

4

20…80

48

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т602Б

0,075

0,5

(70)

120

5

2,8

(10)

(0,01)

3

(0,01)

150

4

50…200

85

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т602БМ

0,075

0,5

(70)

120

5

2,8

(10)

(0,01)

3

(0,01)

150

4

50…200

48

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т903А

3

10

60

4

30

10

2

2

2

120

15…70

86

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т903Б

3

10

60

4

30

10

2

2

2

120

40…80

86

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т912А

20

70

5

30

{10}

5

50

90

10…50

110

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т912Б

20

70

5

30

{10}

5

50

90

20…100

110

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т921А

3,5

65

4

{12,5}

10

1

10

90

10…80

87

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т922В

3

9

60

4

{40}

5

0,5

0,6

20

300

10…150

88

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т950Б

7

[65]

4

{60}

10

5

30

90

10…100

89

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т951А

5

[60]

4

{45}

10

2

(20)

150

15…100

90

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т951Б

3

[60]

4

{30}

10

2

20

90

10…100

90

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ602А

0,075

0,5

(70)

120

5

2,8

(10)

(0,01)

3

(0,07)

150

4

20…80

85

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ602АМ

0,075

0,5

(70)

120

5

2,8

(10)

(0,01)

3

(0,07)

150

4

20…80

48

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ602Б

0,075

0,5

(70)

120

5

2,8

(10)

(0,01)

3

(0,07)

150

4

50…220

85

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ602БМ

0,075

0,5

(70)

120

5

2,8

(10)

(0,01)

3

(0,07)

150

4

50…220

48

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ602В

0,075

0,5

70

80

5

2,8

(10)

(0,01)

3

(0,07)

150

4

15…80

85

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ602Г

0,075

0,5

70

80

5

2,8

(10)

(0,01)

3

(0,07)

150

4

50

85

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ611А

0,1

180

150

3

3

(40)

(0,02)

8

[0,1]

60

5

10…40

50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ611АМ

0,1

180

120

4

(40)

(0,02)

8

0,1

60

5

10…40

48

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ611Б

0,1

180

150

3

3

(40)

(0,02)

8

[0,1]

60

5

30…120

50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ611БМ

0,1

180

120

4

(40)

(0,02)

8

0,1

60

5

30…120

48

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ611В

0,1

150

150

3

3

(40)

(0,02)

8

[0,1]

60

5

10…40

50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ611Г

0,1

150

150

3

3

(40)

(0,02)

8

[0,1]

60

5

30…120

50

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ902А

5

110 и

5

30

10

2

2

(10)

35

15

69

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ902АМ

5

110 и

5

30

10

2

2

(10)

35

15

55

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ903А

3

10

60

4

30

10

2

2,5

10

120

15…70

69

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ903Б

3

10

60

4

30

10

2

2,5

11

120

40…80

69

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ912А

20

70

5

{35}

10

5

50

90

10…50

110

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ912Б

20

70

5

{35}

10

5

50

90

20…100

110

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ921А

3,5

65

4

{12,5}

10

1

10

90

10…80

87

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ921Б

3,5

65

4

{12,5}

10

1

10

90

10…80

87

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ922В

3

9

65

4

{40}

40

300

88

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

133

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru

 

 

 

Предельные значения

 

 

 

Значения параметров

 

 

 

 

параметров при Tп = 25 °С

 

 

 

при Tп = 25 °С

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Тип

 

 

UкэR.макс,

 

 

Рк.

 

 

 

IкэR,

 

 

 

Ри-

Iк.

Iк.и.

(Uкэо.гр),

Uкбо.

Uэбо.

макс,

Uкэ,

Iк,

Uкэ.

 

 

 

прибора

(Iкбо),

fгр,

Cк,

 

су-

макс,

макс,

[Uкэх.и.макс],

макс,

макс,

{Рк.ср.

(Uкб),

(Iэ),

нас,

h21Э

нок

 

[Iкэк],

МГц

пФ

 

 

А

А

{Uкэо.макс},

B

B

макс},

B

А

B

 

 

 

мА

 

 

 

 

 

 

 

B

 

 

Вт

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ922Д

3

9

65

4

{40}

40

250

88

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ940А

0,1

0,3

300

300

5

10

10

0,03

1

(5·10-5)

90

5,5

25

48

КТ940Б

0,1

0,3

250

150

5

10

10

0,03

1

(5·10-5)

90

5,5

25

48

КТ940В

0,1

0,3

160

150

5

10

10

0,03

1

(5·10-5)

90

5,5

25

48

КТ945А

15

25

150

5

50

7

15

51

10…80

54

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ961А

1,5

2

100

100

5

12,5

10

0,15

0,5

(0,01)

50

40…100

48

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ961Б

1,5

2

80

80

5

12,5

10

0,15

0,5

(0,01)

50

63…160

48

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ961В

1,5

2

60

60

5

12,5

10

0,15

0,5

(0,01)

50

100…250

48

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ961Г

2

3

40

40

5

12,5

10

0,15

0,5

(0,01)

50

20…500

48

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ969А

0,1

0,2

(250)

300

5

6

10

0,015

1

(5·10-5)

60

1,8

50…250

48

Транзистор КТ945А изготовлен по эпитаксиальной технологии и имеет аналог 2N3442.

134

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru

Таблица 5.1.23. Транзисторы p-n-p большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) сверхвысокой частоты (fгр > 300 МГц) усилительные и генераторные [39].

 

 

 

Предельные значения

 

 

 

Значения параметров

 

 

Тип

 

параметров при Tп = 25 °С

 

 

 

при Tп = 25 °С

 

 

Ри-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

прибора

Iк.

Iк.и.

Uкэо.макс,

Uкбо.

Uэбо.

Рк.

Uкэ,

Iк,

Uкэ.

IкэR,

fгр,

Cк,

 

су-

макс,

макс,

макс,

макс,

макс,

нас,

h21Э

нок

 

B

B

А

мА

ГГц

пФ

 

 

А

А

B

B

Вт

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т914А

0,8

1,5

65

4

7

5

0,25

0,6

2

0,35

12

10…60

87

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ914А

0,8

1,5

65

4

7

5

0,25

0,6

2

0,35

12

10…60

87

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

135

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru

Таблица 5.1.24. Транзисторы p-n-p большой мощности (Рк.макс > 1,5 Вт) высокой частоты (fгр > 300 МГц) переключательные и импульсные [39].

 

 

 

Предельные значения

 

 

 

Значения параметров

 

 

Тип

 

параметров при Tп = 25 °С

 

 

 

при Tп = 25 °С

 

 

Ри-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

прибора

Iк.

Iк.и.

UкэR.макс,

Uкбо.

Uэбо.

Рк.

Uкэ,

Iк,

Uкэ.

Iкбо,

fгр,

Cк,

 

су-

макс,

макс,

{Uкэо.гр},

макс,

макс,

макс,

{Uкб},

{Iэ},

нас,

h21Э

нок

 

мА

МГц

пФ

 

 

А

А

B

B

B

Вт

B

А

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ГТ905А

3

7

{65}

75

6

{10}

{3}

0,5

2

60

200

35…100

74

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ГТ905Б

3

7

{65}

60

6

{10}

{3}

0,5

2

60

200

35…100

74

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ626А

0,5

1,5

45

45

6,5

2

0,15

1

0,15

75

150

40…250

48

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ626Б

0,5

1,5

60

60

6,5

2

0,15

1

0,15

75

150

30…100

48

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ626В

0,5

1,5

80

80

6,5

2

0,15

1

0,15

45

150

15…45

48

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ626Г

0,5

1,5

20

20

6,5

2

0,15

1

0,15

45

150

15…80

48

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ626Д

0,5

1,5

20

20

6,5

2

0,15

1

0,15

45

150

40…250

48

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

136

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru

5.2 Однопереходные транзисторы

Таблица 5.2.1. Транзисторы однопереходные с n – базой малой мощности (Рк.макс. ≤ 0,3 Вт) [39], [30, стр. 688].

 

 

Предельные значения

 

 

 

Значения параметров

 

 

 

Тип

параметров при Tп = 25 °С

 

 

при Tп = 25 °С

 

 

 

Рису-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Iэ.

Iэ.и.

Uб1б2.

Uб2э.

 

 

 

Uкэ.

 

 

 

 

 

прибора

Рмакс,

 

Uб1б2,

Iвкл,

Iвыкл,

Rб1б2,

tвкл,

fмакс,

нок

 

 

 

 

 

макс,

макс,

макс,

макс,

η

нас.,

 

 

 

 

мВт

 

В

 

мкА

мА

кОм

мкс

кГц

 

 

мА

мА

В

В

 

B

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т117А

50

1000

30

30

300

0,5…0,7

10

5

20

1

4…7,5

2

200

91, 92

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т117Б

50

1000

30

30

300

0,65…0,85

10

5

20

1

4…7,5

3

200

91, 92

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т117В

50

1000

30

30

300

0,5…0,7

10

5

20

1

6…9

3

200

91, 92

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2Т117Г

50

1000

30

30

300

0,65…0,85

10

5

20

1

6…9

3

200

91, 92

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ117А

50

1000

30

30

300

0,5…0,7

10

5

20

1

4…9

3

200

91, 92

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ117Б

50

1000

30

30

300

0,65…0,9

10

5

20

1

4…9

3

200

91, 92

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ117В

50

1000

30

30

300

0,5…0,7

10

5

20

1

8…12

3

200

91, 92

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

КТ117Г

50

1000

30

30

300

0,65…0,9

10

5

20

1

8…12

3

200

91, 92

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

137

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru

5.3 Двухэмиттерные транзисторы

КТ118А, КТ118Б, КТ118В

Транзисторы кремниевые двухэмиттерные планарно – эпитаксиальные p-n-p типа. Предназначены для работы в схемах модуляторов [29, стр. 242, 243], [30, стр. 667, 688]. Выпускаются в металлическом герметичном корпусе и имеют гибкие выводы. Масса не более 0,7 г.

Габаритные размеры и цоколёвка транзистора показаны на рисунке 116.

 

Электрические параметры.

 

 

Падение напряжения на открытом ключе при Iб = 0,5 мА, Iэ = 1,5 мА:

 

 

для КТ118А, КТ118Б не более

0,2 мВ

для КТ118В не более

0,15 мВ

Сопротивление отпертого ключа при Iб = 2 мА, Iэ = 2 мА:

 

 

для КТ118А, КТ118Б не более

100 Ом

для КТ118В не более

120 Ом

при Iб = 40 мА, Iэ = 20 мА:

 

 

для КТ118А, КТ118Б не более

20

Ом

для КТ118В не более

40

Ом

Ток запертого ключа:

 

 

при Rкб = 10 кОм, Uэ1э2 = 30 В для КТ118А не более

0,1 мкА

при Rкб = 10 кОм, Uэ1э2 = 15 В для КТ118Б, КТ118В не более

0,1 мкА

Напряжение на управляющих коллекторных переходах

 

 

при Iб = 20 мА не более

1,3 В

Обратный ток коллектор – база при Uк = 15 В не более

0,1 мкА

Относительная ассиметрия сопротивления отпертого ключа

 

 

при Iб = 40 мА, Iэ = 20 мА не более

20 %

Предельные эксплуатационные данные.

 

 

Запирающее напряжение управления коллектор – база 1 или

 

 

коллектор – база 2 при Rкб не более 10 кОм

15

В

Напряжение на запертом ключе эмиттер 1 – эмиттер 2

 

 

при напряжении на управляющих переходах, равном нулю:

 

 

для КТ118А

30

В

для КТ118Б, КТ118В

15

В

Напряжение на эмиттер – база (эмиттер 1 – база 1 или

 

 

эмиттер 2 – база 2):

 

 

для КТ118А

31

В

для КТ118Б, КТ118В

16

В

Ток коллектора

50

мА

Ток эмиттера (одного)

25

мА

138

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru

Ток базы (одной)

 

25 мА

Рассеиваемая мощность1 на коллекторе

 

100 мВт

Тепловое сопротивление межде переходом и окружающей средой

0,4

ºC / мВт

Диапазон рабочей температуры окружающей среды

от -60 до

+125 ºC

1. При температуре окружающей среды от -60 до +110 ºC. При повышении температуры до +125 ºC значение мощности рассчитывается по формуле

Pк.макс=150 Т ºC , мВт .

0,4

139

Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. http://moskatov.narod.ru

5.4 Фототранзисторы

Таблица 5.4.1. Фототранзисторы.

Тип

Рабочее напря-

Темновой ток,

Долговечность,

Габариты, мм

 

жение, Uа, В

Iт, мкА

ч

 

 

прибора

Длина

Диаметр

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ФТ-1К

5

3

2000

10,0

3,90

 

 

 

 

 

 

ФТ-2К

5

1

2000

10,0

3,90

 

 

 

 

 

 

ФТГ-3

5

50

10000

6,3

8,70

 

 

 

 

 

 

При отключённом от цепей фототранзисторе его нельзя держать на свету!

140

Соседние файлы в папке ИУРЭ(ГОСТы,справочники)