
- •Вопрос 1: Поколения эвм и технологии изготовления.
- •Вопрос 2: Границы стадий жизненного цикла изделия.
- •Границы стадий жизненного цикла изделия
- •Вопрос 3: Основные этапы проектирования средств вычислительной техники.
- •Вопрос 4: Модули, уровни модульности.
- •Вопрос 5: Построение электрической функциональной схемы.
- •Вопрос 6: Принципы иерархического конструирования.
- •Вопрос 7: Маркировка интегральных микросхем.
- •Вопрос 8: Классификация интегральных микросхем.
- •Вопрос 9: Классификация электрических соединений в конструкциях эвт.
- •Вопрос 10: Монтаж электронных устройств и виды электрических контактов.
- •Вопрос 11: Единая система конструкторской документации (ескд), принципы стандартизации.
- •Вопрос 12: Построение электрической структурной схемы.
- •Вопрос 13: Построение электрической принципиальной схемы.
- •Вопрос 14: Факторы, влияющие на выбор конструкции свт.
- •Вопрос 15: Требования к конструкции эвм и показатели.
- •Вопрос 16: Тепловые режимы и источники выделения тепла.
- •Вопрос 17: Классификация персональных компьютеров.
- •Вопрос 18: Основные блоки пэвм и их назначение.
- •Вопрос 19: Структура системного блока.
- •Вопрос 20: Структура материнской платы
- •Вопрос 21: Классификация печатных плат.
- •Вопрос 22: Односторонние печатные платы
- •Вопрос 23: Двухсторонние печатные платы
- •Вопрос 24: Многослойные печатные платы.
- •Вопрос 25: Пути переноса тепловой энергии в аппаратуре.
- •Вопрос 26: Надежность. Основные определения и характеристики теории надежности.
- •Вопрос 27: Виды отказов..
Вопрос 8: Классификация интегральных микросхем.
Интегральной микросхемой (ИМС) называют микроэлектронное устройство, состоящее из активных элементов (диодов, транзисторов) и пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, катушек и др.) которые изготавливаются в одном процессе, электрически соединены между собой и заключены в общий корпус.
Классификация ИМС:
По степени интеграции в зависимости от количества элементов входящих в ИМС различают пять поколений ИМС
поколение ИМС |
первое |
второе |
третье |
четвертое |
пятое |
обозначение |
ИМС-1 |
ИМС-2 |
ИМС-3 |
ИМС-4, БИС |
ИМС-5, СБИС |
число элементов |
до 10 |
от 10 до 100 |
от 100 до 1000 |
свыше 1000 |
около 10000 |
По технологии изготовления ИМС делятся на полупроводниковые, пленочные и гибридные.
Технология изготовления, при которой совмещаются процессы изготовления элементов ИМС и соединений между ними, называется интегральной.
Полупроводниковые ИМС выполняются в объеме полупроводника с использованием его поверхности. Активные и пассивные элементы изолируют друг от друга диэлектриком или обратно включенным p-n переходом. Полупроводниковые ИМС имеют наиболее высокую степень интеграции и надежность.
Пленочные ИМС подразделяются на тонко- и толсто-пленочные. Активные и пассивные элементы изготавливаются в виде металлических, полупроводниковых или диэлектрических пленок толщиной до 1 мкм для тонкопленочных и до 20 мкм для толстопленочных ИМС.
Гибридные ИМС совмещают свойства полупроводниковых и пленочных ИМС. Пассивные элементы в них обычно пленочные, а активные полупроводниковые навесные (т.е. изготовленные отдельно и приклеенные к подложке).
По функциональному назначению ИМС делятся на аналоговые и цифровые.
Аналоговой ИМС называется микроэлектронное изделие, элементы которого предназначены для работы с аналоговыми сигналов. К аналоговым ИМС относятся , например, генераторы гармонических сигналов, дифференциальные усилители и др.
Цифровой ИМС называется микроэлектронное изделие, элементы которого предназначены для преобразования и обработки дискретных сигналов. К цифровым ИМС относятся, например, триггеры, счетчики, регистры, сумматоры, дешифраторы и др.
В зависимости от применяемых активных элементов полупроводниковые ИС подразделяют на схемы с биполярными и униполярными структурами (на биполярных или полевых транзисторах).
По методу изоляции компонентов эти схемы делят на ИС с изоляцией диффузионными p-n-переходами и ИС с изоляцией диэлектриком.
По конструктивному оформлению ИС делят на корпусные с выводами, корпусные без выводов и бескорпусные.
Ряд отдельных функциональных микросхем, объединенных по виду технологии изготовления, напряжениям источников питания, входным и выходным сопротивлениям и уровням сигналов, конструктивному оформлению и способам крепления или монтажа, образуют серию ИС.
Обычно в серию ИС входит такой набор функциональных микросхем, из которых можно построить законченное устройство. Существуют также серии специальных микросхем, предназначенных для работы в специфических условиях, или специального назначения (специализированные ИС), например для управления запоминающим устройством, внешними устройствами и т. д.