
- •І.Ю. Проценко, л.В. Однодворець технологія одержання і фізичні властивості плівкових матеріалів та основи мікроелектроніки (практикуми)
- •Розділ 1 лабораторний практикум
- •1.1 Правила техніки безпеки під час виконаннЯ лабораторних робіт
- •1.2 Практикум «Технологія плівкових матеріалів»
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
- •Порядок виконання роботи
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні питання
- •Список літератури
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
- •1.4 Практикум «Прилади та методи дослідження плівкових матеріалів»
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
- •1.5 Практикум «основи опто- і мікроелектроніки»
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
- •Порядок виконання роботи
- •1. Режим прямого ввімкнення
- •2. Режим зворотного ввімкнення
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
- •Порядок виконання роботи
- •Контрольні запитання
- •Список літератури
- •Порядок виконання роботи
- •Список літератури
- •Розділ 2 практичні заняття
- •2.1 Практикум «Фізичні явища в тонких плівках»
- •Список літератури
- •Список літератури
- •Список літератури
- •Список літератури
- •Список літератури
- •Питання семінару
- •Список літератури
- •Список літератури
- •Список літератури
- •Питання семінару
- •Список літератури
- •2.2 Практикум «Технологія наноструктурованих матеріалів»*
- •Питання семінару
- •Список літератури
- •Питання семінару
- •Список літератури
- •Задачі для розв'язування
- •Список літератури
- •Задачі для розв'язування
- •Список літератури
- •Задачі для розв'язування
- •Список літератури
- •2.3 Практикум «Датчики неелектричних величин»
- •Задачі для розв’язування
- •Задачі для розв’язування
- •Список літератури
- •Питання семінару
- •Список літератури
- •Задачі для розв’язування
- •Список літератури
- •Задачі для розв’язування
- •Список літератури
- •2.4 Практикум «Прилади і методи дослідження плівкових матеріалів»
- •Питання семінару
- •Список літератури
- •Задачі для розв’язування
- •Задачі для розв’язування
- •Список літератури
- •Запитання семінару
- •Список літератури
- •Задачі для розв’язування
- •Список літератури
- •2.5 Практикум «Основи мікроелектроніки»
- •Задачі для розв’язування
- •Список літератури
- •Задачі для розв’язування
- •Список літератури
- •Задачі для розв’язування
- •Список літератури
- •Задачі для розв’язування
- •Список літератури
- •Технологія одержання і фізичні властивості плівкових матеріалів та основи мікроелектроніки (практикуми)
Контрольні запитання
Дати визначення і пояснити фізичні основи роботи світловипромінювальних діодів.
Дати визначення люмінесцентних матеріалів та назвати вимоги до них.
Пояснити поняття інжекції та рекомбінації носіїв електричного струму, тунельного струму.
Назвати основні параметри і характеристики СД.
Які оптоелектронні пристрої створені на основі СД?
Перелічити галузі застосування та назвати перспективи розвитку світлодіодної техніки.
Список літератури
Игнатов А.Н. Оптоэлектронные приборы и устройства.– М.: Высшая школа, 2006.- 140 с.
Коган Л.М. Полупроводниковые светоизлучающие диоды – М.: Мир, 1983.- 102 с.
Лабораторна робота 5
Визначення ширини забороненої зони в тонких плівках германію
Мета роботи – виходячи з експериментальної залежності опору плівки германію від температури визначити ширину забороненої зони (ΔЕ3).
Елементи теорії. Германій у масивному чи плівковому стані є типовим власним напівпровідником. У таких напівпровідниках концентрація електронів (n-) у зоні провідності дорівнює концентрації дірок (n+) у зоні валентності (n-=n+). У зв’язку з наявністю двох типів провідності повна питома провідність власного напівпровідника (σ) може бути наведена у вигляді такої суми
(1)
де е – заряд електрона; n – концентрація носіїв електричного струму (для власного напівпровідника
n-
= n+
= n);
- рухливість заряду (
- середня швидкість дрейфу).
Теорія електропровідності власних напівпровідників дозволяє одержати співвідношення для n+, n- та n (див., наприклад, [1]):
;
(2)
;
(3)
;
(4)
де m* - ефективна маса; k і h – сталі Больцмана і Планка; μ– хімічний потенціал.
Враховуючи (4), співвідношення (1) можна записати так:
.
( 1'
)
У праву частину співвідношення (1) входять три множники, які різною мірою залежать від температури.
Методичні вказівки. Вимірювання температурної залежності опору (R) тонкої плівки германію ( d 50 -100 нм) необхідно здійснити в інтервалі температур 350 - 700 К. Температурний інтервал вимірювань ΔТ - в межах 10 - 20 градусів. Для обчислення питомої провідності необхідно скористатися таким співвідношенням:
,
;
(5)
де σ – питомий опір; l, a та d – довжина, ширина та товщина плівки.
Слід також мати на увазі , що у зразках малої товщини ΔЕз може трохи відрізнятися від значення ΔЕоз для масивних зразків.
Враховуючи вищезазначене, співвідношення (1') з великою точністю можна записати як
;
(6)
де
σ0(
Т
)
– величина, яка слабо залежить від
температури, а її фізичний зміст полягає
у тому, що
.
Якщо співвідношення (6) записати у логарифмічному вигляді
;
(6')
то
кутовий коефіцієнт цієї залежності в
координатах
-
-
дає ширину забороненої зони .
Таким чином, для знаходження величини ΔЕз необхідно експериментальну залежність R(T) перебудувати в напівлогарифмічних координатах ln=f(1/(2kT)) і провести графічне диференціювання.
У таблиці 1 наведені табличні значення величини ΔЕ0з для різних речовин у масивному стані.
Таблиця 1 – Табличні значення величини забороненої зони для різних речовин у масивному стані
Речовина |
Алмаз |
Кремній |
Германій |
Олово |
ΔEoз, еВ |
5,20 |
1,12 - 1,21 |
0,68 - 0,76 |
0,08 |