- •Источники и приемники оптического излучения
- •15.1 Источники оптического излучения Принцип действия некогерентных и когерентных источников излучения
- •Требования к источникам излучения для волс
- •Основные параметры и характеристики источников излучения.
- •Сравнительная характеристика светодиода и лазера.
- •15.2 Оптические приемники Принцип действия p-I-n - фотодиода и лфд
- •Требования, предъявляемые к приемникам излучения
- •Основные параметры и характеристики приемников
- •Передающие и принимающие оптические модули
- •17.1. Передающие оптические модули Основные характеристики пом
- •Передающий оптический модуль с лд
- •17.2. Приемные оптические модули
Передающие и принимающие оптические модули
17.1. Передающие оптические модули Основные характеристики пом
Передающий оптический модуль (ПОМ) состоит из оптической головки и электронной схемы, основным назначением которой является модуляция излучаемого света. В оптической головке с СИД размещаются диод и модулятор, а в оптической головке с ЛД должны находиться лазер, модулятор, фотодиод и электронная схема, с помощью которой стабилизируется режим работы лазера. Необходимый для стабилизации сигнал поступает на вход схемы от фотодиода, регистрирующего интенсивность излучения лазера.
Основными характеристиками ПОМ являются:
диапазон рабочих температур;
мощность излучения;
пиковое значение длины волны излучения;
ширина спектральной полосы (на половине высоты пика);
время нарастания импульса;
срок службы;
напряжение в цепи питания;
пространственное распределение мощности излучения на выходе.
Большинство ПОМ работает при температуре 0...80 0С, но имеются модули, рассчитанные на работу при температуре -40...+70 0С. Необходимо отметить, что пиковое значение длины волны оптического излучения указывается обычно для температуры +25 0С. При повышении температуры длина волны увеличивается. Нормированная мощность излучения (т. е. отнесенная к мощности при +25 0С, принятой за 100%) на выходе модуля также нарастает с повышением температуры.
Передающий оптический модуль с СИД
Принципиальная схема простейшего ПОМ с СИД приведена на рис. 17.1.
Диод установлен на теплоотводящем радиаторе, излучение выводится из оптической головки наружу через отрезок 0В, к которому, в свою очередь, присоединяется внешнее 0В. Модулятор смонтирован в общем корпусе с оптической головкой и представляет собой микроэлектронную схему - преобразователь «напряжение - код», управляющую током в цепи питания светодиода.
Передающий оптический модуль с лд
С
труктура
ПОМ с ЛД сложнее, чем с СИД. На рис. 17.2
приведена принципиальная схема модуля
с ЛД, используемого в ВОСП. В оптической
головке модуля находятся ЛД с двойным
геропереходом и фотодиод обратной
связи, детекти-рующий излуче-ние,
выходящее через заднюю грань лазера.
Управление лазером, стабилизация его работы и защита от действия слишком высокого входного сигнала осуществляются током в цепи обратной связи по среднему значению мощности излучения.
Схема управления и защиты лазера содержит: цепи обратной связи для поддержания постоянства мощности излучения лазера и защиты диода от воздействия слишком высокого входного сигнала; схему защиты, обеспечивающую защиту лазера от воздействий, связанных с неисправностями в цепи питания и паразитными электрическими колебаниями.
Одна из основных задач, которую необходимо решать при разработке ПОМ, - это стабилизация выходной мощности полупроводниковых лазеров. Кроме рассмотренного выше известны параметрический и импульсный способы, а также способ с использованием НЧ подмодуляции.
Параметрический способ основан на том, что учитывается скважность входного сигнала. Входной сигнал нормируется, интегрируется и вычитается из проинтегрированного сигнала с фотодиода обратной связи. Разница сигналов измеряется и поддерживается неизменной регулировкой тока смещения лазера. Этот способ обладает некоторыми недостатками:
ток модуляции устанавливается при регулировке и в дальнейшем не изменяется;
ток модуляции имеет температурную зависимость, индивидуальную для каждого лазерного диода;
способ не учитывает снижение эффективности полупроводникового лазера в процессе старения, в результате которого импульсная мощность будет уменьшаться.
И
мпульсный
способ
основан на сравнении параметров ВЧ
импульсов фотодиода обратной связи с
эталонными. Для реализации этого способа
необходимы быстродействующий фотодиод
обратной связи, а также тракт усиления
и измерения параметров ВЧ импульсов,
что существенно усложняет задачу.
Способ с использованием НЧ подмодуляции основан на том, что ВЧ входные импульсы модулируются НЧ вспомогательным сигналом. На фотодиоде обратной связи ВЧ сигнал интегрируется и по величине НЧ составляющей регулируются токи смещения и модуляции полупроводникового лазера.
Способ стабилизации выходной мощности с использованием НЧ подмодуляции является наиболее предпочтительным, поскольку здесь осуществляется регулировка тока смещения и тока модуляции в зависимости от температуры среды и старения лазера.
На рис. 20.3 приведена принципиальная схема ПОМ с НЧ подмодуляцией для стабилизации выходной мощности лазера. В этой схеме используется двухконтурная система стабилизации выходной мощности.
Первый контур стабилизирует среднюю мощность излучения, регулируя постоянный ток смещения Iп.см ЛД, второй контур регулирует ток модуляции Iпм таким образом, чтобы результирующая разница НЧ составляющих лазерного излучения была равна нулю.
Фототок, пропорциональный излучаемой мощности с фотодиода обратной связи подается на усилитель-преобразователь А1, где преобразуется в соответствующее напряжение. Коэффициент преобразования устанавливается резистором Rос. Напряжение с усилителя А1 сравнивается с опорным напряжением Uо. Компаратором А2, через интегратор задается управляющее напряжение на транзистор Тз, которым регулируется постоянный ток смещения ЛД. Таким образом регулируется средняя мощность излучения.
Генератор Г генерирует прямоугольные НЧ импульсы с частотой 10 кГц. На транзисторах Т4 и Т5 собран генератор тока НЧ подмодуляции. Генератор Г управляет ключом К3, формирует импульсы тока НЧ подмодуляции с амплитудой, пропорциональной напряжению на базах транзисторов Т4 и Т5, деленному на сопротивление резисторов Ri1, Ri2. Соотношение токов Iпм и Iп.см задается отношением сопротивлений резисторов Ri1 и Ri2. При этом глубина модуляции полезного сигнала НЧ сигналом определяется отношением сопротивлений Ri1/ R3. Результирующий НЧ сигнал с фотодиода обратной связи усиливается усилителем А1 и через конденсатор С2, усилитель А3 и конденсатор С3 подается на ключ К1, который управляется генератором Г. Ключ К1 и генератор Г составляют синхронный детектор. Если Iпм - Iп.см >0, то сигнал на выходе К1 отрицательный и интегратор - компаратор R5, С4, А4 увеличивает ток модуляции, если Iпм - Iп.см <0 - уменьшает. Таким образом осуществляется автоматическая регулировка тока модуляции.
В устройстве предусмотрен детектор входного сигнала Д, который отключает регулировку тока модуляции, если входной сигнал отсутствует.
На транзисторах Т1, Т2 и Т3 выполнена схема регулируемых источников тока смещения и тока модуляции. С помощью дифференциального усилителя (Т1 и Т2) происходит формирование импульсов тока модуляции полупроводникового лазера. Изменяя напряжение на входах 2 и 3, можно управлять токами модуляции и смещения ЛД соответственно. При этом модулирующий входной сигнал подается на вход 1.
