5. Программа выполнения работ

5.1. Снять семейство входных характеристик транзистора с ОЭ, которые показывают зависимость входного тока (Iб) от входного напряжения (Uбэ) при различных постоянных значениях выходного напряжения (Uкэ):

Iб=f(Uбэ)/Uкэ=Const.

5.2. Снять семейство выходных характеристик транзистора с оэ, показывающий зависимость выходного тока (Iк) от выходного напряжения (Uкэ) при различных постоянных значениях входного тока (Iб):

lк=f(Uбэ)/Iб=Const

5.3. Определить из экспериментально снятых характеристик следующие h-параметры транзистора:

а) h_11э-входное сопротивление,

б) h_12э-коэффициент передачи по напряжению,

в) h_21э- коэффициент обратной связи по току,

г) h_22э- выходная проводимость.

6. Методические указания

При снятии характеристик использовать для питания входной цепи генератор тока (ГТ), а для питания выходной цепи - генератор напряжения (ГН2) и измерительные приборы, расположенные на стенде .

Входные характеристики транзистора снять для двух постоянных значений напряжения на коллекторе: Uкэ=0, Uкэ=6В. Напряжение Uбэ изменять от 0 до 1В.

Выходные характеристики снять для трех постоянных значениях тока базы, при этом I_max задавать таким, чтобы I_max не превышал 100 mA. Напряжение на коллекторе изменять в пределах от 0 до 15В, при этом на начальном участке напряжение Uкэ изменять с шагом (0.5 - 1В).

Характеристики передачи по току снять для двух постоянных значений Uкэ:Uкэ=6В, Uкэ=9В. Ток базы изменять в диапазоне от 0 до Iбmax при котором Iкmax<100mА.

При снятии характеристик во всех случаях необходимо получить 7-8 значений измеряемой величины.

В отчете приведите в виде графиков полученные зависимости и сделайте выводы о соответствии полученных экспериментальных и расчетных данных справочным.

7. Контрольные вопросы

7.1. Приведите обозначения биполярных и полевых транзисторов разных типов и название электродов.

7.2. За счет чего образуются потенциальные барьеры на переходах и как они влияют на работу транзистора?

7.3. Почему эмиттерный переход для нормальной работы транзистора для основных носителей должен быть смещен в прямом направлении, а коллекторный в обратном?

7.4. За счет каких носителей тока в транзисторе образуются токи эмиттера, коллектора и базы (Iэ, Iк, Iб, Iк₀). Покажите пути протекания указанных токов в транзисторах разного типа проводимости.

7.5. Приведите аналитические выражения, связывающие между собой токи базы, эмиттера и коллектора.

7.6. Поясните смысл коэффициентов  и . Приведите связь между ними.

7.7. Какие схемы включения вы знаете? Укажите достоинства и недостатки каждой схемы включения.

7.8. Приведите входные характеристики для схемы включения транзистора с ОБ и ОЭ.

7.9. Приведите выходные характеристики для схемы включения транзистора с ОБ и ОЭ.Чем они отличаются друг от друга?

7.10. Объясните эффект модуляции базы и поясните его влияние на характеристики транзистора.

7.11. Объясните, почему при увеличении коллекторного напряжения входной ток возрастает в схеме включения с ОБ и уменьшается при включении транзистора с ОЭ?

7.12. Приведите физические эквивалентные схемы транзистора для включения с ОБ и ОЭ.

7.13. На основе эквивалентной схемы получите аналитическое выражение для h-параметров транзистора, представленного в виде четырехполюсника.

7.14. Воспользовавшись выходными и входными характеристиками транзистора, покажите методику определения h-параметров транзистора.

7.15. Дайте физическое толкование диффузионной и барьерной емкостей.

7.16. Покажите на семействах характеристик активную область работы транзистора, области насыщения и "отсечки".

7.17. С какой целью в схемах, где используется транзистор, в цепь его коллектора включают резистор Rк?

7.18. Покажите, используя, например, схему включения с ОБ, как происходит процесс усиления сигнала в транзисторе по мощности?

7.19. На каждой из схем включения для разных структур транзисторов, покажите направление всех токов (Iэ, Iк, Iб, Iк₀) и укажите полярности напряжений между электродами.

7.20. Почему при Uкэ=0 в схема с ОЭ в цепи коллектора ток равен нулю, а в схеме с ОБ при Uбэ=0 он не равен нулю?

7.21. Почему выходные характеристики в схеме с ОБ идут практически горизонтально, а в схеме с ОЭ наблюдается небольшой подъем?

22. Объясните, почему при увеличении коллекторного напряжения входной ток возрастает в схеме включения с ОБ и уменьшается при включении транзистора с ОЭ.

23. От чего зависят частотные свойства транзистора?