Временная диаграмма внешней памяти данных
Таблица 137. Характеристики внешней памяти данных (4.5 - 5.5В, без состояний ожидания)
|
Обозначение |
Параметр |
Генератор 8МГц |
Переменный генератор |
Ед.изм. |
||
мин. |
макс. |
мин. |
макс. |
||||
0 |
1/tCLCL |
Частота генератора |
|
|
0.0 |
16 |
МГц |
1 |
tLHLL |
Длительность импульса ALE |
115 |
|
1.0tCLCL-10 |
|
нс |
2 |
tAVLL |
Действительность адреса А до низкого уровня ALE |
57.5 |
|
0.5tCLCL-5(1) |
|
нс |
3а |
tLLAX_ST |
Удержание адреса после установки низкого уровня на ALE во время записи |
5 |
|
5 |
|
нс |
3b |
tLLAX_LD |
Удержание адреса после установки низкого уровня на ALE во время чтения |
5 |
|
5 |
|
нс |
4 |
tAVLLC |
Действительность адреса С до низкого уровня ALE |
57,5 |
|
0.5tCLCL-5(1) |
|
нс |
5 |
tAVRL |
Действительность адреса до низкого уровня на RD |
115 |
|
1.0tCLCL-10 |
|
нс |
6 |
tAVWL |
Действительность адреса до низкого уровня на WR |
115 |
|
1.0tCLCL-10 |
|
нс |
7 |
tLLWL |
Время после установки низкого уровня на ALE до появления низкого уровня на WR |
47,5 |
67,5 |
0.5tCLCL-15(2) |
0.5tCLCL+5(2) |
нс |
8 |
tLLRL |
Время после установки низкого уровня на ALE до появления низкого уровня на RD |
47,5 |
67,5 |
0.5tCLCL-15(2) |
0.5tCLCL+5(2) |
нс |
9 |
tDVRH |
Готовность данных до появления высокого уровня на RD |
40 |
|
40 |
|
нс |
10 |
tRLDV |
Время подготовки данных после установки лог. 0 на RD |
|
75 |
|
1.0tCLCL-50 |
нс |
11 |
tRHDX |
Удержание данных после установки лог. 1 на RD |
0 |
|
0 |
|
нс |
12 |
tRLRH |
Длительность импульса чтения RD |
115 |
|
1.0tCLCL-10 |
|
нс |
13 |
tDVWL |
Врем готовности данных до появления лог. 0 на WR |
42,5 |
|
0.5tCLCL-20(1) |
|
нс |
14 |
tWHDX |
Удержание данных после подачи лог. 1 на WR |
115 |
|
1.0tCLCL-10 |
|
нс |
15 |
tDVWH |
Действительность данных до появления лог.1 на WR |
125 |
|
1.0tCLCL |
|
нс |
16 |
tWLWH |
Длительность импульса записи WR |
115 |
|
1.0tCLCL-10 |
|
нс |
Прим.:
Здесь полагается 50%-ое заполнение синхронизирующих импульсов. Половина периода фактически равна длительности единичного импульса внешнего тактового сигнала на XTAL1.
Здесь полагается 50%-ое заполнение синхронизирующих импульсов. Половина периода фактически равна длительности нулевого импульса внешнего тактового сигнала на XTAL1.
Таблица 138. Характеристики внешней памяти данных с однотактным состоянием ожидания (4.5 - 5.5В)
|
Обозначение |
Параметр |
Генератор 8МГц |
Переменный генератор |
Ед.изм. |
||
мин. |
макс. |
мин. |
макс. |
||||
0 |
1/tCLCL |
Частота генератора |
|
|
0.0 |
16 |
МГц |
10 |
tRLDV |
Время подготовки данных после установки лог. 0 на RD |
|
200 |
|
2.0tCLCL-50 |
нс |
12 |
tRLRH |
Длительность импульса чтения RD |
240 |
|
2.0tCLCL-10 |
|
нс |
15 |
tDVWH |
Действительность данных до появления лог.1 на WR |
240 |
|
2.0tCLCL |
|
нс |
16 |
tWLWH |
Длительность импульса записи WR |
240 |
|
1.0tCLCL-10 |
|
нс |
Таблица 139. Характеристики внешней памяти данных (4.5 - 5.5В, SRWn1 = 1, SRWn0 = 0)
|
Обозначение |
Параметр |
Генератор 8МГц |
Переменный генератор |
Ед.изм. |
||
мин. |
макс. |
мин. |
макс. |
||||
0 |
1/tCLCL |
Частота генератора |
|
|
0.0 |
16 |
МГц |
10 |
tRLDV |
Время подготовки данных после установки лог. 0 на RD |
|
325 |
|
3.0tCLCL-50 |
нс |
12 |
tRLRH |
Длительность импульса чтения RD |
365 |
|
3.0tCLCL-10 |
|
нс |
15 |
tDVWH |
Действительность данных до появления лог.1 на WR |
375 |
|
3.0tCLCL |
|
нс |
16 |
tWLWH |
Длительность импульса записи WR |
365 |
|
3.0tCLCL-10 |
|
нс |
Таблица 140. Характеристики внешней памяти данных (4.5 - 5.5В, SRWn1 = 1, SRWn0 = 1)
|
Обозначение |
Параметр |
Генератор 8МГц |
Переменный генератор |
Ед.изм. |
||
мин. |
макс. |
мин. |
макс. |
||||
0 |
1/tCLCL |
Частота генератора |
|
|
0.0 |
16 |
МГц |
10 |
tRLDV |
Время подготовки данных после установки лог. 0 на RD |
|
325 |
|
3.0tCLCL-50 |
нс |
12 |
tRLRH |
Длительность импульса чтения RD |
365 |
|
3.0tCLCL-10 |
|
нс |
14 |
tWHDX |
Удержание данных после подачи лог. 1 на WR |
240 |
|
2.0tCLCL-10 |
|
нс |
15 |
tDVWH |
Действительность данных до появления лог.1 на WR |
375 |
|
3.0tCLCL |
|
нс |
16 |
tWLWH |
Длительность импульса записи WR |
365 |
|
3.0tCLCL-10 |
|
нс |
Таблица 141. Характеристики внешней памяти данных (2.7 - 5.5В, без состояний ожидания)
|
Обозначение |
Параметр |
Генератор 4МГц |
Переменный генератор |
Ед.изм. |
||
мин. |
макс. |
мин. |
макс. |
||||
0 |
1/tCLCL |
Частота генератора |
|
|
0.0 |
8 |
МГц |
1 |
tLHLL |
Длительность импульса ALE |
235 |
|
1.0tCLCL-15 |
|
нс |
2 |
tAVLL |
Действительность адреса А до низкого уровня ALE |
115 |
|
0.5tCLCL-10(1) |
|
нс |
3а |
tLLAX_ST |
Удержание адреса после установки низкого уровня на ALE во время записи |
5 |
|
5 |
|
нс |
3b |
tLLAX_LD |
Удержание адреса после установки низкого уровня на ALE во время чтения |
5 |
|
5 |
|
нс |
4 |
tAVLLC |
Действительность адреса С до низкого уровня ALE |
115 |
|
0.5tCLCL-10(1) |
|
нс |
5 |
tAVRL |
Действительность адреса до низкого уровня на RD |
235 |
|
1.0tCLCL-15 |
|
нс |
6 |
tAVWL |
Действительность адреса до низкого уровня на WR |
235 |
|
1.0tCLCL-15 |
|
нс |
7 |
tLLWL |
Время после установки низкого уровня на ALE до появления низкого уровня на WR |
115 |
130 |
0.5tCLCL-10(2) |
0.5tCLCL+5(2) |
нс |
8 |
tLLRL |
Время после установки низкого уровня на ALE до появления низкого уровня на RD |
115 |
130 |
0.5tCLCL-10(2) |
0.5tCLCL+5(2) |
нс |
9 |
tDVRH |
Готовность данных до появления высокого уровня на RD |
45 |
|
45 |
|
нс |
10 |
tRLDV |
Время подготовки данных после установки лог. 0 на RD |
|
190 |
|
1.0tCLCL-50 |
нс |
11 |
tRHDX |
Удержание данных после установки лог. 1 на RD |
0 |
|
0 |
|
нс |
12 |
tRLRH |
Длительность импульса чтения RD |
235 |
|
1.0tCLCL-15 |
|
нс |
13 |
tDVWL |
Время готовности данных до появления лог. 0 на WR |
105 |
|
0.5tCLCL-20(1) |
|
нс |
14 |
tWHDX |
Удержание данных после подачи лог. 1 на WR |
235 |
|
1.0tCLCL-15 |
|
нс |
15 |
tDVWH |
Действительность данных до появления лог.1 на WR |
250 |
|
1.0tCLCL |
|
нс |
16 |
tWLWH |
Длительность импульса записи WR |
235 |
|
1.0tCLCL-15 |
|
нс |
Прим.:
Здесь полагается 50%-ое заполнение синхронизирующих импульсов. Половина периода фактически равна длительности единичного импульса внешнего тактового сигнала на XTAL1.
Здесь полагается 50%-ое заполнение синхронизирующих импульсов. Половина периода фактически равна длительности нулевого импульса внешнего тактового сигнала на XTAL1.
Таблица 142. Характеристики внешней памяти данных (2.7 - 5.5В, SRWn1 = 0, SRWn0 = 1)
|
Обозначение |
Параметр |
Генератор 4МГц |
Переменный генератор |
Ед.изм. |
||
мин. |
макс. |
мин. |
макс. |
||||
0 |
1/tCLCL |
Частота генератора |
|
|
0.0 |
8 |
МГц |
10 |
tRLDV |
Время подготовки данных после установки лог. 0 на RD |
|
440 |
|
2.0tCLCL-60 |
нс |
12 |
tRLRH |
Длительность импульса чтения RD |
485 |
|
2.0tCLCL-15 |
|
нс |
15 |
tDVWH |
Действительность данных до появления лог.1 на WR |
500 |
|
2.0tCLCL |
|
нс |
16 |
tWLWH |
Длительность импульса записи WR |
485 |
|
2.0tCLCL-15 |
|
нс |
Таблица 143. Характеристики внешней памяти данных (2.7 - 5.5В, SRWn1 = 1, SRWn0 = 0)
|
Обозначение |
Параметр |
Генератор 4МГц |
Переменный генератор |
Ед.изм. |
||
мин. |
макс. |
мин. |
макс. |
||||
0 |
1/tCLCL |
Частота генератора |
|
|
0.0 |
8 |
МГц |
10 |
tRLDV |
Время подготовки данных после установки лог. 0 на RD |
|
690 |
|
3.0tCLCL-60 |
нс |
12 |
tRLRH |
Длительность импульса чтения RD |
735 |
|
3.0tCLCL-15 |
|
нс |
15 |
tDVWH |
Действительность данных до появления лог.1 на WR |
750 |
|
3.0tCLCL |
|
нс |
16 |
tWLWH |
Длительность импульса записи WR |
735 |
|
3.0tCLCL-15 |
|
нс |
Таблица 144. Характеристики внешней памяти данных (2.7 - 5.5В, SRWn1 = 1, SRWn0 = 1)
|
Обозначение |
Параметр |
Генератор 4МГц |
Переменный генератор |
Ед.изм. |
||
мин. |
макс. |
мин. |
макс. |
||||
0 |
1/tCLCL |
Частота генератора |
|
|
0.0 |
8 |
МГц |
10 |
tRLDV |
Время подготовки данных после установки лог. 0 на RD |
|
690 |
|
3.0tCLCL-60 |
нс |
12 |
tRLRH |
Длительность импульса чтения RD |
735 |
|
3.0tCLCL-15 |
|
нс |
14 |
tWHDX |
Удержание данных после подачи лог. 1 на WR |
485 |
|
2.0tCLCL-15 |
|
нс |
15 |
tDVWH |
Действительность данных до появления лог.1 на WR |
750 |
|
3.0tCLCL |
|
нс |
16 |
tWLWH |
Длительность импульса записи WR |
735 |
|
3.0tCLCL-15 |
|
нс |
Рисунок
156. Временная диаграмма внешней памяти
(SRWn1 = 0, SRWn0 = 0)
Рисунок
157. Временная диаграмма внешней памяти
(SRWn1 = 0, SRWn0 = 1)
Рисунок
158. Временная диаграмма внешней памяти
(SRWn1 = 1, SRWn0 = 0)
Рисунок
158. Временная диаграмма внешней памяти
(SRWn1 = 1, SRWn0 = 1)(1)
Прим.:
В последнем периоде (T4-T7) импульс ALE присутствует только в том случае, если следующая инструкция осуществляет доступ к ОЗУ (внутреннему или внешнему).