шпоры на экзамен / шпора11

Рост кристаллов.

Для роста зародышей, во всяком случае, на начальной стадии, необходимо образование двумерных конфигураций атомов - «плоских зародышей» и их присоединение к растущему кристаллику. Работа образования плоского зародыша будет равна F=1\2l, где l - периметр плоского зародыша.

работа образования плоского зародыша будет равна F=1\2l, где l - периметр плоского зародыша.

Рис.: Зависимость скорости образования кристаллов (n) и скорости роста кристаллов (v) от величины переохлаждения (T).

По мере роста кристалла его поверхность увеличивается и возрастает поверхностное натяжение. Иными словами растущий кристалл находится в напряженном состоянии для снятия напряжений необходимо пластическая деформация. Пластическая деформация может осуществляться как за счет образования и движения вакансий, так и за счет образования и движения дислокаций. Движение вакансий обеспечивает снятие напряжений только при низких скоростях роста кристаллов. При высоких скоростях роста кристаллов снятие напряжений происходит за счет образования и движения дислокаций. В местах выхода на поверхность кристаллов винтовых дислокаций образуются незарастаюшие ступеньки. К таким ступенькам пристраиваются одиночные атомы, и в местах выхода на поверхность кристалла винтовых дислокаций рост кристалла резко активизируется. Активный рост кристалла приводит к увеличению поверхностного натяжения, и как следствие, увеличивается плотность дислокаций. В местах выхода на поверхность винтовых дислокаций скорость роста кристалла вновь увеличивается. В итоге кристалл приобретает форму дендрита.