Список лаборатоных работ

по электронике

1. Исследование диода.

2. Исследование стабилитрона.

3. Исследование биполярного транзистора.

4. Исследование полевого транзистора.

5. Исследование усилителя на транзисторе.

6. Исследование ОУ при инвертирующем включении.

7. Исследование ОУ при неинвертирующем включении.

8. Исследование генератора.

9. Исследование генератора на ОУ.

10. Исследование ГЛИН.

11. Исследование мультивибратора.

12. Исследование логической схемы ДТЛ

13. Исследование логической схемы ТТЛ

14. Исследование КМОП-логики.

15. Исследование триггера.

16. Исследование счётчика.

17. Исследование дешифратора.

18. Исследование демультиплексора.

19. Исследование выпрямителя.

20. Исследование стабилизатора.

Лабораторная работа №

Тема: Снятие ВАХ полупроводникового диода

Цель работы: Изучение свойств полупроводникового диода путём снятия и исследования ВАХ.

Краткие теоретические сведения

Диод проводит прямой ток только тогда, когда падение напряжения на нём превысит величину напряжённости потенциального барьера. Потенциальный барьер германиевых диодов составляет (0,3 ÷ 0,4)В, для кремниевых диодов - (0,6 ÷ 0,8)В. Обратный ток диода значительно меньше прямого тока (обратите внимание на различный масштаб измерения для прямого и обратного тока). Обратный ток существует за счёт неосновных носителей зарядов и увеличивается с повышением температуры.

Программа исследования

1. Найдите в библиотеке САПР элементы, соответствующие схеме.

2. Последовательно соберите схемы, сначала согласно рисунку 1, а при втором этапе исследования, согласно рисунку 2. Подключите измерительные приборы.

3. Сделайте снимок построенной схемы.

4. Снимите последовательно зависимость Inp=f(Unp) , а затем, Iобр=f(Uo6p) для диода. Напряжения источника питания (Uист.пит.) задавать в его свойствах (Properties).

5. Полученные данные (округлённые до сотых значений ампера при прямом включении и до десятых мкА при обратном включении диода) занесите в таблицу 1.

6. Постройте ВАХ диода

7. Определите прямое и обратное сопротивления диода.

8. Напишите вывод. Вывод должен содержать описание теоретических положений, подтверждённых экспериментально в процессе выполнения работы

Таблица 1
Прямое включение			Обратное включение
Uист. пит.В1	Uпр	Iпр	Uист. пит.В2	Uобр	Iобр
В	В	A	В	В	мкA
0,2			40
0,4			50
0,6			60
0,7			80
0,75			100
0,8			120
0,85			140
0,9			160
0,95			180
1			200
			220

Контрольные вопросы

1. В чём отличие точечных диодов от плоскостных?

2. Каковы основные параметры полупроводниковых диодов?

3. Как влияет температура на характеристики и параметры полупроводниковых диодов?

4. Какова область применения точечных и плоскостных диодов?

5. Какой диод исследовался вами в данной работе?

а) точечный, б) плоскостной, в) германиевый, г) кремниевый.

Вывод:

Лабораторная работа №

Тема: Снятие ВАХ стабилитрона.

Цель работы: Изучение свойств полупроводникового стабилитрона путём практического снятия и исследования ВАХ.

Краткие теоретические сведения

Стабилитроном -это диод, предназначенный для стабилизации уровня постоянного напряжения. По конструкции стабилитроны всегда плоскостные и кремниевые. Принцип действия стабилитрона основан на том, что на его вольтамперной характеристике имеется участок, на котором напряжение практически не зависит от величины протекающего тока.

Таким участком является участок электрического пробоя, а за счёт легирующих добавок в полупроводник ток электрического пробоя может изменяться в достаточно широком диапазоне, не переходя в тепловой пробой. Так как участок электрического пробоя – это обратное напряжение, то стабилитрон включается в обратном включении

Основными параметром стабилитрона является напряжение стабилизации - значение напряжения на стабилитроне при протекании через него заданного тока.

Программа исследования

9. Найдите в библиотеке САПР элементы, соответствующие схеме.

10. Последовательно соберите схемы, сначала согласно рисунку 1, а при втором этапе исследования, согласно рисунку 2. Подключите измерительные приборы.

11. Сделайте снимок построенной схемы.

12. Снимите последовательно зависимость Inp=f(Unp) , а затем, Iобр=f(Uo6p) для диода. Напряжения источника питания (Uист.пит.) задавать в его свойствах (Properties).

13. Полученные данные занесите в таблицу 1.

14. Постройте ВАХ диода

15. Напишите вывод. Вывод должен содержать описание теоретических положений, подтверждённых экспериментально в процессе выполнения работы

Таблица 1
Прямое включение			Обратное включение
Uист. пит.В1	Uпр	Iпр	Uист. пит.В2	Uобр	Iобр
В	В	мA	В	В	мA
0,2			2
0,4			4
0,6			6
0,7			7
0,8			8
0,9			9

Контрольные вопросы

1. Расскажите о конструкции, маркировке и условном графическом обозначения стабилитронов.

2. Каковы основные параметры стабилитронов?

3. Как влияет температура на характеристики и параметры стабилитронов?

4. Какова область применения стабилитронов?

5. Куда девается разность напряжений между Uист. пит.и Uобр?

Вывод:

Лабораторная работа №

Тема: Исследование транзистора по схеме с общим эмиттером.

Цель работы: Снятие характеристик биполярного транзистора.

Программа исследования:

1. Найдите в библиотеке сапр элементы, соответствующие схеме.

2. Соберите схему, согласно рисунку 1. Подключите измерительные приборы.

3. Сделайте снимок построенной схемы.

4. Снять входные характеристики транзистора для двух значений выходного напряжения: Uкэ=0; Uкэ= -5В. Полученные значения занести в таблицу 1. (Номинальные значения тока и напряжения задаются в свойствах питающих элементов).

5. Снять выходные характеристики транзистора. Полученные значения занести в таблицу 2.

Построения и расчеты:

1. По данным таблицы 1 построить входные характеристики транзистора.

2. По данным таблицы 2 построить выходные характеристики транзистора.

3. По входной характеристике определить входное сопротивление транзистора h11= ΔUбэ/ΔIб

4. По выходной хараетеристике транзистора определить коэффициент усиления по току h21= ΔIк/ΔIб

5. Напишите вывод. Вывод должен содержать описание теоретических положений, подтверждённых экспериментально в процессе выполнения работы.

Рисунок 1. Схема соединений

Таблица 1 Таблица 2

Uкэ=0В		Uкэ=5В				Iб=100мкА	Iб=200мкА	Iб=300мкА	Iб=400мкА	Iб=500мкА
Iб	Uбэ	Iб	Uбэ		Uкэ В,	Iк, мА	Iк,, мА	Iк, мА	Iк, мА	Iк, мА
мкА	В	мкА	В		1
0					5
1					10
10					15
100					20
300
400
500

Контрольные вопросы

1. Укажите основные особенности включения транзистора с общим эмиттером.

2. Какую зависимость выражает выходная характеристика транзистора по схеме с общим эмиттером?

3. Как влияет величина напряжения на участке коллектор – эмиттер на положение коллекторный ток транзистора?

4. Приведите соотношение между коэффициентом усиления по току в схеме с общим эмиттером и общей базой.

Вывод:

Лабораторная работа №

Тема: Исследование полевого транзистора

Цель работы: Снятие переходных и выходных характеристик полевого транзистора

Программа исследования