2. Схема включения транзистора с общим эмиттером

Для измерения статических ВАХ БТ в схеме с ОЭ используется схема на рис.12. Входными характеристиками транзистора при включении с ОЭ являются зависимости тока базы or напряжения между базой и эмиттером при постоянных напряжениях на коллекторе: I_б=f(U_бэ) при U_кэ=const (в лабораторной работе U_кэ =0,5, 10 В), рис.5-а. Выходные характеристики БТ в схеме с ОЭ представляют собой зависимости тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при неизменных значениях тока базы: I_к=f(U_кэ), при I_б=const (в лабораторной работе I_б =50; 100; 200; 300; 400; 500 мкА), рис.5-б.

Для измерения входных ВАХ используются:

G1(ГT) - генератор тока стенда;

G2(ГН2) - генератор напряжения стенда;

РА1(I_б) – АВМ2 на пределе "0,5 мА " (или ИП в режиме "ГТ 1 мА");

PV1(U_бэ) – АВО на пределах измерения "0,5 В" и "0,1В";

РА2(I_к) - не испопользуют, а гнезда Х7 и Х8 закорачивают;

PV2(U_кэ) - измеритель выхода ИВ при положении переключателя "ГН2 25В".

Рис. 12

При измерении входной характеристики при U_кэ=0 генератор напряжея G2 не подключают, а гнезда X11 и Х12 закорачивают.

Для измерения выходных ВАХ используются:

G1(ГT) - генератор тока стенда;

G2 - генератор напряжения стенда (ГН2) при U_кэ = 2, 1, 6, 8, 10 В и (ГН1) при U_кэ = 0,2; 0,4; 0,6; 1; 1,5 В;

РА1(I_б) - АВМ2 на пределах измерения "10 мА", "5 мА", "1 мA", "0,5 мA";

PV1(U_бэ) - не используется;

РА2(I_к) – ABM1 на пределах измерения " 50 мA", "10 мА", "5 мА", "1 мА", "0,5 мА";

PV2(U_кэ) - ИВ стенда, подключаемый к выходу ГН2 или ГН.

Полученные результаты заносятся в таблицы 5 и 6 для входных и выходных ВАХ, соответственно.

Таблица 5

Ток базы Iб, мкА		50		100		200		300		400		500
Напряжение база - эмиттер Uэб, В при напряжении коллектор - эмиттер Uкэ, В	0
	5
	10

Таблица 6

Напряжение коллектор - эмиттер Uкэ, В		0,2	0,4	0,6	1	1,5	2	4	6	8	10
Ток коллектора Iк, мА при токе базы Iб, мкА	50
	100
	200
	300
	400
	500

Пользуясь данными табл.5 и 6 , построить сходные I_б(U_бэ) и выходные I_к(U_кэ) ВАХ для схемы с ОЭ. Нанести на эти графики усредненные ВАХ исследуемого транзистора, используя для этого справочные пособия, и рассчитанную гиперболу предельной рассеиваемой мощности.

При усилении малых сигналов БТ, включенный по схеме с ОЭ, можно представить в виде линейного четырехполюсника, рис.10-б. входные и выходные электрические величины которого связаны уравнениями:

Дифференциальные h-параметры для схемы с ОЭ рассчитываются по формулам, полученным из выше приведенных уравнений:

Для расчета используется входная ВАХ, рис.13-а, проходящая через рабочую точку N ( , ). Через точку N проводится касательная к характеристике и строится треугольник BCD. Тогда, согласно выражению для , расчетное соотношение будет:

Для определения , выбираются две входные ВАХ, измеренные при различных выходных напряжениях ( ), рис. 13-б, и через точку проводится линия , соответствующая холостому ходу по переменному току на входе транзистора. Точки пересечения этой линии и ВАХ проецируют на ось , определяют и рассчитывают по известной формуле.

Рис.13

Для нахождения семейства выходных ВАХ пересекают линией , рис.13-в, что соответствует короткому замыканию по переменному току на выходе транзистора. Задаваясь приращением в окрестности рабочей точки N, графически определяем и по известной формуле находим .

Для определения выбирают из семейства выходных ВАХ характеристику, измеренную при . Задаваясь приращением пределах линейного пологого участка ВАХ, графически находится соответствующее приращение тока в рассчитывается , рис.13-г.

В качестве исходных параметров рабочей точки БТ в схеме с ОЭ предлагается использовать =5В и 200mkA. Остальные параметры рабочей точки должны быть измерены.

Значения h-параметров для схем включения с ОБ и ОЭ занести в таблицу 7 и провести сравнительный анализ величин одноименных параметров.

Таблица 7

Схема включения БТ	Параметр
ОБ
ОЭ (активный режим)
ОЭ (насыщение)
ОЭ (отсечка)

По ВАХ транзистора в схеме с ОЭ оценить значения h-параметров в режимах насыщения и отсечки, занести в таблицу 5 и провести сравнительный анализ с аналогичными параметрами для активного режима.