
- •Курсовая работа
- •Сумы 2002 Содержание
- •Введение
- •1 Выбор принципиальной схемы
- •Расчет выходного каскада
- •Описание схемы
- •Выбор выходных транзисторов
- •Выбор режима работы по постоянному току и построение линий нагрузки
- •Определение основных параметров выходного каскада
- •3 Расчет предоконечного каскада
- •Расчет промежуточного каскада
- •5 Расчет входного каскада
- •6 Уточнение параметров схемы и расчет обратной связи
- •7 Расчет элементов связи
7 Расчет элементов связи
Распределение фазовых сдвигов:
Для входного каскада:
(7.1)
(7.2)
Для промежуточного каскада:
(7.3)
(7.4)
Резистор Rф и конденсатор Сф служат для устранения положительной обратной связи, возникающей в следствии конечного внутреннего сопротивления источника питания усилителя. Внутреннее сопротивление источника питания приблизительно равно 0,01Ом. На шине Eп возникает пульсация напряжения, вызываемая током выходного транзистора усилителя. Протекает большой ток. Если не принять дополнительных мер, то эти пульсации напряжения будут передаваться на вход трансформатора VT в этом случае может образоваться положительная обратная связь, которая приведёт к самовозбуждению (генерации колебаний) усилителя. Для предотвращения этого отрицательного эффекта применяется низкочастотный фильтр.
Сопротивление Rф:
(7.5)
Ёмкость
конденсатора Cф:
(7.6)
Для предоконечного каскада:
(7.7)
(7.8)
Для выходного каскада:
(7.9)
Допустимые рабочие напряжения на конденсаторах выбираются из условия:
(7.10)
где Ek напряжение питания каскада.
Для
выходного и предоконечного каскадов
,
а для остальных каскадов
.
Полученное значение округляется в
сторону большего стандартного значения
для типовых значений напряжений.
-
R1, R2, R5, R6, R9, R10, R13, R14
ВС10,1256,2кОм10%
R3, R7, R11, R15
ВС1168Ом10%
R4, R8, R12, R16
ВС10,530Ом10%
R17
ВС10,1253,9МОм10%
R18, R19,
ВС10,125240кОм10%
R20
ВС10,12513кОм10%
R21, R22
ВС10,1251кОм10%
Rн
ВС12011Ом10%
Rф
ВС1162Ом10%
Rос
ВС10,12522кОм10%
R’
ВС12010Ом10%
С1
К50650В2мкФ(20+80)%
С2, С4, С6, С8
К50610В10мкФ(20+80)%
С3, С5, С7
К50616В5мкФ(20+80)%
С9
К5093В0,5мкФ(10+100)%
С10
К75421600В0,0033мкФ10%
С11
К50610В50мкФ(20+80)%
Сф
К502250В1500мкФ(20+50)%
VT1VT5
KT3102A
VT6
КТ814Б
VT7
KT815Б
VT8,VT9
KT817Б
VD1VD6
Д2Ж
Литература
1. Аронов В.А., Баюков А.В. и др. Полуроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник. М.: Энергоиздат, 1982.
2. Гальперин Н.В. Практическая схемотехника в промышленной электронике. М.: Радио и связь, 1987.
3. Гершунский Б.С. Справочник по расчету электронных схем. К.: Изд-во при Киев. ун-те, 1983.
4. Гитцевич А.Б., Зайцев А.А. и др. Полупроводниковые приборы. Диоды выпрямительные, стабилитроны, тиристоры: Справочник. М.: КубК-а, 1996.
5. Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. М.: Энергоатомиздат, 1988.
6. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника. М: Радио и связь, 1985.
7. Гутников В. С. Интегральная электроника в измерительных устройствах. М.: Энергоатомиздат, 1988.
8. Доршков А.В., Полонский А.Д. Методические указания к курсовому проекту “Проектирование усилителя низкой частоты”. Сумы: СФТИ, 1993.
9. Дьяконов М.Н., Карабанов В.И. и др. Справочник по электрическим конденсаторам. М.: Радио и связь, 1983.
10. Забродин Ю.С. Промышленная электроника. М.: Энергоатом-издат, 1988., 1982.
11. Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. М.: Радио и связь, 1984.
12. Манаев Е.И. Основы радиоэлектроники. М.: Энергоатомиздат, 1985.