
- •Квантовые переходы.
- •Связь между коэффициентами Эйнштейна.
- •Релаксационные безызлучательные переходы.
- •Ширина и форма спектральной линии.
- •Естественное уширение спектральной линии.
- •4.2 Доплеровское уширение.
- •4.3 Столкновительное уширение.
- •4.4 Уширение за счет внешних и внутренних электрических и магнитных полей.
- •Усиление электромагнитного излучения.
- •5.1 Двухуровневая система.
- •5.2 Отрицательная абсолютная температура.
- •5.3 Перевод активного вещества в состояние инверсной населенности.
- •5.4 Двухуровневая система.
- •5.5 Трехуровневая система.
- •5.6 Четырехуровневая схема.
- •Особенности практической реализации схем накачки.
- •Стационарный и нестационарный режим работы лазера.
4.3 Столкновительное уширение.
Вследствие теплового движения частиц в ансамбле между ними происходят столкновения, приводящие к дополнительному уменьшению времени жизни верхнего уровня, что в свою очередь вызывает дополнительное уширение спектральной линии по механизму, аналогичному естественному уширению. Форма контура линии, таким образом, остается Лоренцевой:
С
той разницей, что вместо
будет
,
где
-
время релаксации.
4.4 Уширение за счет внешних и внутренних электрических и магнитных полей.
В основе данного механизма лежат эффект Зеемана (расщепление спектральной линии в магнитном поле) и эффект Штарка (расщепление спектральной линии в электрическом поле). Если расщепление линии вследствие этих механизмов меньше ширины самой линии, вместо расщеплениz получается уширение этой линии.
Уширение спектральной линии может быть однородным и неоднородным. В случае однородного уширения линии каждого атома и системы в целом уширяются одинаково, уширение называется неоднородным, если резонансные частоты отдельных атомов не совпадают, а распределяются в некоторой полосе частот, приводя к уширению линии системы значительно большему, чем уширение линий отдельных атомов. К однородному уширению относят естественное и столкновительное уширение, а к неоднородному – Доплеровское.В случае однородного уширения линия имеет Лоренцеву форму, а в случае неоднородного – Гауссову.
Усиление электромагнитного излучения.
Известно, что при индуцированном излучении квантовой системы получается фотон с параметрами тождественными параметрам вынуждающего фотона. Этот процесс ложится в основу усиления ЭМВ.
5.1 Двухуровневая система.
Рассмотрим прохождение плоской волны через среду, в единице объема которой N1атомов находится в состоянии E1 и N2 – в состоянииE2.
При этом энергия кванта равна энергии перехода = Е2 - Е1. Определим изменение интенсивности волны, прошедший через слой веществтолщинойdz. Количество поглощенных квантов составляет
,
количество
квантов испущенных за счет индуцированного
излучения составит
Сечение
слоя в плоскости перпендикулярной
для простоты примем равной единице.
Вкладом спонтанного излучения в волну
пренебрежём, поскольку оно ненаправленное
и некогерентное.
Где
n-показатель
преломления вещества,
– форма спектральной линии.
Если учестьстатистические веса уровней, т.е. что q1B12= q2B21,То уравнение будет иметь вид
Из формулы видно, что при различном соотношении q1B12и q2B21 возможны три различных варианта изменения интенсивности:
N1/q1>N2/ q2- поглощение веществом энергии из волны;
N1/q1<N2/ q2- усиление волны в веществе;
N1/q1= N2/ q2- просветление вещества.
Обозначим
Тогда получаем соотношение
а в интегральном виде оно приобретает вид закона Бугера:
5.2 Отрицательная абсолютная температура.
Пусть система находится в состоянии термодинамического равновесия, в этом случае для любой температуры заселенность энергетических уровней описывается распределением Больцмана:
Из которого напрямую следует, что
Таким образом, инверсная населенность формально соответствует отрицательной абсолютной температуре электронной подсистемы. Это означает, что инверсная населенность не может существовать в состоянии теплового равновесия, т.е. является состоянием неравновесным.
Соответственно, даже созданная инверсная населенность может существовать только очень ограниченное время и самопроизвольно релаксирует. Время релаксации, в зависимости от особенностей системы, может колебаться от долей наносекунд до нескольких миллисекунд.