
- •Раздел 1. Светолучевая сварка
- •1.1 Светолучевая технологическая установка. Принципиальная оптическая схема
- •1.2 Нагрев тонкой пластины светом
- •1.3 Зависимость плотности мощности от конструктивных параметров оптической системы светолучевой технологической установки
- •Раздел 2. Постулаты Эйнштейна − физические основы лазерной генерации света.
- •2.1 Постулаты Эйнштейна.
- •2.2 Спектральные коэффициенты Эйнштейна. Контур линии поглощения (излучения). Ширина линии
- •2.3 Механизм лазерной генерации света
- •РАздел 3. Мощность лазерного излучения
- •3.1 Интенсивность светового потока
- •3.2 Поглощение и усиление света в среде. Коэффициент усиления
- •3.2.1 Закон Ламберта-Бугера-Бэра
- •3.2.2. Мощность поглощения, коэффициенты поглощения и усиления
- •3.3 Оптическое возбуждение лазерной среды. 3-х и 4-х уровневые схемы генерации
- •3.4 Принципиальная схема лазера с оптической накачкой.
3.3 Оптическое возбуждение лазерной среды. 3-х и 4-х уровневые схемы генерации
Рассмотрим возбуждения лазерного среды оптической накачкой, т.е. светом. Если свет лампы-накачки или светового диода будет переводить в результате поглощения активные атомы из состояния 1 в состояние 2, то с равной вероятностью эти кванты будут вызывать переходы в обратном направлении, согласно свойств вынужденных переходов, а именно:
Поскольку
,
то населенность уровня 2 будет уменьшаться
быстрее, чем
населенность уровня
1 из-за наличия спонтанных переходов,
имеющих вероятность
.
В результате этого мы при очень больших
значениях плотности электромагнитного
излучения
можем достичь в лучшем случае равных
населенностей уровня 1 и 2, но не условия
,
как этого требует уравнение (3.9).
Итак, если в атоме есть
только два уровня, то при оптическом
возбуждении невозможно осуществить
такое состояние коллектива атомов,
когда
.
Для этого в атоме необходимо иметь еще
один уровень, третий, через который
будет заселяться верхней лазерный
уровень (ВЛУ). Такая схема уровней
показана на рис 3-3.
Рис. 3-3.
При поглощении света лампы-накачки атом
переходит с уровня 1 на уровень 2.
Желательно, чтобы поглощение с переходом
атома на уровень 2 происходило в широком
спектральном диапазоне, что может
существенно повысить коэффициент
полезного действия лазера (КПД).
Возбужденный атом из состояния 2 за
время примерно
переходит либо на уровень 1, спонтанно
и вынужденно излучая, или на уровень 3
(ВЛР), теряя энергию на тепло. Время жизни
атома на уровне 3 должно составлять не
менее
.
Вследствие таких соотношений времен
жизни уровней 2 и 3 можно сильно заселить
уровень 3 и добиться такого состояния
активной среды, когда
и тогда
.
Если на уровне 2 населенность
,
то с большой точностью справедливо
соотношение
,
где
– концентрация активных атомов в
лазерном среде; и условие
может быть выполнено только тогда, когда
,
или
.
То есть, значение можно достичь лишь в том случае, когда на уровень 3 будет переселено более половины всех атомов. Итак, на переходе атома из состояния 3 в состояние 1 при определенных условиях может возникнуть лазерная генерация.
Такая схема уровней активной лазерной среды называется 3-х уровневой схемой генерации.
Рассмотрим схему уровней, показанную на рис. 3-4, где есть 4 уровня энергии.
Рис. 3-4.
Свет лампы накачки поглощается с уровня
1 на уровень 2, на котором активный атом
живет
и переходит частично на уровни 1 и 3. На
уровень 1 переход происходит как
вследствие спонтанных переходов, так
и вынужденных. Уровень 3, как и в случае
3-х уровневой схемы генерации,
метастабильный, т.е.
.
Лазерная генерация происходит между
уровнями 3 и 4. Уровень 4 имеет, во-первых,
малое время жизни
,
а, во-вторых,
.
В этом случае согласно распределению
Больцмана:
Населенность уровня
будет малой, такой что
.
Тогда
:
(3.10)
будет больше нуля при малейшем заселении уровня 3. Такая схема уровней активного атома в лазерном среде называется 4-х уровневой и она энергетически намного выгоднее 3-х уровневой.