
Порядок виконання роботи
Ознайомитись з лабораторним стендом, електрична схема якого зображена на рис. 2.2 та до складу якого входять: досліджувані світлодіоди різних типів (3 шт.); лампа розжарення; вузол комутації; вимірювальні прилади (мультиметри типу); змінний резистор; імпульсне джерело живлення.
|
Рис.2.2. Електрич-на схема лабораторного стенда. |
Зняти ВАХ СД різного кольору світіння та лампи розжарення, змінюючи величину прямого струму.
Результати вимірювань занести в таблицю 2.1.
Таблиця 2.1 – Результати вимірювань
Колір світіння СД1 |
|||||||||
Іпр, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
U, B |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Колір світіння СД2 |
|||||||||
Іпр, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
U, B |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Колір світіння СД3 |
|||||||||
Іпр, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
U, B |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Лампа розжарення |
|||||||||
Іпр, мА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
U, B |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
На основі експериментальних даних побудувати залежності величини прямого струму від напруги для СД різних типів та лампи розжарення. Порівняти їх.
Контрольні питання
Дати означення і пояснити фізичні основи роботи світловипроміюючих діодів.
Дати означення люмінесцентних матеріалів та назвати вимоги до них.
Пояснити поняття інжекції та рекомбінації носіїв електричного струму, тунельного струму.
Назвати основні параметри і характеристики СД.
Які оптоелектронні пристрої створені на основі СД?
Перерахувати галузі застосування та назвати перспективи розвитку світлодіодної техніки.
У чому принципова відмінність люмінесценції від теплового випромінювання?
Поясніть причини відмінності ВАХ СД і ЛР.
Лабораторна робота № 3
Дослідження робочих параметрів і характеристик оптронів
Мета роботи: Вивчення фізичних процесів та конструктивно-технологічних особливостей оптопар; ознайо-митися з роботою елементарного оптрона з відкритим оптичним каналом, одержати навички роботи з оптоелектронними приладами; зняти передатну характеристику оптрона різних варіантів виконання, визначити його основні параметри.
Елементи теорії. Оптроном називається напівпровід-никовий прилад, в якому конструктивно обєднані джерело та приймач випромінювання, повязані між собою оптичним звязком. У джерелі випромінювання електричні сигнали перетворюються в світлові, які діють на фотоприймач та створюють у ньому знову ж електричні сигнали. Якщо оптрон має тільки один випромінювач та один приймач випромінювання, то його називають оптопарою або елементарним оптроном. Мікросхема, яка складається із однієї або декількох оптопар з додатковими пристроями для узгодження та підсилення сигналу, називається оптоелектронною інтегральною мікросхемою. На вході та виході оптрону завжди є електричні сигнали, а звязок входу і виходу відбувається завдяки світловому сигналу.
Найпоширенішими є оптрони із внутрішнім оптичним зв'язком (рис.3.1). Основні схемотехнічні можливості оптронів визначаються переважно характеристиками фотоприймача. Його особливості визначають такі різновиди оптронів (рис.3.1): транзисторні; діодні; резисторні; тиристорні; зі складеним транзистором.
Транзисторні оптрони (рис.3.1,а) характеризуються схемотехнічною гнучкістю, мають високе значення коефіцієнта передачі по струму, але відносно невисоку швидкодію (τвкл= 2...5 мкс).
Діодні оптрони (рис.3.1,б), виготовлені в основному з використанням p-i-n фотоприймачів, відрізняються найбільшою швидкодією (аж до 10-8 с). Однак тут коефіцієнт передачі по струму становить одиниці відсотків. Важливою особливістю діодних оптронів є здатность працювати у фотовентильному режимі без зовнішньої напруги на фотоприймачі. При цьому оптрон виконує функції керованого ізольованого джерела живлення.
Рисунок 3.1 – Різновиди оптронів: а – транзисторні; б – діодні; в – резисторні, г – тиристорні; д – зі складеним транзистором
Резисторні оптрони (рис.3.1,в) характеризуються лінійністю та симетричністю вихідної вольт-амперної характеристики, відсутністю внутрішніх ЕРС, високою кратністю відносин RT/RФ, (від 104 до 107 ). Тому незважаючи на значну інерційність ( 10-1 ...10-2 с), резисторні оптрони мають важливе самостійне значення. Тиристорні оптрони (рис.3.1, г) придатні для комутації потужнострумових ланцюгів (Uком= 50...600 В, Jком = 0,1...10 А) радіоелектронного та електротехнічного (Uком= 100...1300 В, Jком - 0...320 А) призначень. При більших потужностях навантаження тиристорні оптрони по входу сумісні з ІМС.
Оптрони зі складеними транзисторами (рис.3.1, д) відрізняються більшими коефіцієнтами передачі струму.
За функціональною ознакою розрізняють такі види оптронів: інформаційні, керуючі, лінійні, енергетичні.
Ця термінологія поширюється й на оптронні інтегральні мікросхеми.
Інформаційні оптрони – прилади, призначені для високошвидкісної передачі цифрової інформації з гальванічно розв'язаного ланцюга. Ця група знаходить масове застосування й містить у собі діодні та транзисторні оптрони й перемикальні ОЕІМС.
Керуючі оптрони призначені для безконтактного керування потужнострумовими високовольтними ланцюгами. Типовими представниками цієї групи є тиристорні й транзисторні оптрони, оптореле й почасти резисторні оптрони.
Лінійні оптрони застосовуються для неспотвореної передачі аналогових сигналів по гальванічно розв'язаному колу. Це діодні й резисторні оптрони, у деяких випадках транзисторні.
Енергетичні оптрони являють собою діоді оптрони, які є ізольованими вторинними джерелами живлення.
У типовій сучасній конструкції оптронів необхідно не тільки використовувати високоефективні складені елементи, але й забезпечити їхнє узгодження за спектральними характеристиками, швидкодією, габаритними розмірами, температурними властивостями.
Оптимальними, виходячи із властивостей джерел світла й фотоприймачів, є такі комбінації:
– Si p-i-n фотодіод з випромінювачами GaAs(Zn), GaAlAs і GaAs , які добре погоджуються за спектром і швидкодією,
– Si фотодіод Шотткі за спектром, задовільно погоджується за спектром з Ga(N), GaAlAs випромінювачами, однак його швидкодія значно нижче, ніж у фотоприймача;
– GaAlAs - гетерофотодіод, відмінно погоджується за всіма показниками (у тому числі й технологічним) з GaAlAs- гетеросвітлодіодом;
– Si- фототранзистори й фототиристори, через відносно невисоку швидкодію найкраще використовувати з GaAs(Si)-випромінювачем;
– CdS, CdSe - фоторезистори за спектром добре погоджуються з Ga- і GaAs-випромінювачами та лампочками розжарювання.
Оптрони з відкритим каналом характеризуються більш широкими функціональними можливостями. У цих приладах випромінювання при проходженні від випромінювача до приймача може бути промодульовано додатково шляхом впливу на оптичні характеристики середовища.
Найбільш простий випадок – зміна ступеня поглинання випромінювання середовищем (амплітудна модуляція). При проходженні випромінювання через речовину відбувається зменшення інтенсивності випромінювання за законом Бугера-Ламберта: I=I0*( 1-R)*exp(-kх), де I0 – інтенсивність падаючого променя, х – товщина поглинаючого середовища, k – показник поглинання, величина якого залежить від і речовини середовища, R – коефіцієнт відбиття.