5. Эквивалентная полусхема для дифференциальной составляющей сигнала.

Если на дифференциальный вход схемы (рис 6.3) подать только разностный сигнал , то токи в каждом плече будут изменяться в противофазе. При этом напряжение Uэ, лежащее на соединительных линиях Uэ1 и Uэ2 не будет изменяться, что равносильно тому, что эта линия, фактически, заземлена. Тогда эквивалентная полусхема для дифференциальной составляющей сигнала может быть представлена в следующем виде:

а)

б)

рис 6.5 Эквивалентная полусхема для дифференциального сигнала.

Тогда

Если ; , то

.

Способность схемы ДК усиливать дифференциальные сигналы и ослаблять синфазные (Ксс << 1) определяется коэффициентом ослабления синфазного сигнала

6. Анализ несбалансированного дк.

В реальной ДК величины параметров транзисторов и резисторов правой и левой половины не одинаковы из-за технологического разброса при изготовлении интегральных микросхем (ИС).

Введём следующие технологические разбросы

рис 6.6

Из рис 6.6 видно, что входной синфазный сигнал является причиной появления нежелательного дифференциального сигнала.

, если .

Такой же эффект можно получить из-за разброса , т.е. если .

(Влияние относительных разбросов и достаточно полно изложены в [?] )

Влияние технологического разброса можно проиллюстрировать следующим образом (рис 6.7.)

рис 6.7

где - коэффициент передачи (трансформации) синфазного сигнала в дифференциальный.

Теперь можно представить, что выходной (нежелательный) сигнал U’выхд как бы возник под действием некого входного дифференциального сигнала U’вхд (рис 6.8).

Из сравнения рис 7 и рис 8 находим коэффициент подавления синфазных сигналов K’осл ф несбалансированного ДК.

- коэффициент ослабления синфазного сигнала реального ДК.

рис 6.8

Рассматривая эквивалентную схему ДК с учётом влияния разбросов µэк и Ук, покажем, что именно эти параметры вносят основной вклад в величину Кдс.

рис 6.9

Входной синфазный сигнал приводит к модуляции ширины базы. Этот эффект на эквивалентной схеме на рис 6.9 (?) представлен в виде эквивалентного источника тока.

тогда

7. Точностные параметры дк.

В статистическом решение из-за разброса коллекторных токов появляется дифференциальный сигнал

_{Приведя его ко входу, получим напряжение смещения нуля}

_.

_{Напряжение обусловлено тремя составляющими:}

_{- разбросом ширин баз транзисторов ,}

_{- разбросом разбросом коэффициентов усиления}

_-

Список рекомендуемой литературы.

Основная:

[1] Степаненко И.П. Основы микроэлектроники: Учеб для вузов. – 2-е изд., перераб. И доп. – М.: Лаборатория Базовых Знаний, 2004

[2] Мочалкина О.Р., Белова Г.Ф. Практикум по курсу «Технология интегральных микросхем».-М.:МИФИ, 1988

[3] Титце и Шенк

73