1.8. Задание 3

Схема 1.2, сопротивления как в примере 3. Найти , , . Варианты исходных данных приведены в табл. 6 .

Таблица 6

№	Мн	fн, Гц
1	1,2	15
2	1,3	20
3	1,3	30
4	1,4	50
5	1,3	40
6	1,35	100
7	1,45	30
8	1,32	80
9	1,35	50
10	1,38	120
11	1,28	70
12	1,3	80
13	1,25	50
14	1,4	60
15	1,6	20
16	1,4	40
17	1,3	70
18	1,5	30
19	1,4	50

Расчет усилителя в области ВЧ. Уменьшение коэффициента усиления в области высоких частот характеризуется коэффициентом частотных искажений М_В.

, где _В=_+_К.

На верхнюю частоту оказывают влияние 2 фактора: зависимость и влияние . С увеличением частоты  уменьшается и на граничной частоте f_ доходит до значения 0,707 от начального. Уменьшение  обусловлено накоплением и рассасыванием носителей заряда в базе биполярного транзистора. Это аналогично наличию емкости (диффузионной), которая перезаряжается с постоянной времени _.

Емкость С_К^* подключена параллельно выходу, шунтирует выход на высоких частотах и характеризуется постоянной времени _К.

.

В справочниках на транзисторы указываются обычно и

Пример 4. Найти верхнюю частоту f_В в схеме ОЭ, если

_{f=1 МГц; СК}^*_{=50 10}^-12 _{Ф; r}^*_{к =20 кОм; RК=5 кОм; RН=5 кОм; МВ=1,4.}

Если верхняя частота полосы пропускания должна быть больше 600 кГц, надо выбрать транзистор с большей f_ . Можно поставить обратную задачу: известна верхняя граница полосы пропускания f_В, найти, чему должна быть равна граничная частота транзистора f_ при заданных частотных искажениях на высоких частотах.

1.9. Задание 4.

Найти верхнюю частоту f_в полосы пропускания усилителя при следующих условиях (табл. 7)

Таблица 7

№	RК,кОм	Rн,кОм	fᵝ,МГц	C*К,пФ	rк*, Ом	МВ
1	4	2	3	20	50	1,3
2	5	4	4	30	40	1,4
3	10	5	1	45	45	13
4	11	7	4	35	60	1,1
5	6	3	5	20	25	1.6
6	4	5	2	50	46	1.5
7	6	9	10	60	35	1,2
8	2	5	15	30	50	1,4
9	6	2	12	25	58	1,3
10	12	4	5	55	45	1.25
11	13	6	3	48	35	1,32
12	8	5	2	56	58	1,28
13	6	3	6	30	60	1,38
14	3	1	5	25	60	1,6
15	5	2	8	60	55	1,4
16	3	3	5	50	40	1,5