Задание к работе в лаборатории

1. Записать паспортные данные исследуемого транзистора и зарисовать схему расположения выводов.

2. Собрать в соответствии с типом канала исследуемого ПТ схему, представленную на рис.3.4. Определить экспериментально напряжение отсечки ПТ. Напряжение U_ЗИ.ОТС (как условно принято на заводах- изготовителях маломощных транзисторов), соответствует определенному току стока, например, равному 10 мкА для ПТ типа КП103, КП305, при напряжении V_СИ=10В.

3. Снять передаточные характеристики I₀=f(V_ЗИ) при V_СИ = 5 и 10 В. При снятии характеристик задавать 8 - 10 значений управляющего напряжения V_ЗИ, в том числе V_ЗИ =0 и V_ЗИ= V_ЗИ.ОТС. Построить передаточные характеристики.

4. Снять стоковые характеристики транзистора при трех значениях напряжение на затворе V_ЗИ, в том числе при V_ЗИ =0. Построить семейство стоковых характеристик.

5. Собрать схему, представленную на рис.3.5. В качестве генератора G использовать встроенный генератор с частотой генератора f = 1 кГц. Установить на его выходе напряжение U_Г =0,1 В. Приложить между затвором и истоком ПТ постоянное запирающее напряжение, превышающее V_ЗИ.ОТС. При этом практически все напряжение U_Г прикладывается к каналу ПТ (R_{СИ.ЗАКР}>>R) и вольтметр pV~ должен показывать 0,1 В. Затем устанавливают 5...6 значений напряжения V_ЗИ в пределах от V_ЗИ.ОТС до 0 и измеряют соответствующие им значения переменного напряжения U_ВЫХ на канале ПТ с помощью им значения вольтметра pV~. Сопротивление канала определяют расчётным путём по формулу (5.5).

Указания к составлению отчёта.

Отчёт должен содержать:

1. Паспортные данные и схему расположения выводов исследуемого транзистора.

2. Схемы испытаний транзистора.

3. График передаточной характеристики.

4. Семейство выходных характеристики.

5. График зависимости сопротивления канала от управляющего транзистора.

6. По передаточной и выходной характеристикам и на основе формул 5.2-5.4 определить основные статистические параметры ПТ: I_C.НАС (соответствующее V_ЗИ =0), V_ЗИ.ОТС (соответствующее току стока I_C=10 мкА) и крутизну S₀ (соответствующее V_ЗИ =0), выходное сопротивление R_i и статистический коэффициент усиления μ. Проверить справедливость равенства μ= SR_i.

7. Сравнить полученные значения параметров ПТ с их паспортными значениями. Оценить их погрешность.

Контрольные вопросы:

1. Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом и с изолированным затвором.

2. Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур и соответствующие им передаточные характеристики.

3. Объяснить принцип действия и особенности полевых транзисторов с p-n переходом и с изолированным затвором.

4. Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик ПТ.

5. Объяснить определение параметров по статистическим характеристика ПТ.

6. Сравнить биполярные и полевые транзисторы по основным параметрам.

7. Нарисовать схему для исследования статистических характеристик полевых транзисторов с каналами тип «p» и «n».

8. Дать определение предельным эксплуатационным параметрам ПТ.

9. Объяснить погрешности определения параметров ПТ и аппроксимации характеристик.