Задание к работе в лаборатории

1. Назвать основные типы транзисторов.

2. По заданному варианту выбрать соответствующий тип транзистора.

3. Пользуясь справочником:

   1. Указать назначение и структуру транзистора;

   2. Привести типовые значения неуправляемых токов I_КБ0 и I_КЭ0 и максимально-допустимых параметров I_{К МАХ}, U_{КБ МАХ}, Р_{К МАХ}, T_{n max} и T_{oc max};

   3. Привести типовые входные и выходные характеристики транзистора для схемы включения ОЭ.

4. Собрать схему для снятия характеристик транзистора при включении его по схеме ОБ, изображенной на рис. 2.6.а или 2.6.б. в зависимости от структуры транзистора. ВНИМАНИЕ! Общие точки вольтметров соединять согласно схеме.

5. Снять три входных характеристики транзистора I_Э = f (U_ЭБ) при U_КБ = 0, 5В и 10В. Первую характеристику снимать до напряжения, при котором I_Э=0,5 I_{К МАХ}, остальные до значений, при которых выполняется условие Р_К=U_КБ*I_КР_{К МАХ}.С нять выходные характеристики транзистора I_К=f(U_КБ) для I_Э=0, 2, 5 и 10мА. При снятии характеристик не превышать максимально допустимые параметры.

6. Собрать схему для снятия характеристик транзистора при включении его по схеме ОЭ, изображенной на схеме 2.7.а. или 2.7.б. в зависимости от типа транзистора. ВНИМАНИЕ! Общие т очки вольтметров соединять согласно схеме. Снять две входные характеристики I_Б=f(U_БЭ): одну при U_КЭ=0 и 10В Напряжение U_БЭ менять до значений, при которых электрические параметры транзистора не превышают максимально-допустимых значений.

7. Снять семейство из 4 выходных характеристик I_К=f(U_КЭ) при токах базы I_Б=0, 0,1; 0,3 и 0,5 мА. Обратить особое внимание на участок характеристик, соответствующий режиму насыщения.

8. Рассчитать h-параметры транзистора в схеме с ОБ и ОЭ в активной области по снятым вольтамперным характеристикам.

9. Построить выходную ВАХ-ку при токе базы, равном 100 мкА. Провести его кусочно-линейную аппроксимацию и определить U_КЭ НАС, I_К  НАС, r_к нас, r_к.

Отчет должен содержать:

1. Тип исследуемого транзистора и его назначение.

2. Справочные значения параметров транзистора, взятые из справочника.

3. Схемы исследования и таблицы результатов измерений.

4. Графики входных и выходных характеристик, построенные на основании результатов измерений. На графиках построить рабочую область характеристик, соответствующей комнатной температуре.

5. Расчетные значения h-параметров в схемах с ОБ и ОЭ.

6. Выводы по работе.

Контрольные вопросы:

1. Устройство плоскостного транзистора.

2. Принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.

3. Начертить потенциальную диаграмму р-n-р и n-р-n транзисторов.

4. Из каких компонентов состоят токи через эмиттерный и коллекторный переходы?

5. Из каких компонентов состоит ток базы?

6. Что такое коэффициент инжекции и коэффициент переноса?

7. Как влияет на работу транзистора неуправляемый ток коллекторного перехода? Каковы причины его возникновения?

8. Написать уравнение коллекторного тока для схем ОБ и ОЭ.

9. Нарисовать схемы включения транзистора ОБ, ОЭ и ОК.

10. Нарисовать и объяснить входные и выходные характеристики транзистора для схем ОБ и ОЭ.

11. Показать на входных и выходных характеристиках области, соответствующие режимам: активному, отсечки, насыщения.

12. Какими предельными параметрами ограничивается рабочая область выходных характеристик транзистора?

13. Как зависят значения предельных параметров от температуры?

14. Объяснить, как строится рабочая область выходных характеристик транзистора.