- •Краткие правила по технике безопасности при выполнении лабораторных работ
- •Правила выполнения лабораторных работ
- •Подготовка к работе.
- •Составил студент 3–го курса фтос Сидров и.П.
- •Работа в лаборатории.
- •Отчет по работе
- •Лабораторная работа №1 Исследование полупроводникового диода
- •Подготовка к лабораторной работе
- •Краткая теория
- •Лабораторная работа №2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
- •Подготовка к работе.
- •Краткая теория
- •Задание к работе в лаборатории
- •Отчет должен содержать:
- •Контрольные вопросы:
- •Литература
- •Лабораторная работа №3 Характеристики и параметры полевых транзисторов
- •Задание к работе в лаборатории
- •Указания к составлению отчёта.
- •Контрольные вопросы:
- •Лабораторная работа №4 Исследование работы биполярных транзисторов в усилительном режиме
- •Подготовка к лабораторной работе:
- •Краткая теория
- •Предварительный расчет:
- •Методика проведения эксперимента
- •Задание на работу в лаборатории
- •Отчет должен содержать:
- •Контрольные вопросы:
- •Литература:
- •Лабораторная работа № 5 Компьютерное исследование характеристик полупроводниковых приборов
- •Краткая теория.
- •Подготовка к работе.
- •Задание к лабораторной работе.
- •Измерить вольтамперные характеристики диодов, для этого:
- •Измерить выходные характеристики биполярного транзистора в схеме с оэ, для этого:
- •Указание к составлению отчета.
- •Контрольные вопросы.
- •Литература.
Определить участок стабилизации напряжения и рассчитать коэффициент стабилизации.
Рассчитать по графику прямое и обратное дифференциальное сопротивление стабилитронов в заданных рабочих точках.
Измерить выходные характеристики биполярного транзистора в схеме с ОБ, для этого:
Войти в меню «транзисторы (биполярные)», нажатием клавиши «2».
Ключ «ОБ/ОЭ» перевести в положение «ОЭ».
Установить транзисторы в разъем согласно схеме, изображенной на экране монитора и нажать “ENTER”.
Выбрать измерение в схеме с ОБ, для этого нажать «1», ключ «ОБ/ОЭ», перевести в положение «ОБ».
Выбрать измерение выходных характеристик клавишей «2».
Вывести количество одновременно измеряемых характеристик от 1 до 7.
На экране появится предыдущее значение токов эмиттера, если они не устраивают, то необходимо нажать букву “N” и ввести свое значение (не превышать 20 мА).
Изучить полученные характеристики.
Построить в отчете полученные характеристики, для этого можно воспользоваться числовым массивом данных, который выводится на экран при нажатии “Y”.
Измерить входные характеристики биполярного транзистора в схеме с ОЭ, для этого:
Войти в меню «транзисторы (биполярные)», нажатием клавиши «2».
Ключ «ОБ/ОЭ» перевести в положение «ОЭ».
Установить транзисторы в разъем согласно схеме, изображенной на экране монитора и нажать “ENTER”.
Выбрать измерение в схеме с ОЭ, для этого нажать «2».
Выбрать измерение выходных характеристик клавишей «1».
Вывести количество одновременно измеряемых характеристик от 1 до 7.
На экране появится предыдущее значение Uкэ, если они не устраивают, то необходимо нажать букву “N” и ввести свое значение (не превышать +- 6 В). В данном случае необходимо учитывать полярность.
Изучить полученные характеристики.
Построить в отчете полученные характеристики, для этого можно воспользоваться числовым массивом данных, который выводится на экран при нажатии “Y”.
Измерить выходные характеристики биполярного транзистора в схеме с оэ, для этого:
Войти в меню «транзисторы (биполярные)», нажатием клавиши «2».
Ключ «ОБ/ОЭ» перевести в положение «ОЭ».
Установить транзисторы в разъем согласно схеме, изображенной на экране монитора и нажать “ENTER”.
Выбрать измерение в схеме с ОЭ, для этого нажать «2».
Выбрать измерение выходных характеристик клавишей «2».
Вывести количество одновременно измеряемых характеристик от 1 до 7.
На экране появится предыдущее значение Iб, если они не устраивают, то необходимо нажать букву “N” и ввести свое значение (не более 5 мА). Не следует сразу вводить большое значение Iб, это может привести к зацикливанию измерений.
Изучить полученные характеристики.
Построить в отчете полученные характеристики, для этого можно воспользоваться числовым массивом данных, который выводится на экран при нажатии “Y”.
Указание к составлению отчета.
Привести блок-схему компьютерного исследования характеристик полупроводниковых приборов.
Привести паспортные данные исследуемых полупроводниковых приборов.
Срисовать на кальку вольтамперные характеристики исследуемых приборов.
Привести рассчитанные значения параметров полупроводниковых приборов.
Сделать выводы по проделанной работе.
Контрольные вопросы.
Объяснить назначение узлов блок-схемы.
Какие типы полупроводниковых приборов можно использовать для снятия характеристик на данном макете?
Какие характеристики можно снять на этой установке?
Объяснить алгоритмы обработки данных компьютером для различных схем включения полупроводниковых приборов.
Литература.
Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника: Учеб. пособие для вузов/ Ю.Л. Бобровский, С.А. Корнилов, И.А. Кратиров и др.; Под. ред. проф. Н.Д. Федорова. – М.: Радио и связь, 1998.-560 с.: ил.
Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник/ И.В. Новаченко, В.М. Петухов, И.П. Блудов, А.В. Юровский. – М.: Радио и связь, 1989.- 384 с.: ил.
Плата L-154, техническое описание и инструкция по эксплуатации. ДЛИЖ 411618.003 ТО. М., 1997. 40 с.
А.М. Болотнов, З.М. Ишбулдин. Язык программирования Turbo-Pascal: Учебно-методическое пособие/ Башкирский институт повышения квалификации работников образования. – Уфа, 1994. – 72 с.