Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Мет.указ.к лаб. ЭЛЕКТРОНИКА.doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.04.2025
Размер:
4.03 Mб
Скачать

Отчет должен содержать:

1. Паспортные данные транзистора.

2. Результаты предварительного расчета.

3. Схемы исследования усилителя и таблицы с результатами измерений.

4. Осциллограммы входного и выходного сигналов.

5. Графики зависимостей KI = f (RК), KU = f (RК) и KP = f (RК).

6. Выводы о результатах исследований с сравнениями результатов эксперимента и графического расчета.

Контрольные вопросы:

1. Поясните порядок проведения графического расчета параметров усилителя на БТ.

2. Как оценить коэффициенты усиления транзистора с помощью h-параметров?

3. В какой схеме включения БТ обеспечивается наибольший коэффициент усиления по току, по напряжению, по мощности?

4. Способы задания рабочей точки транзистора по постоянному току.

5. Особенности работы транзистора в режиме классов А и В.

6. Поясните влияние рабочей точки на форму выходного напряжения в усилителе на БТ.

7. От каких факторов зависит максимальная выходная мощность, получаемая от данного транзистора?

Литература:

1. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника: Учеб. пособие для вузов/ Ю. А. Бобровский, С. А. Корнилов, И. А. Кратеров и др.; Под ред. проф. Н. Д. Фёдорова.-М.: Радио и связь, 1998.-560 с: ил., с. 70-104.

2. Батушев В.А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980, стр.148-155, 194-196, 203-207.

3. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника: учебн. пособие для приборостр. спец. вузов.-М.: Высшая школа. 1991

4. Электронные приборы: Учебник для вузов. Под ред. Шишкина Г.Т.-М.: Энергоатомиздат, 1989, 1991, стр.176-179

5. Справочник по полупроводниковым диодам, транзистором и интегральным схемам. Под ред. Горюнова Н. Н. М.: Энергия, 1977

Партала О. Н. Радиокомпоненты и материалы: Справочник. - К.: Радюаматор, -М.: КубК-а, 1998.-720 с.:ил.

Лабораторная работа № 5 Компьютерное исследование характеристик полупроводниковых приборов

Цель работы: ознакомиться с методами автоматизированных измерений характеристик полупроводниковых приборов, снять характеристики и параметры полупроводниковых приборов.

Краткая теория.

Автоматизированная установка состоит из измерительного блока, подключенного к IBM-совместимому компьютеру и платы сбора информации L-154, для ввода данных в компьютер, которая содержит аналогово-цифровые (АЦП) и цифро-аналоговые преобразователи (ЦАП). Для функционирования установки написана программа. Конфигурация ПО практически определяет возможности измерительной установки.

Блок-схема установки сопряжена на рисунке 8.1. измерение аналоговых сигналов (токов и напряжений) производит 12-ти разрядный АЦП, установленный на плате L-154. АЦП преобразует входные напряжения в пропорциональный двоичный код. Измерение токов осуществляется путем измерения падения напряжения на эталонном резисторе. Плата L-154 имеет 16-ти канальный дифференциальный коммутатор (мультиплексор), который установлен перед АЦП. В данной установке используется только 6 аналоговых входов коммутатора. Управление напряжением, прикладываемым к измеряемому прибору, производится с помощью ЦАП-1 и ЦАП-2.

При измерении характеристик диодов и стабилитронов исследуемый элемент подключается к гнездам А (анод) и К (катод). Ключ «ОБ/ОЭ» должен находиться в положении «ОЭ». В процессе измерения происходит изменение напряжения на входе ЦАП-2 от –10 В до + 10 В, при этом ЦАП измеряет через равные интервалы напряжения в 255 точках падение напряжения на элементе и падение напряжения на образцовом резисторе (измерение силы тока). Таким образом, получается 255 точек вольтамперной характеристики (ВАХ) исследуемого полупроводникового прибора.

Измерение характеристик биполярных транзисторов происходит аналогично, но измеряется несколько ВАХ (семейство характеристик), при этом участвует ЦАП-1, который задает ток базы (для схемы с ОЭ) и ток эмиттера (для схемы с ОБ). Коллекторное напряжение задается только одной полярности в зависимости от типа транзистора p-n-p или n-p-n. Для p-n-p напряжение изменяется от 0 до –10 В, для n-p-n от 0 до +10 В. Ключ «ОБ/ОЭ» служит для переключения транзистора по схеме с ОБ или ОЭ.