7. Принцип роботи статичного озп.
Статическая оперативная память с произвольным доступом (SRAM, static random access memory) — полупроводниковая оперативная память, в которой каждый двоичный или троичный разряд хранится в схеме с положительной обратной связью, позволяющей поддерживать состояние без регенерации, необходимой в динамической памяти (DRAM). Тем не менее, сохранять данные без перезаписи SRAM может только пока есть питание, то есть SRAM остается энергозависимым типом памяти. Произвольный доступ (RAM — random access memory) — возможность выбирать для записи/чтения любой из битов (тритов) (чаще байтов (трайтов), зависит от особенностей конструкции), в отличие от памяти с последовательным доступом (SAM — sequential access memory).
8. Умовне графічне позначення мікросхем пам’яті з однорозрядною і словарною організацією. Призначення виводів.
9. Динамічне озп.
В динамічних ОЗП інформація . При цьому зчитування інформації супроводжується її порушенням. Для збереження інформації її необхідно записати знов.
Основними вимогами, що висуваються до ОЗП, є забезпечення максимально можливої швидкодії при заданому об’ємі та організації.
Для позначення на принципових електричних схемах ІС ОЗП використовують скорочення RAM (random access memory).
10. Постійні запам’ятовуючі пристрої.
Постійні запам’ятовуючі пристрої призначені для збереження інформації, що залишається незмінною протягом всього часу експлуатації пристрою. Зазвичай це або незмінні послідовності кодів, що визначають алгоритми, за якими функціонує пристрій, або деякі константи, необхідні для виконання певних обчислень.
В залежності від можливості запису інформації ПЗП поділяють на три підкласи: масочні ПЗП програмовані ПЗП, репрограмовані ПЗП.
Для позначення на схемах електричних принципових ІС ПЗП використовують скорочення ROM (read only memory).
11. Схема масочного ПЗП
Схема масочного постоянного запоминающего устройства.
12. Умовне графічне позначення ПЗП. Призначення виводів
В этой схеме построено постоянное запоминающее устройство на восемь одноразрядных ячеек. Запоминание конкретного бита в одноразрядную ячейку производится запайкой провода к источнику питания (запись единицы) или запайкой провода к корпусу (запись нуля).
13. Перепрограмовуваемі ПЗП.
Внутрісхемного (пере) програмовані ПЗП (ISP, in-system programming) - такі мікросхеми мають всередині генератор всіх необхідних високих напруг, і можуть бути перепрошита без програматора і навіть без випайки з друкованої плати, програмним способом
14. Мікропроцесори, загальні відомості
Микропроцессор - это большая интегральная схема, как программируемое управляемое устройство. Микропроцессор предназначен для обработки цифровой информации. Основные свойства - экономичность, за счет серийности стандартной микросхемы, и экономичность в применении; универсальность - это обеспечивает гибкое применение. Принципы работы микропроцессоров определяются его архитектурой. Архитектура микропроцессора подобна архитектуре центрального процессора больших электронных вычислительных машин. Уступает по функциональности сложности и вычислительными возможностям. Преимущества: Малые габариты, вес, стоимость, экономичность. На базе микропроцессоров создают микроэлектронные вычислительные машины, микроконтроллеры, микропроцессорные средства вычислительной техники. Микропроцессор не является функционально законченым узлом, используется совместно с большими интегральными микросхемами запоминающих устройств, устройств ввода/вывода, регистров. В целом эти большие интегральные микросхемы составляют микропроцессорный комплект, для которого обязательно согласование больших интегральных микросхем по техническим характеристикам. Технические характеристики микропроцессора: 1) Характеристики, специфичные для вычислительной техники - это система команд, система прирываний, объем адрессуемой памяти. 2) Характеристики больших интегральных микросхем - это уровни напряжений входящих и выходящих сигналов, помехоустойчивость, время задержки на прохождение сигнала. В зависимости от разрядности данных различают микропроцессоры с фиксированным числом разрядов и с наращиваемой разрядностью.