4. Загальні відомості про елементи ттл.
Елементи ТТЛ та ТТЛШ будуються на основі єдиного схемотехнічного принципу (рис.4). Відмінність елементу ТТЛ від ТТЛШ полягає в тому, що в транзисторах другого присутні діоди Шотки, які ввімкнені в транзистор між базою та колектором, обмежуючи насичення транзистора, що забезпечує вищу швидкодію та менше енергоспоживання.
Рисунок 4 Базовий логічний елемент ТТЛШ (ТТЛ)
В схемі логічного елемента на вході знаходиться багатоемітерний транзистор (до 12-ти емітерів) VT1, який виконує логічну операцію І, а на виході - складний інвертор на транзисторах VT2-VT5. Таким чином елемент виконує логічну операцію І-НЕ. Всі мікросхеми ТТЛ та ТТЛШ мають напругу живлення 5В. Напруга низького рівня (логічний нуль) для всіх мікросхем ТТЛ складає 0.4В, напруга високого рівня (логічна одиниця) - 2.4В (див.табл.1). У мікросхем ТТЛШ вказані напруги мають близькі значення.
При надходженні на входи X1 та X2 сигналів високого рівня емітерні переходи транзистора VT1 закриваються. Струм через резистор R1 та відкритий колекторний перехід VT1 поступає на базу VT2 і закриває його. Падінням напруги на резисторі R3 відкривається транзистор VT3. Транзистори VT4, VT5 закриваються. В результаті - на виході елемента встановлюється напруга низького рівня. При подачі на один із входів сигналу низького рівня відкривається відповідний емітерний перехід транзистора VT1 і через цей перехід потече струм . Транзистори VT2, VT3 закриються, а транзистори VT4, VT5 - відкриються. На виході елемента встановлюється напруга високого рівня. Діоди VD1, VD2 введені в структуру елемента для захисту його входів від скачків напруги від'ємної полярності.
Серії мікросхем ТТЛ та ТТЛШ перекривають широкий діапазон за швидкодією та енергоспоживанням. Це забезпечується комплексним випуском серій, які розраховані на різну швидкодію, але сумісних за всіма характеристиками, часто навіть і розведенням виводів у корпусі. Так, комплекс серій мікросхем ТТЛ включає серії 130, К131 (частота переключення ІМС до 30МГц), серії 133, К155 (до 10МГц), серії К134, К158 (до 3МГц). На зміну мікросхемам ТТЛ прийшли мікросхеми ТТЛШ серій 530, К531 (до 80МГц), 533, К555 (до 10МГц), К1531 (до 150МГц), К1533 (до 30МГц). Останні дві серії відрізняються значно меншим енергоспоживанням.
5.Озу. Загальні відомості.
Оперативні ЗП можуть бути виконані як статичними, так і динамічними. В статичних ОЗП записана інформація постійно зберігається у відведеному для неї місці і не порушується при її зчитуванні. Порушення інформації можливе лише при її вимушеному затиранні або при вимкненні напруги джерела живлення.
В динамічних ОЗП інформація . При цьому зчитування інформації супроводжується її порушенням. Для збереження інформації її необхідно записати знов.
Основними вимогами, що висуваються до ОЗП, є забезпечення максимально можливої швидкодії при заданому об’ємі та організації.
Для позначення на принципових електричних схемах ІС ОЗП використовують скорочення RAM (random access memory).