1. Основні параметри цифрових мікросхем.

Параметры цифровых микросхем делятся на три группы: статические, динамические и интегральные.

Статические параметры цифровых микросхем характеризуют микросхему в статическом (установившемся) режиме.

Динамические параметры цифровых микросхем определяют максимальную частоту смены входных состояний, при которой не нарушается нормальное функционирование микросхем. Временные диаграммы, иллюстрирующие способы определения временных динамических параметров.

Интегральные параметры цифровых микросхем отражают уровень развития технологии и схемотехники, а также качество цифровых мікросхем.

2. Динамічні параметри цифрових мікросхем

К динамическим параметрам цифровых интегральных микросхем обычно относят следующие:

1. Среднее время tзд.р. задержки распространения переднего и заднего фронтов:

.

2. Длительность t^0,1_Ф фронта выходного сигнала при перепаде от нуля к единице (от 0.1 до 0.9 амплитуды сигнала) и t^1,0_Ф длительность фронта выходного сигнала при перепаде от 1 к 0 (от 0.9 до 0.1 амплитуды сигнала), как это показано на рис.5.2.4.

3. Максимальная частота переключения:

f_MAX  (t^0,1_Ф + t^1,0_Ф) / 2.

3. Класифікація мікросхем.

Интегральные микросхемы (ИМС) или чипы способны обрабатывать и хранить информацию, управлять персональными компьютерами, различными домашними приспособлениями и даже роботами на сборочных конвейерах. Это микроэлектронное устройство изготавливается на полупроводниковом кристалле (или плёнке) и помещается в неразборный корпус. кристалл или плёнку с электронной схемой часто обозначаются как интегральная схема (ИС), а под микросхемой (МС) - интегральную схему, заключённую в корпус. Каждая микросхема – это набор сотен схем, а также таких компонентов как резисторы, создающие сопротивление электрическому току, и конденсаторы, способные накапливать заряд и транзисторы – самые важные компоненты, усиливающие, включающие и выключающие напряжение. Кристалл микросхемы. Многочисленные компоненты микросхемы формируются в кристалле кремния – элемент, не проводящий ток при обычных условиях, но способный распространять электрические импульсы при внесении примесей. Микросхемы изготовляют при помощи метода фотолитографии и травления, из единого кристалла. Классификация микросхем : Классификация микросхем по степень интеграции:

• до 100 элементов в кристалле – Малая интегральная схема (МИС)

• до 1000 элементов в кристалле – Средняя интегральная схема (СИС)

• до 10000 элементов в кристалле – Большая интегральная схема (БИС)

• до 1 миллиона элементов в кристалле – Сверхбольшая интегральная схема (СБИС)

• до 1 миллиарда элементов в кристалле – Ультрабольшая интегральная схема (УБИС)

• более 1 миллиарда элементов в кристалле – Гигабольшая интегральная схема (ГБИС)

Классификация микросхем по виду обрабатываемого сигнала:

• аналоговые микросхемы

• Цифровые микросхемы

• Аналого-цифровые микросхемы Аналоговые микросхемы - это схемы, где входные и выходные сигналы изменяются по закону непрерывной функции в диапазоне от положительного до отрицательного напряжения питания. Классификация микросхем по технология изготовления:

• Полупроводниковая микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены на одном полупроводниковом кристалле

• Плёночная микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены в виде плёнок (толстоплёночная и тонкоплёночная интегральная схема)

• Гибридная микросхема — кроме полупроводникового кристала содержит несколько бескорпусных диодов, транзисторов и(или) других электронных компонентов, помещённых в один корпус