6 Напишите ключевые слова к теме лекции 20.

После изучения лекции 21 студент должен знать : принцип работы импульсного стабилизатора напряжения и его характеристики.

Уметь: пояснить работу импульсного стабилизатора напряжения, а также расчет и выбор элементов схемы импульсного стабилизатора напряжения.

План ( логика ) изложения материала

2.7.5 Стабилизаторы постоянного напряжения вторичного

электропитания РЭА импульсные

Дополнительный материал к лекции 21 для самостоятельной работы

2.7.5 Стабилизаторы постоянного напряжения вторичного электропитания

РЭА импульсные

Импульсные, или ключевые, стабилизаторы напряжения находят широкое применение в источниках вторичного электропитания (ИВЭП) РЭА. Это объясняется тем, что источники электропитания импульсные характеризуются высоким КПД, удельными массогабаритными показателями, сравнительно низким расходом цветных и черных металлов.

Импульсным стабилизатором напряжения ( тока) вторичного электропитания называется стабилизатор, регулирующий элемент которого работает в импульсном (ключевом) режиме.

Основным достоинством ключевого режима работы регулирующего элемента (узла), который может выполняться на транзисторах, тиристорах, магнитных усилителях (дросселей насыщения), является минимальная потеря мощности в силовой цепи, что позволяет обеспечить высокие параметры ИВЭП.

Рассмотрим работу регулирующего транзистора на примере схемы приведенной на рисунке 2.55.

108

а- функциональная схема ;

б- зависимости i_б(t), u_(t) ;

в- выходные вольт-амперные характеристики

Рисунок 2.55 – Схема, временная диаграмма и ВАХ транзистора регулирующего

транзистора

Работу регулирующего транзистора в импульсном стабилизаторе напряжения в режиме переключения рассмотрим на примере схемы рисунок 2.55,а. На базу транзистора VT подают управляющие импульсы тока прямоугольной формы

( рисунок 2.55,б) с максимальным значением I_б, в интервале времени 0…t1. В интервале времени t₁…t₃ ток базы равен нулю, рабочая точка регулирующего транзистора занимает положение 1 (рисунок 2.55,в) на выходной ВАХ. Транзистор в этом интервале времени находится в состоянии отсечки, ток коллектора транзистора мал и почти все входное напряжение U_вх приложено к переходам коллектор – эмиттер транзистора.

В интервале времени 0…t₁ через базовый переход транзистора протекает импульс тока с максимальным значением I_б'>I_б. В этом интервале рабочая точка регулирующего транзистора займет положение 2 на выходной ВАХ. Регулирующий транзистор в этом интервале находится в состоянии насыщения. Состояние насыщения характеризуется тем, что ток коллектора транзистора VT ограничивается сопротивлением нагрузки R_н, падение напряжения на регулирующем транзисторе мало и почти все входное напряжение прикладывается к нагрузке.

В состоянии отсечки и насыщения на переходе коллектор – эмиттер регулирующего транзистора рассеивается незначительная мощность, так как в одном случае мал по величине ток, а в другом случае падение напряжения на транзисторе.

В момент переключения регулирующего транзистора рабочая точка переходит из области отсечки в область насыщения, и наоборот, через активную область. При переключении регулирующего транзистора, когда рабочая его точка

109

находится в активной области, на регулирующем транзисторе также рассеивается мощность. Мощность, рассеиваемая транзистором в активной области, зависит от времени его включения и выключения, а также от максимального значения управляющих импульсов. Время включения и выключения транзистора зависит в свою очередь от частотных свойств. Таким образом, суммарная мощность, рассеиваемая регулирующим транзистором в режиме переключения, состоит из трех составляющих мощностей, рассеиваемых в состояниях насыщения, отсечки и при переходе рабочей точки активной области. Мощность, рассеиваемая на регулирующем транзисторе в режиме переключения, во много раз меньше, чем при работе транзистора в непрерывном режиме

Выходное напряжение ( напряжение на нагрузке) в схеме рисунок 2.55,б будет иметь форму прямоугольных импульсов с максимальным значением, приблизительно равной входному напряжению.

Работа регулирующего транзистора в режиме стабилизации можно пояснить следующим образом. При изменении длительности управляющих импульсов на выходе схемы ( показано пунктирной линией рисунок 2.55,б), приведет к изменению площади импульса, за период Т, а следовательно к изменению постоянной составляющей напряжения на нагрузке. Таким образом, при изменении длительности управляющих импульсов, можно регулировать уровень постоянной составляющий напряжения на нагрузке.

Если в схему управления ввести сигнал обратной связи, пропорциональный отклонению постоянной составляющей на нагрузке от заданного, то схема будет осуществлять стабилизацию выходного напряжения.

Импульсные стабилизаторы по способу регулирования подразделяются на стабилизаторы с широтно - импульсной модуляцией (ШИМ), с частотно-импульсной модуляцией (ЧИМ) и стабилизаторы релейные.

Широтно-импульсная модуляция (ШИМ), при которой изменяется время замкнутого или разомкнутого состояния регулирующего транзистора (РТ) при неизменном периоде следования импульсов Т.

Частотно-импульсная модуляция (ЧИМ), при которой изменяется частота работы РТ при неизменных длительностях импульсов.

Релейное, или двухпозиционное регулирование, обусловленное наличием в системе управления релейного элемента ( например, триггера Шмита) с двумя фиксированными порогами срабатывания и осуществляемое при изменении длительности импульсов и периода Т.

Режим ЧИМ и релейный применяются редко в связи с изменением частоты напряжения на выходе импульсного стабилизатора напряжения. Это затрудняет рациональный выбор параметров реактивных элементов L и С, а также при релейном регулировании выходное напряжение всегда содержит пульсации, так как это обусловлено принципом его работы.

ШИМ регулирования бывает первого и второго рода. На рисунок 2.56 показана структурная схема часто применяющегося ШИМ-2, здесь задающий генератор ГИ управляет генератором линейного напряжения ГЛН, которое - в элементе сравнения ЭС – сравнивается с усиленным сигналом рассогласования, поступающим после ИЭ и УЭ.

110

Рисунок 2.56- Обобщенная структурная схема импульсного

стабилизатора напряжения

Уровень сигнала рассогласования зависит от значения длительности ( см. рисунок 2.55), управляющее работой ключа РЭ.

На рисунке 2.56 показана модуляция заднего фронта U_упр., применив другую форму напряжения U_глн. Можно модулировать передний фронт U_упр. и оба фронта вместе.

Рисунок 2.56 - Временные диаграммы, поясняющие режим работы

ШИМ

В импульсных стабилизаторах напряжения используют три основных типа силовых каскадов : понижающие ПВ, в котором выходное напряжение U_н

111

меньше входного U_вх ; повышающего ПВ, в котором U_н >U_вх и полярно-инвертирующий ПВ, в котором полярности выходного и входного напряжений противоположны, а значение U_н может быть больше или меньше U_вх в зависимости от значения скважности Q рабочих импульсов.

Во всех схемах силовых каскадов транзистор VT является ключевым элементом, дроссель L и конденсатор С образуют сглаживающий фильтр – накопитель, коммутационный (рекуперационный, обратный) диод VD также работает в ключевом режиме и предназначен для формирования цепи потребителя R_н при разомкнутом состоянии VT.

Силовые каскады ИСН могут работать в двух режимах: с непрерывным и прерывистым током i_L. Лучшие эксплуатационные свойства обеспечиваются в режиме непрерывного тока в дросселе (меньше пульсации напряжения на выходе, жестче внешняя характеристика). Для реализации этого режима накладываются ограничения на минимальные значения нагрузочного тока и индуктивности дросселя.

Анализ силовых каскадов выполняется при следующих допущениях: ключи

( транзисторы и диоды) замыкаются и размыкаются мгновенно ; в замкнутом и разомкнутом состояниях потери в них отсутствуют ; дроссель и конденсатор описываются как идеальные линейные индуктивность и емкость ; на рассматриваемом периоде напряжение на входе и выходе, а также нагрузка неизменны; анализ производится в установившемся режиме ( не при первом включении к источнику входного напряжения).

Схема понижающего импульсного стабилизатора приведена на рисунок 2.57. В этой схеме используется накопительная индуктивность (дроссель) L, включенная последовательно с нагрузкой R_н. Для сглаживания пульсаций в нагрузке параллельно ей включен конденсатор фильтра С_ф. Ключевой транзистор VT включен между источником питания Е_п и накопительной индуктивностью L. Схема управления включает или выключает транзистор в зависимости от значения напряжения на нагрузке U_н. При размыкании транзисторного ключа VT ток индуктивности L протекает через диод VD. Включение в схему диода VD обеспечивает непрерывность тока в индуктивности L и исключает появление опасных выбросов напряжения на транзисторе в момент коммутации. На рисунке 2.57,б приведена эквивалентная схема замещения, в которой ключевой транзистор VT и диод VD заменены перекидным ключом S. При поступлении управляющего сигнала на базу транзистора VT ключ S устанавливается в положение 2, обеспечивая непрерывность тока в дросселе L. В зависимости от значения параметров схемы возможны два режима работы : 1) непрерывного и 2) прерывистого.

Рассмотрим в начале режим непрерывного тока в дросселе L. Для обеспечения режима непрерывного тока в дросселе его индуктивность должна выбираться по формуле

L_ф > T·R_н (1-γ) /2 . ( 2.63 )

а - схема понижающего ИСН ;

б - эквивалентная схема ;

в - графики токов и напряжений

Рисунок 2.57- Схема понижающего импульсного стабилизатора

При включении транзистора VT ключ S устанавливается в положение 1 и в дросселе L начинает возрастать ток, достигая своего максимального значения к моменту выключения транзистора VT. Накопление энергии в дросселе L и конденсаторе фильтра С_ф приводит к небольшому увеличению напряжения на нагрузке (рисунок 2.57,в).

По сигналу, поступившему от схемы управления, транзистор VT запирается, а диод VD отпирается, что соответствует переводу ключа S в положение 2. Энергия, накопленная в дросселе L, и конденсатор С_ф, начинает расходовать в нагрузке и ток дросселя начинает уменьшаться по линейному закону. Этот спад продолжается вплоть до нового отпирания транзистора VT.

Напряжение на дросселе в период накопления энергии равно (Е_п - U_н). В момент коммутации дросселя ключом S напряжение на нем скачком принимает значение -U_н. Полный перепад напряжения на дросселе, таким образом, равен Е_п. Напряжение на нагрузке пропорционально коэффициенту заполнения

U_н= Е_п·γ. ( 2.64)

При уменьшении индуктивности дросселя относительно значения происходит переход в режим прерывистого тока в нем. В таком режиме

113

ухудшается использование ключевого транзистора, возрастает.

Требуемая емкость конденсатора фильтра, увеличиваются пульсации тока в дросселе и в нагрузке.

а- схема повышающего стабилизатора ;

б- эквивалентная схема ;

в- графики напряжения м тока

Рисунок 2.58 - Схема повышающего импульсного стабилизатора

В этой схеме ( рисунок 2.58) дроссель включен последовательно с источником питания Е_п, а диод VD последовательно с нагрузкой. Эквивалентная схема замещения приведена на рисунке 2.58,б. При включении транзистора VT ключ S переводится в положение 1 и дроссель подключается непосредственно к источники питания Е_п. Ток дросселе начинает линейно нарастать, пока из схемы управления не поступит сигнал на запирание транзистора.

После запирания транзистора VT избыточная энергия, накопленная в дросселе L, через открытый диод VD поступает в нагрузку, подзаряжая конденсатор фильтра С_ф. Этому режиму соответствует переключение переключение ключа S в положение 2, при котором напряжение на дросселе складывается с напряжением источника питания, в результате чего конденсатор фильтра С_ф заряжается до напряжения U_н > Е_п. Форма тока и напряжения на дросселе L приведены на рисунке 2.58,в. Полный перепад напряжения на дросселе равен ( U_н-2Е_п).

114

а- схема инвертирующего стабилизатора;

б- эквивалентная схема:

в- графики напряжения и тока

Рисунок 2.59 – Схема инвертирующего импульсного стабилизатора

Схема инвертирующего импульсного стабилизатора приведена на рисунке 2.59,а. В этой схеме последовательно с источником питания Е_п включен транзистор VT, а диод VD включен последовательно с нагрузкой R_н. Эквивалентная схема инвертирующего стабилизатора напряжения приведена на рисунке 2.59,б.

При включенном транзисторе VT ключ S установлен в положение 1, в результате чего дроссель L подключается к источнику питания Е_п и ток в нем начинает линейно нарастать (рисунок 2.59,в). Рост тока происходит до тех пор, пока не поступит сигнал из схемы управления на запирание транзистора VT. При этом на эквивалентной схеме переключателя S установится в положение 2 и дроссель L подключится параллельно нагрузке и конденсатору фильтра С_ф. Поскольку ток в дросселе после коммутации транзистора VT не меняет своего направления, то полярность напряжения на нагрузке будет обратная полярности источника электропитания, т.е. происходит инверсия полярности.

В понижающем и повышающем силовом каскадах ИСН регулирующий транзистор может быть включен коллектором или эмиттером к источнику питания. импульсного стабилизатора.

Дополнительный материал к лекции 21 для самостоятельной работы

Принцип работы схемы, на рисунке 2.60, следующий. При закрытых транзисторах VT₂, VT₃ конденсатор С заряжается по цепи (+)U_п,

115

R₂,С,VT₃,VT₂,(-)U_п ( путь тока заряда i_з показан сплошной линией). Последовательно включенные в прямом направлении диоды VD₂,VD₃ ограничивают напряжение на конденсаторе, когда транзистор VT₁ открыт. При поступлении от системы управления сигнала, транзистор VT₁ открывается и

конденсатор начинается разряжаться по цепи : (+) С, VT₁, R₁, VT₂,VD₁, (-)С. Ток разряда i_р (путь разряда показан штриховой линией) протекает в направлении, противоположном движению основных носителей заряда эмиттерного перехода VT₂, в результате чего VT₂ форсированно размыкается. Диод VD₁ предохраняет эмиттерный переход VT₃ от пробоя при прохождении импульса запирающего тока и способствует быстрому и надежному открытию VT₂. Дополнительное напряжение на коллекторе транзистора VT₂ создается за счет падения напряжения на части обмотки (1…2) дросселя L сглаживающего фильтра LС- фильтра силового каскада. Диод VD₄ коммутационный диод предназначен для формирования цепи питания нагрузки при замкнутом транзисторе VT₂.

Р исунок 2.60- Функциональная электрическая схема импульсного стабилизатора напряжения

Основной недостаток этой схемы - транзистор VT₁ в течение небольшого промежутка времени должен пропустить мощный импульс тока, для обеспечения его требуется дополнительный промежуточный импульсный усилитель.

Схема управления импульсных стабилизирующих устройств состоят из тех же элементов, что и в стабилизаторах непрерывного типа (регулирующего, усиления обратной связи, измерения стабилизированного параметра, опорного напряжения и их сравнения), а также специфических узлов, осуществляющих

116

преобразование сигнала обратной связи в импульсную последовательность для управления работой регулирующего (силового) каскада, в составе : задающий генератор, генератор пилообразного напряжения, широтно-импульсный модулятор, формирователи управляющих импульсов, пороговые устройства. К этим узлам предъявляются требования обеспечения стабильности параметров, 115

устойчивости работы, высокой надежности, малой потребляемой мощности. В ряде устройств функции задающего генератора, широтно-импульсного модулятора и усилителя обратной связи могут быть совмещены в одном узле, что сокращает число узлов и облегчает проектирование ИСН.

Коэффициент стабилизации ИСН составляет несколько десятков, сотен. Температурный коэффициент напряжения определяется в основном источником опорного напряжения, температурной стабильностью уровней, обеспечивающих формирование импульсных сигналов, значение ТКН примерно такое же, как у стабилизаторов непрерывного действия : десятые, сотые доли процентов на градус Цельсия.

В качестве импульсных стабилизаторов используются также инверторы и преобразователи, при работе с независимым возбуждением от системы управления, обеспечивающей, как правило, режим с ШИМ – регулированием. Далее будем их называть импульсными стабилизаторами с трансформаторной развязкой.

Импульсные стабилизаторы без и с трансформаторной развязкой составляют основу источников вторичного электропитания с бестрансформаторным входом (ИВЭП с БТВ), обеспечивающих высокие энергетические ( КПД до 90…98%) и удельные массогабаритные ( свыше 40…50 Вт,дм³) показатели.

Заметим, что эти свойства достигаются благодаря применению ключевых режимов работы силовых каскадов и повышенной частоты преобразования энергии, значение которой при современной элементной базе составляет 20…40 кГц и по мере ее совершенствования будет возрастать до частоты 500кГц и свыше.

Существенным недостатком ИСН является генерация ими высокочастотных электромагнитных помех, распространяющихся по проводам (кондуктивные помехи) в питающей сеть и к потребителю, а также в пространстве ( помехи излучения), а также сложная настройка, значительное количество компонентов, заметная инерционность и схема управления сложная.

Вопросы для самопроверки

1 В чем достоинство ключевого режима работы регулирующего транзистора ?

2 В чем особенность принципа работы импульсного стабилизатора напряжения ?

3 Нарисуйте обобщенную структурную схему ИСН.

4 В чем отличие ШИМ от ЧИМ и от релейного регулирования ?

5 Поясните на временных диаграммах принцип стабилизации напряжения в ИСН

с применением ШИМ.

6 Назовите основные типы силовых каскадов, которые используются в ИСН.

117

7 Нарисуйте схему понижающего импульсного стабилизатора напряжения и

поясните принцип его работы.

8 Нарисуйте схему повышающего импульсного стабилизатора напряжения и

поясните принцип его работы.

9 Нарисуйте схему инвертирующего импульсного стабилизатора напряжения и

поясните принцип его работы.

10 Назовите достоинства и недостатки импульсных стабилизаторов напряжения .

Примеры задач до темы лекции 21

Задача 1

Требуется обеспечить стабилизированное напряжение 5 В при токе 5А и амплитуде пульсаций не более 30 мВ. Нестабилизированное входное напряже­ние равно 10 В. Частота коммутации ключа импульсного стабилизатора ( рисунок 2.57 ) составля­ет 100 кГц.

Решение : 1 Выберем отношение максимального значения тока дросселя к нагрузочному току α = (1,1….1,2 ) .

2 Вели­чина индуктивности дросселя равна

L =[ R_L ∙ ( 1 – U_вых/U_вх)] / [2 f (α - 1 ) ],

L = [ 1∙ ( 1 – 5/10)] / [2∙ 100 ∙10³(1,1 - 1 ) ] = 25∙ 10^-3 Гн.

где R_L = U_вых / I_вых = 5/5 = 1 Ом.

3 Минимально необходимая величина емкости конденсатора

∆U_вых = U_вых ∙( 1 – U_вых / U_вх ) / 8∙ L ∙С ∙f² ,

С = 5 ∙( 1 – 5 / 10 ) /8∙ 25∙ 10^-3 (100 10³)² 30 10^-3 = 330 мкФ

Выбираем оксидный (электролитический) конденсатор (например, типа К50-38) емкостью 470 мкФ на напряжение 6.3 В имеет весьма малые массу и габариты. Однако допустимый уровень пульсаций напряже­ния на указанной частоте для него составляет всего 10 мВ. В то же время согласно паспортным данным полное сопротивление такого конденсатора на частоте 100 кГц - z = 0.7 Ом Поэтому, как показывает расчет, действи­тельная амплитуда пульсаций напряжения на оксидном конденсаторе превышает 200 мВ. Необходимая емкость оксидного конденсатора в таком случае составит не менее 6800 мкФ.

Возьмем керамический конденсатор (например, батарею из 22 конденсаторов ти­па К10-47 на 15 мкФ, 16 В). Реактивная мощность каждого из конденсаторов бата­реи, по паспортным данным, не должна превышать 0.025 вар. В условиях данного примера реактивная мощность на каждом конденсаторе:

Q_c = [ (∆U_вых)²∙ π∙f_с ]/4

118

Q_c = [(30 10^-3 )²∙ 3,14 ∙ 100 10³ ] /4 = 0.00105 вар,

т. е. не превышает допустимую. Масса, габариты и стоимость такой батареи кон­денсаторов, однако выше, чем оксидного конденсатора на 6800 мкФ.

Задача 2

Требуется обеспечить стабилизированное напряжение 5 В при токе 0,5А и амплитуде пульсаций не более 10 мВ. Нестабилизированное входное напряже­ние равно 3 В. Частота коммутации ключа импульсного стабилизатора ( рисунок 2.58 ) составля­ет 100 кГц.

Решение : 1 Максимальная выходная мощность равна

Р _вых = U_вых∙I_вых ,

Р _вых = 5∙ 0,5 = 2,5 Вт

2 Входная мощность стабилизатора равна

Р _вх = Р _вых / η ,

Р _вх = 2,5 / 0,8 = 3,125 Вт

где типичный коэффициент полезного действия выбираем из таблицы 2.1 для повышающего стабилизатора и который равен η =0,8 ( ).

Таблица 2.1. Сравнение топологий импульсных источников питания с ШИМ

Топология	Диапазон мощно­стей, Вт	Диапазон напряже­ний Uвх	Изоляция вход/выход	Типич­ный кпд, %	Относительная стоимость элементов
Понижающие	0-1000	5-40	Нет	78	1.0
Повышающие	0-150	5-40	Нет	80	1,0
Инвертирующие	0-150	5-40	Нет	80	1,0
Однотранзисторные прямоходовые	0-150	5-500	Да	78	1,4
Обратноходовые	0-150	5-500	Да	80	1,2
Пушпульные	100-1000	5-1000	Да	75	2,0
Полумостовые	100-500	5-1000	Да .	75	2,2
Полномостовые	400-2000+	5-1000	Да	73	2,5

3 Среднее значение входного тока равно

I_{вх. Ср}. = Р _вх / U _вх ,

I_{вх. Ср} = 3.125 / 3 = 1,04 А

4 Входной максимальный ток равен

I_{вх.макс.} = κ∙ Р _вых / U _вх ,

119

I_{вх.макс} = 5,5 ∙2,5 / 3 = 4,6 А.

где к= 1,4 — для понижающих, полупрямоходовых и полномостовых преобразова­телей; к = 2,8 — для полумостовых и прямоходовых преобразователей; к = 5,5 — для повышающих, инвертирующих и обратноходовых преобразователей.

5 Напряжение коллектор – эмиттер транзистора равно

U_кэо = U_вых = 3 В

6 Коллекторный ток транзистора равен

I_к = 2Р_вых/U_вх ,

I_к = 2 2,5 / 3 = 1.67 А

Выбираем транзистор типа КТ 823 -1, с предельными параметрами _Iк.макс.=2 А,

U_кэ = 45 В, Р_к.макс. = 20 Вт .

7 Выпрямительный диод U_пр.= 5 В , I_пр. = 0,5 А. Выбираем диод типа Шотки КД289АС с параметрами U_{обр. макс} = 25 В , I_пр. = 1 А.

Таблица 2.2. Оценка значимых минимальных параметров мощных полупроводниковых приборов

Топология	Биполярный ключ		Ключ на полевом транзисторе		Выпрямители
	Uкэо	Iк	Uси	Iс	Uпр	Iпр.
Понижающие	Uвх	Iвых	Uвх	Iвых	Uвх	Iвых
Повышающие	Uвых	2Рвых/Uвх (мин)	Uвых	2Рвых/Uвх (мин)	Uвых	Iвых
Инвертирующие	Uвх - Uвых	2Рвых/Uвх (мин)	Uвх - Uвых	2Рвых/Uвх (мин)	Uвх - Uвых	Iвых
Однотранзистор-ные прямоходовые.	2Uвх	1.5Рвых/Uвх ( мин)	2Uвх	1.5Рвых/Uвх (мин)	3Uвых	Iвых
Обратноходовые	1,7 Uвх.макс.	2Рвых/Uвх (мин)	1,5Uвх(мин)	2Рвых/Uвх(мин)	10 Uвых	Iвых
Пушпульные	2Uвх	1,2Рвых/Uвх (мин)	2Uвх	1,2Рвых/Uвх(мин)	2Uвых	Iвых
Полумостовые	Uвх	2Рвых/Uвх(мин)	Uвх	2Рвых/Uвх(мин)	2Uвых	Iвых
Полномостовы	Uвх	1,2Рвых/Uвх(мин)	Uвх	1,2Рвых/Uвх(мин)	2 Uвх	Iвых

Задачи для самостоятельной работы

1 Требуется обеспечить стабилизированное напряжение 9 В при токе 0,2А и амплитуде пульсаций не более 20 мВ. Нестабилизированное входное напряже­ние равно 6 В. Частота коммутации ключа импульсного стабилизатора ( рисунок 2.58 ) составля­ет 10 кГц.

120

2 Требуется обеспечить стабилизированное напряжение 12 В при токе 0,2А и амплитуде пульсаций не более 40 мВ. Нестабилизированное входное напряже­ние равно 16 В. Частота коммутации ключа импульсного стабилизатора ( рисунок 2.57 ) составля­ет 50 кГц.

3 Требуется обеспечить стабилизированное напряжение 24 В при токе 0,1А и амплитуде пульсаций не более 30 мВ. Нестабилизированное входное напряже­ние равно 30 В. Частота коммутации ключа импульсного стабилизатора ( рисунок 2.59 ) составля­ет 60 кГц.

Литература

1 Векслер Г.С., Пилинский В.В. Электропитающие устройства электроакустической и кинотехнической аппаратуры.-К.:Вища школа,1986. с.245…248, 286…301.

2 Прянишников В.А. Электроника: Полный курс лекций.-4-е изд. –СПб.: КОРОНА принт, 2004. с.351…355.

3 Браун М. Источники питания. Расчет и конструирование. : Пер. с анг. – К.: « МК- Пресс», 2005.- 288с. 35 …52.

4 Волович Г.И. Схемотехника аналоговых и аналого – цифровых электронных устройств. 2 – е изд. испр. – М.: Издательский дом « Додэка – ХХ1», 2007. – 528с., с.262…279.

5 Журнал « Радио », № 5, 2006 с.46..49.

121

Лекция 22

Экспресс - проверка знаний пройденного материала :

1 Нарисуйте схему инвертирующего импульсного стабилизатора.

2 Нарисуйте схему повышающего импульсного стабилизатора.

3 Нарисуйте схему понижающего импульсного стабилизатора.

4 Нарисуйте обобщенную структурную схему импульсного

стабилизатора напряжения.

5 Нарисуйте функциональную электрическую схему импульсного стабилизатора

напряжения