
- •Тема 2.8 Полупроводниковые инверторы и преобразователи напряжения
- •2.8.1 Общие сведения
- •2.8.2 Однотактные инверторы
- •2.8.3 Двухтактные инверторы на транзисторах
- •Тема 2.8 Полупроводниковые инверторы и преобразователи напряжения
- •2.8.1 Общие сведения
- •2.8.2 Однотактные инверторы
- •2.8.3 Двухтактные инверторы на транзисторах
- •9 Напишите ключевые слова к теме лекции 23.
- •2.8.4 Двухтактные инверторы на тиристорах
- •2.8.4 Двухтактные инверторы на тиристорах
- •5 Напишите ключевые слова к теме лекции 24.
- •2.8.5.2 Источники бесперебойного электропитания
- •5 Напишите ключевые слова к теме лекции 25.
- •Тема 2.9 Средства обеспечения электромагнитной совместимости устройств электропитания и радиоэлектронной аппаратуры
- •Тема 2.9 Средства обеспечения электромагнитной совместимости устройств электропитания и радиоэлектронной аппаратуры
- •2.9.2 Измерение уровня электромагнитных помех
- •2.9.3 Основные способы ослабления электромагнитных помех
- •6 Напишите ключевые слова к теме лекции 26.
- •Тема 2.10 Устройства защиты источников вторичного электропитания
- •2.10.1 Общие сведения
- •2.10.2 Пассивные и активные схемы защиты источников электропитания
- •2.10.2.1 Пассивные схемы защиты
- •2.10.2.2 Активные схемы защиты источников электропитания
- •Тема 2.10 Устройства защиты источников вторичного электропитания
- •2.10.1 Общие сведения
- •2.10.2 Пассивные и активные схемы защиты источников
- •2.10.2.1 Пассивные схемы защиты
- •2.10.2.2 Активные схемы защиты источников электропитания
- •Тема 2.11 Миниатюризация источников вторичного электропитания.
- •2.11.1 Актуальность и пути комплексной миниатюризации источников вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуры
- •8 Напишите ключевые слова к теме лекции 27.
- •Тема 2.12 Контроль параметров источников вторичного электропитания
- •2.12.1 Общие сведения
- •2.12.2 Контроль параметров стабилизированных источников вторичного электропитания
- •Тема 2.12 Контроль параметров источников вторичного электропитания
- •2.12.1 Общие сведения
- •2.12.2 Контроль параметров стабилизированных источников вторичного электропитания
- •Тема 2.13 Проектирование источников вторичного электропитания
- •2.13.1 Этапы проектирования
2.8.3 Двухтактные инверторы на транзисторах
Двухтактные инверторы, работающие в режиме автогенератора или усилителя мощности, широко применяются в источниках вторичного электропитания. Наиболее известным является инвертор с самовозбуждением с отводом от средней точки первичной обмотки трансформатора ( схема Ройера ).
Принципиальная схема двухтактного инвертора представлена на рисунке 2.72,а. Она состоит из двух транзисторов VT1 и VT2 , которые включены по схеме с общим эмиттером. Резисторный делитель R1 и R2 предназначены для подачи напряжения на транзисторы для надежного запуска инвертора. На резисторе R1 создается падение напряжение порядка 0,5…1,0 В, которое плюсом прикладывается к базе транзисторов, тем самым способствует отпиранию транзисторов. Конденсатор С во время включения инвертора позволяет получить повышенное значение напряжения на резисторе R1, что обеспечивает более надежный запуск, благодаря возрастанию базовых токов транзисторов.
Рассмотрим работу ненагруженного инвертора, выделив при этом три стадии.
Стадия 1 ( интервал времени о…t1 рисунок 2.72,б) наблюдается только при подключении инвертора к источнику питания. Положим, что рабочая
138
точка магнитопровода находится в условной области 1 петли гистерезиса
( рисунок 7.52,в). При включении источника питания Uо с резистора R1 напряжение смещения через обмотки обратной связи w4 , w5 поступает на базы транзисторов VT1 и VT2 , обеспечивая их работу в активном режиме.
а-
принципиальная электрическая схема;
б- временные диаграммы ;
в- процесс перемагничевания магнитопровода
трансформатора
Рисунок 2.72- К принципу работы транзисторного двухтактного инвертора
Поскольку абсолютной индентичности двух даже однотипных транзисторов достичь невозможно, значения коллекторных токов Iк1 и Iк2 несколько отличаются ( пусть Iк1>Iк2 ). При этом намагничивающая сила
F=(Iк1 – Iк2 ) wк возбуждает нарастающий магнитный поток Ф.
Появление изменяющегося по значению магнитного потока приводит к появлению ЭДС на всех обмотках трансформатора.
Обмотки обратной связи подключены таким образом, что полярность ЭДС обратной связи способствует дальнейшему возрастанию тока в одном контуре и уменьшения тока в другом ( в данном примере - увеличению Iк1 и уменьшению Iк2 ).
Процесс развивается лавинообразно. В результате транзистор VT1 входит в режим насыщения, VT2 – режим отсечки ).
Стадия 2 [ интервал времени t1…t2 (рисунок 2.72,б), область 2 петли гистерезиса (рисунок 2.72,в)].
Поскольку транзистор VT1 полностью открыт (замкнут), напряжение источника питания Uо приложено к цепи с индуктивностью коллекторной полуобмотки трансформатора wк1. Ток в обмотке и магнитный поток Ф в
139
магнитопроводе возрастает линейно. Напряжение источника питания Uо уравновешивается ЭДС e1 на зажимах полуобмотки w1. Пренебрегая падением напряжения в проводах и на замкнутом транзисторе VT1, частоту рабочего цикла можно определить по формуле
f=1/Т = (Uо –Uкэ нас.)/4 Внас. W1 Sст, ( 2.68 )
здесь учтено падение напряжение на замкнутом транзисторе Uкэ нас.
Стадия 3 ( интервал времени t2…t3, рисунок 2.72,б, область 3 петли гистерезиса, рисунок 2.72,в).
С момента времени t2 индукция в магнитопроводе трансформатора достигает значения насыщения Внас мах, при этом резко уменьшается изменение потока Ф и уровень ЭДС, но возрастает напряженность магнитного поля Н (переход из области 2 в область 3 петли гистерезиса). В соответствии с законом полного тока увеличение Н влечет за собой возрастание тока в цепи коллектора VT1 и Iк1.
Однако при неизменном токе базы VT1, значение которого определяется из равенства Iб = Uб/Rб ( Rб - входное сопротивление замкнутого транзистора и проводов), возрастание тока Iк1 возможно только при перемещении рабочей точки транзистора VT1 по коллекторной характеристики из положения 1 в положение 2 ( транзистор VT1 из режима насыщения переходит в область активного режима) (рисунок 2.73). При этом увеличивается падение напряжение на транзисторе VT1 и в результате - уменьшается напряжение на обмотке w1. Это в свою очередь приводит к уменьшению ЭДС обратной связи на зажимах полуобмотках w4 и w5 . Уменьшение уровня ЭДС на обмотках трансформатора поясняется и тем, что при насыщении магнитопровода отсутствует изменения индукции (dB/dt=0 , т.е. и dФ/dt=0).
С уменьшением ЭДС обратной связи уменьшается значение напряжения смещения на базах транзисторов VT1 и VT2, что приводит к лавинообразному размыканию транзистора замыканию транзистора VT2 - происходит переключение транзисторов.
Рисунок 2.73- Выходная вольт- амперная характеристика транзистора VT1
140
В результате транзистор VT1 переходит в режим отсечки, транзистор VT2 - в режим насыщения и процесс повторяется, рабочая точка перемещается по петле гистерезиса в область 4.
Двухтактные транзисторный инверторы с самовозбуждением используются как силовые каскады ИВЭП при преобразуемых мощностях в несколько десятков вольт-ампер ; при больших мощностях такие инверторы выполняют функции задающих генераторов ( в ИВЭП с силовыми каскадами на базе усилителей мощности).
К достоинствам автогенератора относится свойство самозащиты от короткого замыкания, при котором колебания прекращаются - транзисторы размыкаются.
Двухтактные инверторы наряду с положительными свойствами имеют ряд недостатков. При работе с независимым возбуждением из-за этапа рассасывания носителей в транзисторах в процессе коммутации могут наблюдаться режимы, когда замыкаемые и размыкаемые транзисторы находятся в активной области. При этом образуется коротко - замкнутая цепь, по которой протекает так называемый «сквозной» ток большой амплитуды. Такой режим является опасным для элементов силовой цепи, приводит к дополнительным потерям мощности и увеличению уровня электромагнитных помех.
Дополнительный материал к лекции 23 для самостоятельной работы
М
остовой
инвертор.
Схема силового каскада мостового
инвертора, показанная на рисунке 2.74, по
топологии аналогична схеме мостового
выпрямителя,
в котором вместо диодов установлены
транзисторы.
Рисунок 2.74 - Принципиальная схема силового каскада мостового инвертора
Учитывая, что назначением инвертора является преобразование постоянного напряжения в разнополярное, полюсы входного источника постоянного напряжения подключены к соединению одноименных выводов транзисторов, а нагрузочная цепь ( как правило, виде первичной обмотки трансформатор) включая в диагональ моста, - к точкам соединения разных
141
электродов – коллектор и эмиттера.
Принцип работы схемы заключается в том, что поочередно включается пара транзисторов ( VT1, VT 4 ) , а потом пара транзисторов ( VT3, VT4). Через пары протекают токи i1= i4 и i3 = i2. Полагаем, что транзисторы по току используются полностью, т.е. iк =Iк макс. Доп. Токи через первичную обмотку трансформатора TV протекают встречно и создают на ней переменное разнополярное напряжение с амплитудой, равной Uп – 2 UКЭ нас.≈Uп.
Достоинство схемы, транзисторы выбираются с меньшим коллекторным напряжением, по сравнением со схемой ( рисунок 2.72 ). Подмагничевание магнитопровода отсуствует.
Недостатки схемы, используются четыре транзисторов. При этом также усложняется схема управления, возрастают потери.
Полумостовой инвертор. Схема силового каскада показана на рисунке 2.73.
Рисунок 2.73 – Принципиальная схема силового каскада полумостового
инвертора
Особенностью полумостового инвертора является необходимость применения источника электропитания с отводом от средней точки.
Это легко реализуется, если в качестве источника электропитания используется аккумуляторная батарея с четным числом последовательно соединенных секций. При питании от выпрямителя средняя точка (нулевой потенциал Un) создается емкостным делителем.
Принцип работы схемы. При замкнутом транзисторе VT1 к первичной обмотке трансформатора приложено напряжение 0,5Un, такое же по значению напряжение
противоположной полярности приложено к первичной обмотке при замкнутом VT2.
Резонансные инверторы. Может показаться, что ключевой метод регулирования напряжения, например на основе ШИМ, является идеальным в смысле минимума потерь энергии. Это действительно так, если сравнивать широтно-импульсные регуляторы с непрерывными (линейными), где стабилизация осуществляется за счет рассеяния энергии на регулирующем элементе. Реально же потери
(рисунок 2.74 ) в ключевых регулирующих элементах пренебрежимо малы лишь на относительно низких частотах переключения в пределах 20...40 кГц. Разработчики
142
стремятся повысить частоту переключения, поскольку это позволяет уменьшить размеры, вес и стоимость магнитных элементов и фильтровых конденсаторов, однако с ростом частоты увеличиваются динамические потери (потери на переключение). Развитие МОП- транзисторов и появление новых моделей ИМС контроллеров позволило несколько отодвинуть эту границу в сторону высоких частот, но не радикально.
1 – потери в меди ;
2 - потери на переключение ;
3 – потери в стали ;
4 – результирующая характеристика
Рисунок 2. 74 - Потери мощности в инверторе
Потери на переключение вызваны тем, что переход от включенного состояния транзистора к выключенному и обратно происходит не мгновенно, а в течение определенного, пусть даже и малого времени. Во время переключения рабочая точка транзистора находится в активной области выходных характеристик (рисунок 2.75).
Рисунок 2.75 - Траектория переключения МОП - транзистора
В идеале переключение транзистора следовало бы проводить по траектории 1.
143
Например, для перевода транзистора из выключенного состояния (точка В) во включенное (точка А), следует сначала при нулевом токе уменьшить напряжение сток— исток Uси транзистора до нуля (точка 0), а затем увеличить ток до установившегося значения. Практически же, если не приняты специальные меры, из-за наличия паразитных емкостей и индуктивностей переключение будет происходить по траектории 2. При этом на транзисторе выделяется значительная электрическая мощность, преобразующаяся в тепло.
Таким образом, для уменьшения потерь на переключение следует открывать транзистор, когда напряжение на нем равно нулю, а закрывать при нулевом токе. Эти условия можно обеспечить за счет использования резонансных колебаний в цепях с ключевыми элементами. Упрощенная схема резонансного преобразователя, работающего при нулевом токе переключения (так называемый ПНТ-преобразователь), показана на рисунке 2.76.
Рисунок 2.76 - Схема резонансного преобразователя, работающего при
нулевом токе переключения ( ПНТ – преобразователь )
Эта схема является резонансным вариантом прямоходовои схемы. Здесь простой ключ заменен резонансным ключом, состоящим из компонентов VT, L1, C1. В принципе в качестве резонансной индуктивности может использоваться индуктивность рассеяния трансформатора.
Пусть первоначально транзистор закрыт. Выходной ток течет за счет энергии, запасенной в дросселе выходного фильтра L2, через диод VD4 в нагрузку. В некоторый момент времени, определяемый схемой управления, ключ VT открывается. Колебательный контур, образованный катушкой L1 и конденсатором C1, начинает получать энергию. Заряд конденсатора C1 и последующий его разряд будут происходить по закону, близкому к синусоидальному, с частотой, равной резонансной частоте контура L1C1. Одновременно ток в катушке L1 также будет изменяться по синусоидальному закону — вначале увеличиваться, затем уменьшаться. Когда этот ток уменьшится до нуля, нужно закрыть ключ. При этом диод VD2 предотвращает обратный ток через паразитный диод МОП- транзистора, который мог бы быть вызван продолжающимся резонансным процессом.
Когда ток в катушке L1 становится равным нулю, выходной ток течет через дроссель L2, диод VD3 и конденсатор C1, который быстро разряжается. Как только он
144
разряжается до нуля, открывается диод VD4. На этом один резонансный цикл заканчивается, и с открывания транзистора VT начинается следующий цикл. Так как транзистор открывается и закрывается при нулевом токе, потери на переключения будут минимальны. В связи с тем, что переход тока с диода VD3 к диоду VD4 и обратно замедлен присутствием индуктивности L2 и емкости C1, потери энергии будут также снижены и в диодах. Уменьшаются также скорости нарастания токов и напряжений, что способствует снижению уровней электромагнитных помех и перенапряжений на элементах схемы.
В
рассмотренной схеме переключение
силового транзистора происходит при
нулевом токе через него. Существуют
также схемы, в которых транзистор
переключается
при нулевом напряжении (ПНН- преобразователи).
Схемы первого
типа (переключение при нулевом токе —
ПНТ) лучше подходят для сетевых
источников питания с повышенным питающим
напряжением; схемы второго
типа — для преобразователей постоянного
тока с более низким напряжением
питания. Схема простейшего ПНН-преобразователя
и временные
диаграммы его работы представлены на
рисунок 2.77.
а) б)
Рисунок 2.77 - Схема преобразователя с переключением при нулевом напряжении ( а) , эпюры напряжений и токов (б)
Как видно, это простой понижающий преобразователь. В конце интервала открытого состояния ключа ( МОП – транзистор VT ) конденсатор резонансного
контура C разряжен, а ток индуктивной катушки резонансного контура L равен выходному току (полагаем выходной ток постоянным). При запирании ключа открывается диод VD и начинается колебательный переходный процесс заряда конденсатора C током катушки L, причем если пренебречь потерями, то можно считать, что этому процессу отвечает дифференциальное уравнение
L·С ( d2I/dt2) + I = 0, ( 2.69)
решение которого представляет собой синусоиду. При этом начальная фаза напряжения на конденсаторе Uc (оно же — напряжение сток—исток транзистора)
145
равна нулю (рисунок 2.77, б), и соответственно фаза тока в катушке — 90°(т. е. ток в катушке равен своему амплитудному значению). По прошествии времени, равного половине периода собственных колебаний резонансного контура LC, напряжение на ключе вновь достигает нуля. В этот момент следует подать отпирающий сигнал на затвор транзистора. Таким образом, выключение и включение ключа происходит при нулевом напряжении на нем. Примечательно, что при отпирании ключа последний не сразу перехватывает весь ток у диода. Этот процесс благодаря наличию в цепи катушки L имеет заметную длительность
∆ Т = L· ( Iвых /Iвх ) , ( 2.70 )
что снижает потери в диоде и электромагнитные помехи, порождаемые электрической схемой .
Методика переключения при нулевом напряжении применима ко всем основным способам импульсного преобразования электрического тока: к понижающим, повышающим и инвертирующим преобразователям, а также прямо-ходовым, обратноходовым, полумостовым и мостовым инверторам.
Достоинства ПНН:
- токи в цепях схемы не превышают значений соответствующих токов обычного
преобразователя;
- пониженная мощность управления ключом (нет эффекта Миллера).
Недостатки ПНН:
- повышенное значение максимального напряжения на закрытом одиночном
ключе;
- частота преобразования обратно пропорциональна току нагрузки.
Вопросы для самопроверки
1 В чем отличие функционального узла инвертора от преобразовательного устройства ?
2 Нарисуйте упрощенные структурные схемы преобразователей напряжения
3 Нарисуйте принципиальную схему однотактного инвертора и поясните принцип работы.
4 Нарисуйте принципиальную схему двухтактного инвертора и поясните принцип работы.
5 В портативных телевизорах и осциллографах часто используют преобразователи напряжения. С какой целью ?
6 Почему сердечник магнитопровода трансформатора инвертора имеет прямоугольную петлю гистерезиса ?
7 Нарисуйте временные диаграммы, объясняющие работу двухтактного инвертора напряжения.
8 Назовите достоинства и недостатки полупроводниковых инверторов напряжения.
9 Назовите достоинства резонансных инверторов.
10 Назовите недостатки резонансных инверторов.
146
Примеры задач до темы лекции 23
Задача 1
Выберите транзистор для инвертора ( рисунок 2.72 ) для следующих исходных данных : напряжение источника питания Е= 10 В, выходное напряжение инвертора Uвых = 220 В , выходной ток Iвых = 0,1 А и частота преобразование fпр=1 кГц.
Решение : 1 Максимальное значение коллекторного тока каждого транзистора равно
Iк.макс. = (I вых.·Uвых ) / Е·η ,
Iк.макс = (0,1 ·220 ) / 10 · 0,8 = 2,75 А
где принят К.П.Д. инвертора η = 0,8
2 Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером каждого транзистора в двухтактной схеме равно
UКЭ.нас = 1,2 ·κзап.· Е ,
UКЭ.нас = 1,2 · 2 · 10 = 24 В.
где κзап =2 запас по допустимому напряжению.
3 По значениям Iк.макс и UКЭ.нас выбираем тип транзистора КТ816 Б со следующими параметрами Iк.максдоп. = 3 А, UКЭ.нас.доп. = 45 В. Р к макс. Доп.= 25 Вт. , предельная частота fпр. = 1 МГц.
Задача 2
Рассчитайте пассивные элементы в инверторе ( рисунок 2.72 ) , если максимальный коллекторный ток равен Iк.макс = 2,75 А, статический коэффициент передачи тока h21Э = 25, напряжение источника питания Е= 10 В.
Решение : 1 Вычисляем сопротивления делителя напряжения R1 и R2 . Ориентировочное сопротивление резистора R1 определяется по формуле
R1 = (3…4) h21Э / Iк.макс·Кнас ,
R1 = 4 · 25 / 2,75 · 2 = 18 Ом.
где коэффициент насыщения Кнас = 2.
Выбираем по стандарту значение R1 = 18 Ом.
2 Вычисляем величину сопротивления резистора R2 . Задаваясь падением напряжения на резисторе UR1 = 1 В.
R2 = ( Е - UR1 ) / ( UR1 / R1 ) ,
147
R2 = ( 10 – 1 ) / (1/18) = 161 Ом
Выбираем по стандарту значение R2 = 160 Ом.
3 Определяем мощность резисторных делителей R1 и R2
Р R1 = U 2R1 / R1 ,
Р R1 = 12/ 18 = 0,055 Вт,
Р R2 = U 2R2 / R2 ,
Р R1 = 92/ 160 = 0,5 Вт,
Определяем по стандарту значения резисторов
R1 - С2-33 – 0,125 Вт – 18 Ом ± 5 % ,
R2 – С2-33 – 0,5 Вт – 160 Ом ±5%.
4 Ёмкость блокировочного конденсатора С1 выбирается в пределах 0,5 …1 мкФ.
По стандарту выбираем К73 – 17 – 0,68 мкФ × 63 В ±10%.
Задача 3
Рассчитайте величину ёмкости конденсатора С1 и С2 в полумостовом инверторе
( рисунок 2.73 ), если напряжение источника питания Е= 10 В , частота преобразования fпр =10·103 Гц, изменения напряжения на конденсаторах
∆U = 1 В, нагрузочное сопротивление инвертора, приведенное к первичной обмотке трансформатора R'н = 10 Ом.
Решение : 1 Коэффициент пульсации напряжения на конденсаторе равна
kп = ∆Uс / 0,5· Uп ,
kп = 1 / 0,5 10 = 0,2
2 Ёмкость конденсаторов, на которых напряжение составляет 0,5 Uп определяется по формуле
С1=С2 ≥ 1 / 2· R'н ·fпр ·kп ,
С1=С2 ≥ 1 / 2 ·10 · 10 ·103 · 0,2 = 25 мкФ.
По стандарту выбираем С1=С2 - К50-35 – 30 мкФ × 25 В ±10%.
Задачи для самостоятельной работы
1 Выберите транзистор для инвертора ( рисунок 2.72 ) для следующих исходных данных : напряжение источника питания Е= 24 В, выходное
148
напряжение инвертора Uвых = 127 В , выходной ток Iвых = 0,2 А и частота преобразование fпр=10 кГц.
2 Рассчитайте пассивные элементы в инверторе ( рисунок 2.72 ) , если максимальный коллекторный ток равен Iк.макс = 5 А, статический коэффициент передачи тока h21Э = 40, напряжение источника питания Е= 6 В.
3 Рассчитайте величину ёмкости конденсатора С1 и С2 в полумостовом инверторе ( рисунок 2.73 ), если напряжение источника питания Е= 24 В , частота преобразования fпр =20·103 Гц, изменения напряжения на конденсаторах
∆U = 0,1 В, нагрузочное сопротивление инвертора, приведенное к первичной обмотке трансформатора R'н = 5 Ом.
Литература
1 Векслер Г.С., Пилинский В.В. Электропитающие устройства электроакустической и кинотехнической аппаратуры.-К.: Вища школа, 1986. с.181…184, 202…219.
2 Прянишников В.А. Электроника. Полный курс лекций.-4-е изд.СПб.:КОРОНА принт.,2004.с. 356…361.
3 Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники.- К.:Вища школа, 1989. с.382…384.
4 Артомонов Б.И., Бокуняев А.А. Источники электропитания радиоаппаратуры.- М.: Энергоиздат, 209…217.
5 Волович Г.И. Схемотехника аналоговых и аналого – цифровых электронных устройств. 2 – е изд. испр. – М.: Издательский дом « Додэка – ХХ1», 2007. – 528с., с.288..303.
149
Лекция 24
Экспресс - проверка знаний пройденного материала :
1 Нарисуйте упрощенные структурные схемы ИВЭП.
2 Нарисуйте структурную схему простейшего преобразователя напряжения.
3 Нарисуйте принципиальную схему однотактного прямоходового
преобразователя напряжения.
4 Нарисуйте принципиальную схему транзисторного двухтактного инвертора.
5 Нарисуйте принципиальную схему силового каскада мостового инвертора.
6 Нарисуйте принципиальную схему силового каскада полумостового инвертора.
7 Нарисуйте схему резонансного преобразователя, работающего при нулевом
токе переключения ( ПНТ – преобразователь ).
8 Нарисуйте схему преобразователя с переключением при нулевом напряжении,
эпюры напряжений и токов.