Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лекц. 6,7,8.doc
Скачиваний:
0
Добавлен:
04.01.2020
Размер:
675.84 Кб
Скачать

67

Лекция 6

Экспресс - проверка знаний пройденного материала:

1 Нарисуйте П- образную физическую эквивалентную схему транзистора

( схему Джиколетто.)

2 Нарисуйте динамическую характеристику в семействе выходных

характеристик и входную динамическую характеристику .

3 Нарисуйте схему транзистора (а), эквивалентная схему четырёхполюсника

транзистора ( б) и формальную эквивалентную схему транзистора.

4 Напишите ключевые слова к теме лекции 5

После изучения лекции 6 студент должен знать : как работает резисторный каскад на биполярном и полевом транзисторе, как работает трансформаторный каскад.

Уметь: нарисовать схемы резисторных и трансформаторных усилителей

План ( логика ) изложения материала

1.4 Каскады усилителей звуковой частоты

1.4.1 Каскады предварительного усиления

1.4.1.1 Требования к предварительным каскадам

1.4.1.2 Резисторный каскад на биполярном транзисторе

( схема с общим эмиттером)

1.4.1.3 Резисторный каскад на полевом транзисторе

( схема с общим истоком )

1.4.1.4 Трансформаторный каскад

Дополнительный материал к лекции 6 для самостоятельной работы

Резистивный каскад усилителя на электронных лампах

1.4 Каскады усилителей звуковой частоты

1.4.1 Каскады предварительного усиления

1.4.1.1 Требования к предварительным каскадам

Требования к каскадам предварительного усиления вытекают из их назначения - усиливать напряжение или ток, создаваемые источ­ником сигнал на входе, до величины, необходимой для возбуждения каскадов усиления мощности. Поэтому наиболее важными показателя­ми для предварительных каскадов является коэффициенты усиления напряжения и тока, частотная характеристика и частотные искажения.

Амплитуда сигнала в предварительных каскадах обычно мала, по­этому в большинстве случаев нелинейные искажения невелики и коэф­фициент гармоник не определяют. А также каскад предварительного усиления работает в пределах линейного участка входной характеристи­ки усилительного элемента.

Ток покоя Iо в каскадах предварительного усиления обычно превы­шает амплитуду усиленного сигнала. Это значит, что КПД каскада оказывается низким. Но поскольку потребляемая мощность источника электропитания этих каскадов небольшая, то потери энергии в них нез­начительны. Поэтому КПД каскадов

68

предварительного усиления не оп­ределяют.

Необходимое предварительное усиление не может быть обеспече­но одним каскадом. Для уменьшения числа требуемых каскадов вы­бираются транзисторы с большим статическим коэффициентом уси­ления тока. Для первых каскадов

обязательным условием также яв­ляется малый собственный шум транзистора. Поэтому для первых каскадов выбирают малошумящих транзисторов и снижают по воз­можности ток покоя Iко и напряжение Uko.

Наибольшее распространение в предварительных каскадах получи­ла схема включения транзистора с общим эмиттером, позволяющая получать наибольшее усиление и имеющее достаточно большое входное сопротивление, так что каскады можно соединять без согласующих трансформаторов, не теряя в усилении.

При большом числе предварительных каскадов также важно, что­бы схема отличалась простотой, компактностью, строилась на деталях массового производства , имеющих небольшие габариты, массу и стои­мость. Этим требованиям отвечает резисторный каскад., который мо­жет обеспечить усиление в широкой полосе частот при малых искажениях и не подвержен наводкам магнитных полей.

1.4.1.2 Резисторный каскад на биполярном транзисторе ( схема с общим эмиттером)

Резисторный каскад ОЭ обычно является частью многокаскадного усилителя. На передачу сигнала таким каскадом влияют элемен­ты межкаскадной связи и входной цепи следующего каскада. Полная электрическая схема резисторного каскада на биполярном транзисторе приведена на рисунке 1.28.

Рисунок 1.28 – Полная принципиальная схема резисторного каскада на

биполярному транзисторе

69

Назначение элементов данной схемы следующее: VT-биполярный транзистор - усилительный элемент ; Rк - резистор коллекторной нагрузки;

R1,R2- образуют делитель для по дачи на базу транзистора VT1 напряжения смещения, обеспечивающего исходный режим, т.е. для смещения рабочей точки покоя А в заданный участок характеристики;

R1сл.,R2сл-образуют делитель для подачи на базу транзистора VT2 напряжения смещения и являются нагрузкой усилительного каскада собранного на транзисторе VT1;

C1, C2-разделительные конденсаторы (являются элементами меж­каскадных связей, предотвращают проникновение постоян­ной составляющей сигнала с выхода одного каскада усиле­ния на вход другого, могут использоваться для коррекции частотных характеристик);

Rэ, Rэ.сл.- резисторы обеспечивают температурную стабилизацию режима покоя каскада.;

Сэ, Сэ.сл- конденсатор шунтирует резистор Rэ по переменному току, исключая отрицательную обратную связь по I току. Отсутствие конденсатора Сэ вызывает уменьшение коэф­фициента усиления вследствие наличия отрицательной обрат­ной связи .Уменьшает сопротивление переменному току в цепи эмиттера. Может использоваться для частотной коррек­ции.; Сф1, Rф1ф2, Rф2 - развязывающие фильтры предназначены для уменьшения

паразитной связи в цепи электропитания коллекторов тран­зисторов. Если не применять развязывающие фильтры, то кол­лекторы транзисторов VTl и VT2 будут подключены к источ­нику электропитания параллельно и они окажутся связанными между собой через внутреннее сопротивление источника электропитания. Такая связь является паразитной и может привести к ухудшению показателей усилителя;

Е - источник электропитания.

Принцип действия резисторного каскада основан на свойствах схемы с общим эмиттером.

Постоянная составляющая тока коллектора протекает от положи­тельного полюса источника электропитания +Е , общий провод, через Rэ, эмиттерный и коллекторный переходы VT1 и Rk , резистор филь­тра Rф2 к отрицательному полюсу источника -Е

( рассматриваются цепи электропитания применительно к транзистору р-п-р ).

+Е→ ┴ → Rэ → ( э-б-к )VT1 → Rк→Rф2→-Е.

При подаче сигнала на вход в коллекторной цепи появляется переменная составляющая тока. В схеме ОЭ отрицательной полуволне сигнала на базе соответствует положительная полуволна усиленного сигнала на коллекторе ( знаки в скобках). Переменная составляющая тока в этот полупериод проходит от коллектора по внешней цепи к эмиттеру (волнистые стрелки на схеме ). Для переменного тока коллекторная цепь представляет ряд параллельных ветвей.

1) коллектор (+)VT1→C2—>база-эмитгер VT2 —>Сэ.сл—>общий провод— >Сэ— эмиттер (-)VTl ;

70

2) коллектор (+)VT1—>Rк—>Сф2→ общий провод —>Сэ—эмиттер (-)VTl;

3) коллектор (+)VТ1→С2→R2сл→общий провод —>Сэ—”эмиттер (-)VTl;

4) коллектор (+)VТ1→С2→R1сл—>Сф2—>общий провод — >Сэ —> эмиттер(-)VТ1.

. Таким образом, общим сопротивлением нагрузки для переменного тока Rk~ является эквивалентное сопротивление параллельно вклю­ченных Rк,R1сл,R2сл и Rвx.сл. Полезной является только составляющей выходного переменного тока Iвых = Iб.сл, протекающая по первой из названных ветвей.

Эквивалентная электрическая схема резисторного каскада для переменной составляющей тока коллектора (рисунок 1.29) может быть составлена, если транзистор заменить схемой замещения его выходной цепи и подключить к ней все элементы, нагружающие транзистор по переменному току.

При этом следует пренебречь сопротивлением источника электро­питания для переменного тока, а также сопротивлением параллельно включенных R3 и Сэ, так как при больших ёмкостей конденсаторов Сф и Сэ можно считать При этом следует пренебречь сопротивлением источника электро­питания для переменного тока, а также сопротивлением параллельно включенных R3 и Сэ, так как при больших ёмкостей конденсаторов Сф и Сэ можно считать обкладки замкнуты накоротко для частот сиг­нала.

Объединить все включенные параллельно после Сс активные соп­ротивления в одно эквивалентное входное сопротивление следующе­го каскада Rвх2:

Rвх2 = 1 / (1/R1сл+1/R2сл+1/Rвх.сл), ( 1.43 )

во вторых, заменить ёмкости См и Свх.сл, а также Ск, подклю­ченную у ним через очень малое сопротивление ёмкости С2, суммарной эквивалентной входной ёмкостью следующего каскада Со:

Со = Свх.слмк. ( 1.44)

Со стороны выхода транзистор может быть представлен эквива­лентным генератором, ЭДС которого равна Кхх·Uвых, а внутреннее сопротивление равно Rвых транзистора при включении ОЭ. В эквивалентной схеме, приведенной на рисунке 1.29 имеются частотно-зависимые элементы С2 и Со. Это означает, что при посто­янной амплитуде напряжения на входе, напряжение на выходе Uвых зависит от частоты входного напряжения, т.е. коэффициент усиления каскада зависит от частоты. При уменьшении частоты сигнала сопротивление конденсатора С2 увеличивается, падение напряжения на нем возрастает, в результате напряжение на выходе Uвых уменьшается. Поэтому с понижением частоты коэффициент усиления каскада уменьшается.

71

Рисунок 1.29 - Упрощенная эквивалентная схема резисторного каскада

На высоких частотах проявляются шунтирующие действие ёмкос­ти Co. С повышением частоты входного сигнала сопротивление ёмкости уменьшается, а следовательно, и падение напряжения сигнала на ней уменьшается. Поэтому с повышением частоты коэффициент уси­ления каскада уменьшается.

В области средних частот потери напряжения на конденсаторе С2 невелики.

Для того чтобы коэффициент усиления резисторного каскада в рабочем диапазоне частот оставался постоянным, ёмкость раздели­тельного конденсатора С2 выбирают по возможности большей, а па­разитную ёмкость монтажа Со стремятся уменьшить.

Рисунок 1.30 - Характеристики амплитудно –частотная (а) и фазо-частотная ( б) резисторного каскада

72

Все резисторные каскады, независимо от типа используемых в них транзисторов, имеют одинаковый вид частотных и фазовых харак­теристик. Все различие в характеристиках этих каскадов носят только количественный характер.