
- •Оглавление
- •6 Лабораторная работа № 6 51
- •7 Включить рс 62
- •8 Приложение 1 64
- •9 Приложение 2 64 предисловие
- •Лабораторная работа №1
- •1.1Определение удельных электрических сопротивлений твердых диэлектриков
- •Рабочее задание
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Домашнее задание
- •Описание лабораторной установки
- •Рабочее задание
- •Порядок проведения работы
- •Обработка результатов измерений
- •Контрольные вопросы
- •3Лабораторная работа №3 Определение диэлектрической информации тангенса угла диэлектрических потерь твердых диэлектриков (электроизоляционных материалов) на высоких частотах
- •3.1Домашнее задание
- •3.2Описание лабораторной установки
- •3.3Рабочее задание
- •3.4Порядок проведения работы
- •3.5Обработка результатов измерений
- •3.6Контрольные вопросы
- •4Лабораторная работа №4 Исследование электрической прочности твердых диэлектриков
- •4.1Теоретические основы работы
- •4.2 Задание
- •4.3 Описание экспериментальной установки и методика выполнения работы
- •4.4Меры безопасности
- •4.5 Подготовка стенда к работе
- •4.6 Порядок работы
- •4.7Обработка результатов измерений
- •4.8Контрольные вопросы
- •5 Лабораторная работа № 5 Проводниковые и полупроводниковые материалы
- •5.1Температурные зависимости электрических сопротивлений проводниковых и полупроводниковых материалов
- •5.2Теоретические основы
- •5.3Полупроводниковые материалы: определение и классификация
- •5.4Основные параметры полупроводников
- •5.5Собственные и примесные полупроводники, типы носителей заряда. Собственная проводимость
- •5.6Зависимость подвижности носителей заряда от температуры
- •5.7Зависимость концентрации носителей заряда от температуры
- •5.8Зависимость удельной проводимости от температуры
- •5.9Время жизни носителей заряда и диффузионная длина
- •5.10 Рабочее задание
- •5.11 Описание установки
- •5.12 Порядок выполнения работы
- •6 Лабораторная работа № 6 исследование магнитомягких материалов
- •6.1Методические указания
- •6.2 Теоретические сведения о магнитных материалах и их свойствах
- •6.3Классификация магнитных материалов
- •6.4 Петля гистерезиса
- •6.5Магнитомягкие и магнитотвердые магнитные материалы
- •6.6Методика измерений
- •6.7Устройство и работа автоматизированного стенда
- •6.8 Программное обеспечение стенда
- •6.9Проведение измерений
- •6.10Выполнение работы
- •6.11Порядок работы с компьютером
- •7Включить рс
- •8Приложение 1
- •9Приложение 2
6.6Методика измерений
Петлю гистерезиса при перемагничивании феррита можно получить на экране осциллографа. Для этого нужно поместить исследуемый материал в переменное магнитное поле, на входные клеммы осциллографа по осям "X" и “Y" подать соответственно напряжения, пропорциональные напряженности внешнего поля Н и магнитной индукции В в ферритовом образце. Такой метод можно реализовать по схеме, изображенной на рис. 2.
Здесь на ферритовом тороиде имеются две обмотки. Первичная обмотка питается переменным током I1 от генератора Г через сопротивление R1
Напряженность магнитного поля внутри этой обмотки равна
H(t) = (n1/ℓ) · I1(t),
где n1 число витков в первичной обмотке, ℓ — средняя длина окружности в тороиде (ℓ = π(rвнеш + rвнут), rвнеш и rвнут — внешний и внутренний радиусы тороида).
Напряжение Ux подаваемое на вход "X" осциллографа с сопротивления R1, будет пропорционально H(t):
Ux(t) = I1(t)·R1
Рис. 2. Схема для наблюдения петли гистерезиса: Г — генератор синусоидальных сигналов с частотой v = ωо/2π . T — ферритовый тороид.
Во вторичной обмотке n2 будет возникать ЭДС электромагнитной индукции:
E(t) = n2·dФ(t)/dt,
где Ф — поток вектора В через витки вторичной обмотки. Если S — площадь одного витка, то
Ф(t) = B(t)·S,
E(t) =-S·n2·dB(t)/dt,
Поскольку ЭДС индукции пропорциональна dB(t)/dt, то в схеме применена интегрирующая цепочка на резисторе R2 и конденсаторе С. Такая цепочка интегрирует подаваемое на нее напряжение, если время перезарядки конденсатора τ = R2С много больше периода колебаний сигнала, т. е.
CR2>> 1/ω
При выполнении условия R2>>1/ωC напряжение на конденсаторе пропорционально величине магнитной индукции В в тороиде.
Таким образом, координаты электронного луча на экране осциллографа будут меняться пропорционально H(t) по оси "Х" и B(t) по оси "Y". Поскольку В = μо·(H + M), то по изменению величины магнитной индукции В мы можем судить о намагниченности М изучаемого образца; отметим, что при Н=0 остаточная индукция Вoст с точностью до множителя μo равна остаточной намагниченности Мocт.
Изменяя амплитуду тока I1 в первичной обмотке, мы будем менять, соответственно, UХ и UY, а значит и размеры петли гистерезиса, следовательно, для построения кривой первоначального намагничивания необходимо зафиксировать координаты вершин петель гистерезиса при различных амплитудах сигнала генератора и, перенеся их на график, последовательно соединить.
, (19)
6.7Устройство и работа автоматизированного стенда
Состав аппаратной части стенда
Стенд выполнен на базе персонального компьютера, к которому подключается измерительный блок со сменными образцами магнитомягких материалов. Измерительный блок включает в себя усилитель намагничивания (УН) и интегрирующий усилитель (ИУ), которые используются, соответственно, для формирования напряженности магнитного поля и преобразования сигнала магнитной индукции в образце.
Для ввода / вывода измерительной информации в ПК используется аудио плата. С помощью ПК осуществляется управление измерительным экспериментом и наблюдение результатов на экране монитора, как в графическом виде (петли гистерезиса, временные зависимости напряженности и индукции магнитного поля), так и в табличном. Магнитные преобразователи (МП) с образцами исследуемых материалов подключаются через гнезда, установленные на передней панели блока. Вставить МП в гнезда можно только в определенном положении, соответствующем правильному подключению обмоток.
Структурная схема стенда и принцип измерений
ПК при помощи звуковой карты вырабатывает синусоидальное напряжение в диапазоне частот 40-1000 Гц. Переменное напряжение поступает на вход УН, к выходу которого подключена намагничивающая обмотка МП. МП представляет собой образец исследуемого магнитного материала в форме кольца с намотанными на него двумя обмотками: намагничивающей обмоткой 1 и измерительной обмоткой 2.
Напряжение с измерительного резистора подается на один из линейных входов звуковой карты в ПК. Амплитуда напряженности поля устанавливается программно с помощью элемента регулировки в окне характериографа программного приложения.
ЭДС, наводимая в измерительной обмотке 2 МП, пропорциональна производной от индукции магнитного поля В в исследуемом образце. Напряжение обмотки 2 интегрируется ИУ, на выходе которого напряжение измерительного сигнала пропорционально уже непосредственно В. Напряжение с выхода ИУ подается на второй линейный вход звуковой карты в ПК. Таким образом, в ПК поступает информация о напряженности Н, индукции В магнитного поля в исследуемом образце и их частоте, на основании которой осуществляется построение кривых намагничивания и расчет всех магнитных параметров материалов.