
- •Лабораторна робота 1. Дослідження напівпровідникових випрямних діодів і стабілітронів
- •Порядок виконання лабораторної роботи
- •Осцилограми напруги на приладах Контрольні питання
- •Лабораторна робота 2. Дослідження біполярного транзистора
- •Порядок виконання лабораторної роботи
- •Статичний коефіцієнт посилення
- •Контрольні питання
- •Лабораторна робота 3. Складений транзистор
- •Порядок виконання лабораторної роботи
- •Контрольні питання
- •Лабораторна робота 4. Дослідження польового транзистора
- •Порядок виконання лабораторної роботи
- •Результати вимірів записати в табл.4.1.
- •Контрольні питання
- •Лабораторна робота 5. Дослідження тиристора
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання лабораторної роботи
- •Контрольні питання
- •Лабораторна робота 6.Анодні характеристики вакуумного діоду
- •Порядок виконання лабораторної роботи
- •Лабораторна робота 7.Визначення характеристик пентоду
- •Порядок виконання лабораторної роботи
- •Список рекомендованої літератури
Порядок виконання лабораторної роботи
Зібрати схему (рис.4.7) для зняття статичних характеристик приладу.
Рис.4.7. Електрична схема для зняття характеристик польового транзистора.
Зняття характеристик транзистора, підключеного за схемою із загальним джерелом. Зняти стік-затворні ВАХ ІС = f(UЗД). Спочатку при UЗД = 0 за допомогою ДЖ2 встановити ІС ≈ 15мА. Потім визначити Uвідс. Змінюючи UЗД від 0 до Uвідс вимірювати ІС .
Результати вимірів записати в табл.4.1.
Таблиця 4.1
UСД = В |
UЗД , B |
0 |
|
|
|
|
|
|
|
IС , мA |
|
|
|
|
|
|
|
0 |
Стокові ВАХ транзистора ІС = f(UСД) зняти при UЗД = const. При цьому рекомендується вибирати значення UЗД рівними 0, ¼, ½ и ¾ Uвідс.
Результати вимірювань (ІС и UСД) записати в табл.4.2.
При знятті характеристик стежити, щоб струм стоку ІС і потужність, що розсіюється на стоці (Р = UС∙ІС), не перевищували гранично допустимих значень для даного транзистора.
За даними таблиць 1 і 2 побудувати характеристики транзистора: стік-затворні ІС = f(UЗД) і стокові ІС = f(UСД).
По таблицях і побудованих характеристиках визначити: крутість S стік-затворної характеристики, вхідний RВХ і вихідний Ri опори досліджуваного транзистора. Порівняти їх з довідковими даними.
Таблиця 4.2
UЗД1=0 |
UСД, В |
0,5 |
1 |
2 |
4 |
4 |
ІС , мА |
|
|
|
|
|
|
UЗД2 = |
UСД, В |
0,5 |
1 |
2 |
4 |
4 |
ІС , мА |
|
|
|
|
|
|
UЗД3 = |
UСД, В |
0,5 |
1 |
2 |
4 |
4 |
ІС , мА |
|
|
|
|
|
|
UЗД4 = |
UСД, В |
0,5 |
1 |
2 |
4 |
4 |
ІС , мА |
|
|
|
|
|
Параметри транзистора
Напруга відсічення.
Uвідс =
Крутість стік-затворної характеристики.
S = IС / UЗД =
Внутрішній (вихідний) опір транзистора.
Ri = UСД / IС =
Вхідний опір, прийнявши IЗ = 10 нА.
RВХ = UЗД / IЗ =
Контрольні питання
Структура й принцип дії польових транзисторів;
Методика зняття стік–затворних і стокових ВАХ транзистора;
Визначення параметрів транзистора за характеристиками.
Які ПТ можуть працювати при двох полярностях вхідної напруги?
Яка розмірність крутості S?
Чи є значення крутості S постійним для конкретного ПТ?
Порівняйте частотні властивості ПТ і БТ.
Чи залежить значення Rc від напруги Uзд?