Статичний коефіцієнт посилення

 = I_К / I_Б =

Контрольні питання

1. Принцип дії біполярних транзисторів;

2. Методика зняття вхідних і вихідних ВАХ транзистора;

3. Визначення параметрів транзистора по характеристиках.

4. Чи здатний транзистор підсилити струм/напругу/потужність?

5. Чому коефіцієнт передачі струму росте при збільшенні напруги Uкб?

6. Як співвідноситься коефіцієнт β з одиницею?

7. Чим характеризується активний режим роботи транзистора?

8. Чому навантажувальна лінія є прямою?

9. Чим пояснюється необхідність введення h-параметрів?

10. Чому система h-параметрів називається гібридною?

11. Чим пояснюється розкид h-параметрів від транзистора до транзистора?

12. Для більш точного визначення h-параметрів ΔU і Δi треба збільшувати або зменшувати?

13. Якими h-параметрами при інженерних розрахунках зневажають?

14. Що таке електронна і діркова провідність напівпровідника?

15. Чим відрізняються транзистори типа n-p-n і p-n-p?

16. Який параметр транзистора визначається по характеристиці передачі?

17. Як виглядають вихідні характеристики транзистора і які параметри визначаються по ним?

18. Як впливає температура на вихідні характеристики транзистора?

19. Як зміщується лінія навантаження на вихідних характеристиках, якщо опір навантаження зростає (зменшується)?

Лабораторна робота 3. Складений транзистор

Мета роботи. Дослідження вольт-амперних і частотних характеристик складеного транзистора (пари Дарлингтона).

Теоретичні відомості

Складений транзистор (схема Дарлингтона) отримують сполукою колекторів і емітера Е₁ з базою Б₂ (рис.3.1).

Рис.3.1. Принципова схема складеного транзистора

Складений транзистор (СТ) характеризується більшим вхідним опором, більшим коефіцієнтом передачі базового струму  і меншим вихідним опором на змінному сигналі в порівнянні з одиночним БТ. Інтегральний коефіцієнт передачі по струму СТ _D (h_21эD) визначається в такий спосіб:

_D = i_кD/i_бD = i_кD/i_б1 = (i_к1 + i_к2)/i_б1 = (₁i_б1 + ₂i_б2)/i_б1 =

(₁i_б1 + ₂i_э1)/i_б1 = (₁i_б1 + ₂ (₁ + 1)i_б1)/i_б1 = ₁ + ₂ (₁ + 1) = ₁ + ₂₁ + ₂.

Якщо СТ синтезований на основі однакових транзисторів (₁ = ₂ = ), то _D = ( + 2), тобто характеризується квадратичним збільшенням.

Сумарний вхідний опір h_11эD СТ більше вхідного опору одиночного транзистора, тому що входи Т₁ і Т₂ включені послідовно, тобто

h_11эD = u_вхD/i_бD = (u_вх1 + u_вх2)/i_б1 = (i_б1h_11э1 + i_б2h_11э2)/i_б1 = (i_б1h_11э1 + i_э1h_11э2)/i_б1 =

(i_б1h_11э1 + (₁ + 1)i_б1h_11э2)/i_б1 = h_11э1 + (₁ + 1)h_11э2.

З підсумкового вираження видний, сумарний вхідний опір визначається в основному вхідним опором другого транзистора й коефіцієнтом передачі по струму першого транзистора.

З рис. 3.1 видно, що колекторні ланцюги транзисторів включені паралельно, отже, сумарна провідність СТ h_22эD зростає (вихідний опір зменшується). На практиці СТ можуть бути реалізовані на основі відповідної сполуки одиночних транзисторів, але промисловістю також випускаються вже готові СТ, конструктивно оформлені в єдиному корпусі.