Исследование температурной зависимости обратной вах электронно-дырочного перехода

1.1. Цель работы: снять по точкам обратную ВАХ электронно-дырочного перехода, используя выпрямительный диод, в рабочем диапазоне температур.

1.2. Задание:

1.2.1. Собрать схему рисунка 6.1, оборудование занести в таблицу 6. 1.

Рисунок 6.1 – Схема для исследования обратной ВАХ

Таблица 6.1

Наименование оборудова­ния	Тип, зав. номер	Технические характери­стики
Источник питания постоян­ного тока	Б5-50, № 012432	Диапазон напряжений 0-300 В. Диапазон токов 0-300 мА
Микроамперметр	М2005, № 13280	Пределы измерений 10; 25; 50; 250; 500; 1000 мкА. Кл. точности 0,2
Термокамера	ВТК-400, № 23	Диапазон термостатирова­ния (-100  +400)С
Терморегулятор	БТП-78, № 23
Термометр	ГОСТ 2823-59	Диапазон (0-100) 1С

2.2.2. Установить диод в термокамеру ВТК-400.

2.2.3. Снять по точкам обратную ВАХ диода, устанавливая обратный ток диода по микроамперметру на оцифрованные отметки шкалы при нескольких значениях температуры в рабочем диапазоне температур.

2.2.4. Результаты эксперимента занести в таблицу 6.2, где U_обр – погрешность установки напряжения Б5-50

, (6.1)

I_обр= – абсолютная погрешность результата измерения обратного тока, мкА;

 - класс точности М2005,  = 0,2;

А – предел измерения М2005 (10, 25; 50; 250; 500; 1000) мкА.

Таблица 6.2

Тип диода	t, C	Iобр, мкА	Iобр, мкА	IобрIобр, мкА	Uобр, В	Uобр=	Uобр, %	UобрUобр

2.2.5. Построить графические зависимости обратной ВАХ диода I_обр=f(U_обр)_t=const для ряда температур в рабочем диапазоне температур.

2.2.6. Определить R_обр при максимальном V_обр для всех температур.

2.2.7. Построить графическую зависимость R_обр=f(t)_{Uобр=Uобр max} объяснить характер зависимости.

2.2.8. Оценить погрешность косвенного измерения R_обр по формуле:

. (6.2)

2.2.9. Срисовать типовую обратную ВАХ диода при заданных температурах. Сравнить с ВАХ, полученной в эксперименте.

Лабораторная работа № 7

Исследование температурных зависимостей вах электронно-дырочного перехода в режиме электрического пробоя

Режим электрического пробоя исследуем используя полупроводниковые стабилитроны. Основные параметры полупроводниковых стабилитронов по ГОСТ 25259-82:

• напряжение стабилизации U_ст;

• ток стабилизации I_ст;

• дифференциальное сопротивление стабилитрона r_ст;

• температурный коэффициент напряжения стабилизации стабилитрона .