Тест по дисциплине «Материаловедение для специальности «Автомобильные дороги и аэродромы»
Структура теста
ДЕ №1 Основы строения и свойств материалов. Фазовые превращения.
1.1 Структура материала
1.2 Пластическая деформация и механические свойства металлов
1.3 Процесс кристаллизации и фазовые превращения в сплавах. Основные типы диаграмм состояния
1.4 Диаграмма «Fe-Fe3C»
ДЕ №2 Основы термической обработки и поверхностного упрочнения сплавов.
2.1 Основы термической обработки
2.2 Отжиг и нормализация стали
2.3 Закалка и отпуск стали.
2.4 ХТО. Поверхностная закалка
ДЕ №3 Конструкционные металлы и сплавы
3.1 Конструкционные стали
3.2 Чугуны
3.3 Медь и сплавы на её основе
3.4 Алюминий и сплавы на его основе
ДЕ №1 Основы строения и свойств материалов. Фазовые превращения.
1.1 Структура материала
1.Координационное число кристаллической решетки, элементарная ячейка которой показана на рисунке, составляет …
12
8
6
4
2. Анизотропией свойств обладают …
ферромагнетики
поликристаллические вещества
монокристаллы
аморфные материалы
3. Характеристика кристаллической решетки, определяющая число частиц (атомов, молекул или ионов), находящихся на наименьшем равном расстоянии от данной частицы, называется …
коэффициентом компактности
индексом плотности
координационным числом
периодом решетки
4. Характерной особенностью кристаллических веществ является …
пластичность, ковкость
наличие дальнего порядка в расположении частиц
высокая электропроводность
отсутствие постоянной температуры плавления (кристаллизации)
5. Для веществ с металлической кристаллической решеткой характерны …
хрупкость, высокие температуры плавления
низкая теплопроводность, высокая эластичность
ионный тип химической связи, высокая плотность
пластичность, высокая электропроводность
6. Границы зерен относятся к _____ дефектам кристаллической решетки.
линейным
точечным
объёмным
поверхностным
7. Для аморфного состояния вещества характерна(-но) …
анизотропия свойств
отсутствие дальнего порядка в расположении частиц
наличие постоянной температуры кристаллизации
высокая электропроводность
8. Дефект, представляющий собой искажение кристаллической решетки вдоль края лишней полуплоскости, называется …
вакансией
малоугловой границей
краевой дислокацией
дефектом упаковки
9. При повышении температуры равновесная концентрация вакансий …
уменьшается
не меняется
увеличивается
изменяется немонотонно
10. Наиболее плотноупакованной является ____ кристаллическая решётка.
ГЦК
ОЦК
примитивная кубическая
тетрагональная
11. Бинарным полупроводником типа АIVBIV является..
карбид кремния
арсенид галлия
сульфид цинка
германий
12. Линейными дефектами кристаллического строения являются …
дислокации
вакансии
границы зёрен
трещины
13. Наименьший объем кристалла, дающий представление об атомной структуре всего кристалла, называется …
элементарной ячейкой
монокристаллом
зерном
базисом
14. Основное отличие кристаллической структуры от аморфной заключается в …
наличии в кристаллах дальнего порядка в расположении элементов структуры
анизотропии свойств аморфных материалов
менее упорядоченном расположении элементов в кристаллических структурах
том, что кристаллические тела всегда имеют правильную внешнюю форму
15. Перенос вещества, обусловленный беспорядочным тепловым движением частиц, называется …
диффузией
дислокацией
рекристаллизацией
возвратом
16.
На рисунке показана элементарная ячейка
__________ кристаллической решетки.
гексагональной плотноупакованной
гранецентрированной кубической
объемно-центрированной кубической
тетрагональной
17. На рисунке показана элементарная ячейка __________ кристаллической решетки.
гранецентрированной кубической
гексагональной плотноупакованной
объемно-центрированной кубической
примитивной кубической