- •Розділ 1. Класифікація структурних дефектів
- •§ 1.1. Ідеальні та реальні кристали.
- •§1.2. Класифікація структурних дефектів
- •§ 1.3. Точкові дефекти в стехіометричних кристалах.
- •1.4. Вплив точкових дефектів на електронні процеси
- •§1.5.Точкові дефекти в нестехіометричних кристалах
- •§1.6. Точкові дефекти в домішкових системах.
- •1.6.1. Гетеротипні тверді розчини.
- •1.6.2. З”єднання з контрольованою валентністю.
- •§ 1.7. Термодинаміка точкових дефектів. Термофлуктуаційні дефекти
- •§2.1. Основні співвідношення.
- •§2.2. Розупорядкування в однокомпонентних системах.
- •§2.3. Розупорядкування в двохкомпонентній системі.
- •§2.4. Дефекти за Шоткі в однокомпонентній системі.
- •§2.5. Знаходження енергії розупорядкування.
- •§ 2.6. Конфігурації утворення дефектів за Френкелем у гцк -гратці
- •§2.7. Конфігурації і комплекси із точкових дефектів.
- •2.8. Спотворення кристалічної гратки навколо точкових
- •§2.9. Об’єднання атомів домішки і дефектів.
- •§2.10. Переміщення точкових дефектів
- •2.10.1. Енергія активації переміщення.
- •2.10.2. Ентропія активації переміщення - Sm
- •Розділ 3. Утворення нерівноважних концентрацій точкових дефектів
- •§3.1. Утворення дефектів при загартуванні.
- •§3.2. Утворення дефектів при пластичній деформації.
- •3.3. Радіаційні дефекти
- •3.4. Дефектоутворення в напівпровідниках при імпульсному лазерному опромінюванні
- •§3.5. Фізичні основи методу іонної імплантації.
§2.9. Об’єднання атомів домішки і дефектів.
Утому випадку, коли енергія зв’язку між вакансіями і атомами домішки позитивна, частина вакансій зв’язуються з атомами домішки. В умовах термодинамічної рівноваги концентрацію таких комплексів можна визначити методом, аналогічним тому, яким ми користувались при розгляді вакансій і дивакансій. Якщо Z координаційне число атома домішки і складні комплекси не утворюються, то кожний комплекс може заміняти любе із Z місць гратки, а значить, число способів розміщення С комплексів по Z0 I0 по місцях (де I0 - концентрація домішки в атомних долях) рівна:
(2.8.1)
Використовуючи формулу Стірлінга і мінімізуючи вільну енергію отримаємо:
(2.8.2)
,
(2.8.3)
де
V
- концентрація вакансій в кристалі.
Допустимо, що зв’язані і вільні вакансії
незалежні. Це допущення вірне до значень
концентрацій І0=10-3.
Із умови накладених при виведені (2.8.1)
вакансія не може знаходитися у вузлі
зайнятому домішковим атомом і ні в
одному із Z сусідніх вузлів. Загальне
число вузлів на яких може знаходитися
вакансія в ГЦК кристалі N-12
,
де N
- число вузлів гратки в розчиннику;
- число атомів домішки.
Загальне число вакансій і домішок рівне:
(2.8.4)
Співвідношення (2.8.4) аналогічне виразу, який зв’язує вакансії та дивакансії.
У
енергію зв’язку
(дефект - домішка) входять дві основні
складові: зміна енергії деформації
навколо атома домішки і енергія
електростатичної взаємодії між
деформацією та домішкою.
Природно, що пружна енергія деформації
більш крупної домішки з вакансією сильно
впливає на їх енергію зв’язку. Тому,
вакансії
притягуються до зон стиску, а міжвузольні
атоми до зон розтягу.
Отже, якщо
атом домішки відрізняється за розміром
від атому розчинника, то деформація
оточуючої області дефект може бути
знята при розміщенні домішки рядом з
дефектом.
Для атома домішки малого розміру енергія
зв’язку такого комплексу -
0.5
еВ (Ве в Сu). Для великих домішок Au в Cu -
=
0.17 еВ.
Контрольні питання
1. Яким чином можуть об’єднуватися домішкові атоми і вакансії?
2. Яке співвідношення пов’язує концентрацію вакансій і домішок?
3. Який порядок величини енергії зв’язку вакансія – домішка?
4. Дати фізичне пояснення характеру взаємодії домішки та вакансії.
5. Яким чином пружна енергія деформації гратки впливає на взаємодію домішка – вакансія?
§2.10. Переміщення точкових дефектів
Вакансії і міжвузольні атоми в твердому тілі при достатньо високій температурі Т рухливі. Для того, щоб переміститися із одного положення в інше, дефект повинен подолати потенціальний бар’єр. В любій кінетичній теорії допускається, що існують строго визначені стани для вихідної системи (атом поблизу вихідної точки) і для перехідної системи (атом біля сідлової точки). Це значить, що всі взаємодії, які відбуваються до розглядуваної частини фазового простору, досить малі.
У загальному випадку швидкість переміщення даного дефекту визначається виразом:
,
(2.10.1)
де
G
- вільна енергія, яка необхідна для
перетворення дефекту із початкового
рівноважного положення в сідлову точку;
Т
- абсолютна температура; k
- постійна Больцмана;
- ефективна частота коливань дефекту в
напрямку сідлової точки. Хоча елементарним
процесом є стрибок одного атома,
розглядувана задача є по суті задачею
багатьох тіл. Оскільки атом, який здійснює
стрибок, оточений іншими атомами, з
якими він взаємодіє. Виведення
співвідношення (2.10.1)
ґрунтується на статично-механічних
уявленнях і якими тут нехтується (див.
параграф 2.4).
При виведені співвідношення (2.10.1) проблему дуже часто сильно спрощують, зводячи задачу багатьох тіл до одночасткової моделі. При такому підході - не повністю визначена, або прирівнюється до енштейнівської частоти, а це допущення не повністю оправдане. Віннард узагальнив апарат статистичної механіки, розповсюдивши її на багаточастинкову модель.
На рис.2.8 схематично показано N- мірні конфігураційний простір. Суцільні контурні лінії значать гіперповерхні постійної потенціальної енергії U. Точка А вказує на мінімум U, який відповідає атому гратки, сусідньому з вакансією, допускається, що всі інші атоми знаходяться в рівноважних умовах. Якщо цей атом помінявся місцями з вакансією і всі інші атоми з релаксували в свої вихідні положення, то мінімум потенціальної енергії знаходиться в точці В. Для того, щоб перейти з точки А в точку В, атом повинен подолати потенціальний бар’єр, проходячи через Р на рис.2.8. Гіперповерхня S є єдиною і проходить перпендикулярно контурів постійної U, через точку Р і значить розділяє області А і В.
Введемо поняття ефективної частоти,
,
(2.10.2)
яка
суттєво різниться від простої
енштейнівської частоти або любої частоти
в фізичному просторі Вона визначає
собою добуток N
частот нормальних коливань всієї системи
у вихідній точці, поділеної на добуток
N-1
частот нормальних коливань системи в
конфігурації, яка відповідає сідловій
точці. Введена нами ефективна частота
,
зв’язана з
:
(2.10.3)
,
(2.10.4)
де Еm - енергія активації переміщення, яка рівна U(В) - U(А), що представляє собою роботу ,яку потрібно затратити, щоб ізотермічно перевести точку А в точку Р.
Рис.2.8. Схематичне зображення -N - мірного конфігураційного
простору з гіперповерхнями постійної потенціальної енергії
(суцільні лінії) і уявними обмежуючими гіперповерхні пунктирні лінії.
Точкою Р - позначена сідлова точка.
Вираз для швидкості стрибків (2.9.1) можна записати:
,
(2.10.5)
де
в (2.10.1),
а
- ефективна частота коливань дефекту в
напрямку сідлової точки, порядку 1013
сек-1.
Отримане співвідношення (2.10.5) дозволяє встановити прямий зв’язок з теорією дифузії в твердих тілах. Якщо атом дифундує за рахунок переміщення вакансії, то ймовірність того, що він зміститься на одну міжатомну відстань рівна, ймовірності знаходження по сусідству з ним вакансії, помноженої на ймовірність того, що атом займе цю вакансію. Отже
J=
,
(2.10.6)
де V - концентрація вакансій в атомних долях. Комбінуючи (2.10.5) та (2.10.6) запишемо:
(2.10.7)
Звідси
видно, що Q представляє собою суму енергій
утворення і переміщення вакансії, а
- суму відповідних ентропій. Вираз
встановлює експоненціальний зв’язок
швидкості з оберненою величиною
абсолютної температури, часто називають
рівнянням
Авенаріуса.
Можемо показати, що
,
(2.10.8)
де
-
геометрична константа; а - постійна
гратки.
,
(2.10.9)
де Q - повна енергія активації самодифузії;
(2.10.10)
Ці формули справедливі для любого механізму дифузії.
