- •Розділ 1. Класифікація структурних дефектів
- •§ 1.1. Ідеальні та реальні кристали.
- •§1.2. Класифікація структурних дефектів
- •§ 1.3. Точкові дефекти в стехіометричних кристалах.
- •1.4. Вплив точкових дефектів на електронні процеси
- •§1.5.Точкові дефекти в нестехіометричних кристалах
- •§1.6. Точкові дефекти в домішкових системах.
- •1.6.1. Гетеротипні тверді розчини.
- •1.6.2. З”єднання з контрольованою валентністю.
- •§ 1.7. Термодинаміка точкових дефектів. Термофлуктуаційні дефекти
- •§2.1. Основні співвідношення.
- •§2.2. Розупорядкування в однокомпонентних системах.
- •§2.3. Розупорядкування в двохкомпонентній системі.
- •§2.4. Дефекти за Шоткі в однокомпонентній системі.
- •§2.5. Знаходження енергії розупорядкування.
- •§ 2.6. Конфігурації утворення дефектів за Френкелем у гцк -гратці
- •§2.7. Конфігурації і комплекси із точкових дефектів.
- •2.8. Спотворення кристалічної гратки навколо точкових
- •§2.9. Об’єднання атомів домішки і дефектів.
- •§2.10. Переміщення точкових дефектів
- •2.10.1. Енергія активації переміщення.
- •2.10.2. Ентропія активації переміщення - Sm
- •Розділ 3. Утворення нерівноважних концентрацій точкових дефектів
- •§3.1. Утворення дефектів при загартуванні.
- •§3.2. Утворення дефектів при пластичній деформації.
- •3.3. Радіаційні дефекти
- •3.4. Дефектоутворення в напівпровідниках при імпульсному лазерному опромінюванні
- •§3.5. Фізичні основи методу іонної імплантації.
§ 2.6. Конфігурації утворення дефектів за Френкелем у гцк -гратці
У випадку утворення дефектів за Френкелем ситуація виявляється більш складною. Це зв'язано з тим, що для впроваджуваних у гратку атомів у принципі можливе формування декількох міжвузольних станів. Наприклад, для впровадженого атома в ГЦК - гратках можливі три різні конфігурації, показані на рис.2.1- рис.2.2.
На жаль, метод розрахунку, викладений у попередньому параграфі, виявляється малопридатним, оскільки лінійна теорія пружності не може бути використана для опису спотворень гратки поблизу втіленого атома. Для розрахунку енергії утворення дефектів за Френкелем Хантінгтон і Зейтц застосували запропонований ними метод і знайшли, що енергія утворення міжвузольних атомів у міді складає ~5 - 6 еВ, тобто значно більше, ніж для дефектів за Шоткі. Відомі декілька можливих конфігурацій утворення міжвузольного дефекту, зокрема:
1) об’ємно - центрована (рис.2.1а);
2) розщеплена (рис.2.1б);
3) конфігурація краудіона (рис.2.2)
Остання конфігурація представляє собою міжвузольний атом, локалізований вздовж напрямку щільної упаковки так, що зміщення атомів із рівновіддалених положень лінійно спадають по мірі віддалення від центра спотворення, а рух краудіона може відбуватися тільки вздовж напрямку атомного ряду.
Рис.2.1. Дві конфігурації міжвузольного атому в ГЦК гратці: а - міжвузольний атом А в об’ємноцентрованій конфігурації; б - міжвузольний атом у розщепленій конфігурації: два атоми А і В ділять між собою вакантну атомну позицію, відстань між атомами є порядку 0.6а (а - постійна гратки)
а) б)
Рис.2.2. Конфігурація міжвузольного атому в ГЦК гратці -— краудіон.
Розрахунки показали, що розщеплена конфігурація є більш стійкою, ніж об’ємноцентрована, а краудіона конфігурація є ще менш стійкою. Можливість існування розщепленої конфігурації френкелівського дефекту була підтверджена розрахунками на ЕОМ [8, 9]. При цьому, різниця в енергіях утворення об’ємно - центрованої і розщепленої конфігураціях порядку 0.1еВ.
Контрольні питання
1. Які можливі схеми утворення міжвузольних атомів в кристалах?
2. Яка енергія утворення точкових дефектів за Френкелем?
3. Які труднощі виникають при розрахунку енергії утворення дефектів за Френкелем?
§2.7. Конфігурації і комплекси із точкових дефектів.
Неважко бачити, що утворення комплексів із точкових дефектів, зокрема – вакансій виявляється енергетично вигідним. Проілюструємо це наступним якісним міркуванням. Для утворення вакансії необхідно розірвати i атомних зв'язків усередині кристала та сформувати i/m зв'язків на поверхні. Припустимо тепер, що віддаляється другий атом, що є найближчим сусідом вакансії. Один зі зв'язків цього атома вже розірваний. Тому при видаленні його на поверхню повинне бути розірване i - 1 зв'язків. Отже, енергія утворення другої вакансії повинна бути
,
енергія утворення дивакансій
.
Отже,
енергія утворення дивакансій рівна
подвоєній енергії утворення моновакансії
- мінус енергія зв'язку, що у загальному
випадку називається енергією зв'язку
дивакансій. Енергія
зв'язку дивакансій у металевих системах
має порядок 0,3 еВ, зокрема для
Cu EЗВ
=3.52
еВ, а значить
0.6
еВ (
= 0.6 еВ - для благородних металів).
Розрахунки Вейцера і Жирифалько, показують, що дві вакансії притягуються одна до одної на відстанях менших 7 анстрем, а на більших відстанях не взаємодіють. Тобто, дивакансії є стійкими утвореннями, хоча енергія їх зв’язку ще не досить точно розрахована. Отже, утворення вакансійних комплексів виявляється енергетично вигідним.
Можливі і більш великі вакансійні асоціації. На рис.2.3 показані лінійна (а) і плоска (б) конфігурації тривакансій в ГЦК- гратках.
Комп’ютерні розрахунки показують, що конфігурації тривакансій рис.2.3а) та рис.2.3б) не стійкі. Очевидно, вигідніше утворення четвертої вакансії за рахунок зсуву атомів у центр вакансійного тетраедра (тетраедрична форма тривакансій), як це показало на рис.2.3в.
Аналогічні розрахунки були проведені для тетра- та пентавакансій (рис.2.4- рис.2.6). Було встановлено, що тетраедрична форма тетравакансії є не стійкою, хоча, як було зазначено вище, у випадку тривакансій вона стійка. Релаксація одного чи більш атомів у комплексі вакансій стабілізує конфігурацію. Подібна ситуація має місце при октаедричній формі тетравакансії, за рахунок двох сильно релаксуючих атомів у центрі. Аналогічна ситуація має місце і для пентавакансії.
а)
б)
в)
Рис. 2.3. Можливі конфігурації тривакансій у ГЦК - ґратках: лінійне (а), плоске (б) розташування, тетраедрична (в) конфігурації
а) В = -0.1 еВ; б) В = 0.6 еВ; в) В = 0.7 еВ
Рис. 2.4. Три конфігурації тетравакансій. В- енергія зв’язку вакансій в комплексі. Конфігурація (а) є не стійкою. а - лінійне розміщення; плоска конфігурація; в - тетраедрична конфігурація, в якій атом релаксує в центр тетраедра і яка є найбільш стійкою.
Оцінимо концентрацію дивакансій, тривакансій і т.д. після, встановлення термодинамічної рівноваги. Як приклад, розглянемо однокомпонентну систему, що складається з N вузлів. Розглянемо, скількома способами можна створити в цій системі вакансійні пари. Якщо i - перше координаційне число, то на базі даного вузла в кристалічних ґратках можна створити i вакансійних пар. Якщо розглянути сусідній вузол, розташований на першій координаційній сфері стосовно першого вузла, то навколо цього вузла можливе формування також i вакансійних пар.
а) В = 0.7еВ; б) В = 0.9 еВ; в) В = 1.5 еВ.
Рис.2.5. Три конфігурації із пентавакансій
Віннерд, Джонсон, Браун досліджували конфігурації і стійкість комплексу із двох міжвузольних атомів, конфігурації яких представлені на рис.2.6.
Рис.2.6. Конфігурація комплексу із двох міжвузольних атомів.
Однак із усієї сукупності отриманих у такий спосіб вакансійних пар одна буде повторюватися.
Тому
якщо знехтувати азимутальним розходженням
вакансійних пар, те загальне число
створених вакансійних пар буде 2і-1.
Якщо
число
парних вакансій, то число можливих
станів
.
(2.7.1)
Застосовуючи формулу Стірлінга та процедуру, аналогічну описаній у §1 даного розділу, отримаємо
,
(2.7.2)
де
(
-
хімічний потенціал дивакансій. Відповідно
до вище сказаного
може бути представлений у виді
,
де - хімічний потенціал, що характеризує зв'язок двох вакансій у комплексі. Підставляючи в (2.7.2), отримаємо
або
,
(2.7.3)
де
- концентрація моновакансій.
Отже,
кількість дивакансій виявляється
пропорційною квадрату концентрації
моновакансій. Пропорційність концентрації
дивакансій
відображає наявність у системі бінарних
зіткнень. З погляду кінетики це означає,
що процес утворення дивакансій з
моновакансій повинен описуватися
реакціями другого порядку. З останнього
співвідношення можна визначити частку
вакансій, що з'єдналися в комплекси:
.
(2.7.4)
Зі сказаного слідує, що концентрація дивакансій з температурою росте швидше, тобто в міру підвищення температури зростає частка дефектів, об'єднаних у комплекси. Тому якщо в результаті загартування потрібно одержати головним чином ізольовані дефекти, температура загартування не повинна бути занадто великою.
Аналогічне співвідношення можна одержати для тривакансій:
,
(2.7.5)
де
-
хімічний потенціал зв'язку тривакансій;
-
комбінаторний множник, що відповідає
числу незалежних орієнтувань комплексу
тривакансій.
Що
стосується концентрації більш складних
комплексів, то ними можна знехтувати
навіть незважаючи на велику енергію
зв'язку, тому що їхня концентрація ~
,
де п
—
число асоційованих вакансій. Тому чим
складніше комплекс, тим менше його
концентрація. Фізично це означає, що
чим складніше комплекс, тим менше
імовірність одночасної зустрічі п
вакансій, що складають даний комплекс.
Контрольні питання
1. Які значення енергії утворення вакансій і дивакансій в міді?
2. Які комплекси із три-, тетра- і пентавакансій є найбільш ймовірними і стійкими?
3. Зобразити комплекси із міжвузольних атомів.
4. Від яких умов залежить утворення складних комплексів із точкових дефектів.
5. Записати співвідношення, які визначають концентрацію дивакансій, тривакансій і т.д. після встановлення термодинамічної рівноваги.
