Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Метод_УПОС.doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.04.2025
Размер:
2.47 Mб
Скачать

Эквивалентная ёмкость без учёта емкости антенной цепи и элемента связи Cэк с эк-Ссв1;

Коэффициент включения нагрузки в контур

m= ,

где Gк - активная проводимость ненагруженного контура,

Gэк - активная проводимость нагруженного контура,

Qэк= .; Gн= , Ссв2= - емкость связи контура с нагрузкой.

Емкость в контуре Cк= ;

Коэффициент передачи ВЦ:

|Ковц |= 2 foСсв1Gэк m.

В последнем выражении принято, что сопротивление источника сигнала Z01 полностью определяется ёмкостью Ссв1.

Моделирование

По полученным графикам зависимостей Uвых(f) и Uк(f) определяем: резонансную частоту fом; полосу пропускания Пм; коэффициент передачи Kм = ; коэффициент включения нагрузки в контур m = .

Определяем погрешности расчёта

fo= ; П= ; К= , аналогично - для m.

Анализируем причины возникновения погрешностей.

Рекомендательный библиографический список

1. Проектирование радиоприемных устройств. Под ред. А.П.Сиверса.

Учебное пособие для вузов.- М.: Сов. Радио, 1976.- 488с.

2. Калихман С.Г.,Левин Я.М.Радиоприемники на полупроводниковых приборах.Теория и расчет.- М.:Связь,1979.-352с.

3. Сборник задач и упражнений по курсу «Радиоприемные устройства».Учеб.пособие для вузов/Антонов-Антипов Ю.Н.,В.П.Васильев, И.В.Комаров и др.; Под ред.В.И.Сифорова.М.:Радио и связь,1984.-224с.

4. Бобров Н.В. Расчет радиоприемников.-М.:Радио и Связь,1981-240с.

5. Расчет радиоприемников/Бобров Н.В.,Максимов Г.В.,Мичурин В.И. и др.- М.:Воениздат,1971,496с.

6. Основы проектирования приемников./Горшелев В.Д.,Красноцветова Э.Г., Савельев А.А.и др.Л.:Энергия,1977,384с.

7. Использование подсистем автоматического проектирования для схемотехнического моделирования УПОС / Е.К. Левин, А.С. Меркутов. ВлГУ, 1993 – 63 с., ил.

8. Использование функционального и схемотехнического моделирования при проектировании УПОС / И.Е. Жигалов, Е.К. Левин, А.С. Меркутов. ВлГУ, 1997. – 21с.

9. Каменецкий М.В. Радиотелефоны. С-Петербург: Наука и техника, 2000. - 256 с.

10. Садченков Д.А. Техника и возможности Си Би радиосвязи. М.: Солон-Р, 2001. – 272 с.

11. Лапшин Е. СиБи – радиосвязь для всех. М.: Солон, 1997.- 208 с.

12. Разработка и оформление конструкторской документации радиоэлектронной аппаратуры: Справочник /Э.Т.Романычева, А.К.Иванова, А. С.Куликов и др.; Под ред. Э.Т. Романычевой.- 2-е изд., - М.: Радио и связь, 1989. – 448 с.

13. Бродский М.А. Бытовая радиоэлектронная аппаратура., 1994

14. Котунов А.В, Брускин В.Я., Родин А.В. Ремонт импортных радиотелефонов. Основы построения, принципы функционирования и ремонт. М.: Солон, Наука и техника, 1996. – 236 с.

Приложение 1. Справочные данные по микросхемам

В данном разделе приведены только основные данные по современным зарубежным микросхемам, которые можно использовать при курсовом проектировании. Вся дополнительная необходимая для проектирования информация (которая очень обширна) либо находится в вычислительной сети ФРЭМТ, либо может быть получена с сайтов фирм-разработчиков или с помощью системы поиска в Интернете (ключевыми словами являются обозначения типов микросхем).

MC13030 - приемник АМ-сигналов с двойным преобразованием частоты.

Микросхема MC13030 фирмы Motorola разработана для применения в автомобильных радиоприемниках. Микросхема включает в себя два смесителя, два гетеродина, систему АРУ и детектор. Частотный диапазон первого преобразователя частоты по входу составляет 100 кГц…50 МГц.

На Рис.П1… П4 приведены функциональная схема микросхемы, схема ее включения для определения основных характеристик, а также схемы включения в состав АМ - радиовещательного и CB – приемника. Основные электрические характеристики приведенные в Табл.П1.

Рис.П1

Табл.П1

Основные электрические характеристики микросхемы (при 25°C и напряжении питания VCC = 8.0 V)

Characteristic

Condition/Pin

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Power Supply Voltage

VCC

7.5

8.0

9.0

V

Power Supply Current

VCC = 8.0 V

ICC

26

32

44

mA

Detector Output Level

Vin = 1.0 mV, 30% Mod.

V13

160

200

240

mVrms

Audio S/N Ratio

Vin = 1.0 mV, 30% Mod.

S/N

48

52

dB

Audio THD

Vin = 1.0 mV, 30% Mod.

THD

0.3

1.0

%

Signal Strength Output

V 1 0 V 80% M d

V11

0 3

1 0

V

VCO Buffer Output

Vin = 1.0 mV, Mod.

V28

0.3

1.0

mV

SD Output Level

V 2 0 V 80% M d

V10

0

0 4

1 5 1.5

Vpp

MIXER1

Input Resistance

1 or 2 to Gnd

10

kW

Third Order Intercept Point

1 or 2

IP3

127

dBmV

Conversion Transconductance

1 or 2 to 24 + 25

gc

2.2

mS

Total Collector Current

24 + 25

IC

4.6

mA

Input IF Rejection

1 or 2

45

dB

MIXER2

Input Resistance

22

2.4

kW

Third Order Intercept Point

22

IP3

112

dBmV

Conversion Transconductance

22 to 20 + 21

gc

4.6

mS

Total Collector Current

20 + 21

IC

3.0

mA

VCO

Minimum Oscillator Coil Parallel Impedance

27 to 26

RP

3.0

kW

Buffer Output Level

28

VO

224

mVrms

Stray Capacitance

27

CS

7.0

pF

IF AMPLIFIER

Input Resistance

17

Rin

2.0

kW

Transconductance

17 to 15

gm

28

mS

Maximum Input Level

17

Vin

125

mVrms

Minimum Detector Coil Parallel Impedance

17 to 15

RL

15

kW

RF Output Level

15, Vin = 1.0 mV

2.0

Vpp

Audio Output Impedance

13

Rout

120

W

Audio Output Level

13 @ 30% Mod.

Vout

200

mVrms

МС3363 – узкополосный приемник ЧМ-сигналов с двойным преобразованием частоты

Микросхема фирмы Motorola представляет собой приемник с двойным преобразованием частоты. Диапазон входных сигналов составляет 200 МГц при использовании внутреннего гетеродина и – 450 МГц при использовании внешнего гетеродина

Ниже приведены схема функционального состава микросхемы, а также схемы ее тестирования и использования в составе приемника с синтезатором частоты и приемника в диапазоне 49,67 МГц. В табл.П2 приведены основные технические характеристики микросхемы.

Табл.П2

Основные электрические характеристики микросхемы

Characteristic

Pin

Min

Typ

Max

Units

Drain Current (Carrier Detect Low)

8

4.5

8.0

mA

–3.0 dB Limiting Sensitivity (RF Amplifier Not Used)

Input For 12 dB SINAD

20 dB S/N Sensitivity (RF Amplifier Not Used)

0.7

2.0

Vrms

0.3

–1.0

1st Mixer Input Resistance (Parallel – Rp)

1, 28

690

1st Mixer Input Capacitance (Parallel – Cp)

1, 28

7.2

pF

1st Mixer Conversion Voltage Gain (Avc1, Open Circuit)

18

dB

2nd Mixer Conversion Voltage Gain )Avc2, Open Circuit)

21

2nd Mixer Input Sensitivity (20 dB S/N) (10.7 MHz i/p)

21

10

Vrms

Limiter Input Sensitivity (20 dB S/N) (455 kHz i/p)

9

100

RF Transistor DC Current Drain

4

1.0

1.5

2.5

mAdc

Noise Output Level (RF Signal = 0 mV)

16

70

mVrms

Recovered Audio (RF Signal Level = 1.0 mV)

16

120

200

mVrms

THD of Recovered Aduio (RF Signal = 1.0 mV)

16

2%

%

Detector Output Impedance

Series Equivalent Input Impedance

16

400

1

450–

j350

Data (Comparator) Output Voltage – High

18

VCC

Vdc

Data (Comparator) Output Voltage – Low

0.1

0.1

Data (Comparator) Threshold Voltage Difference

17

70

110

150

mV

Meter Drive Slope

12

70

100

135

nA/dB

Carrier Detect Threshold (Below VCC)

12

0.53

0.64

0.77

Vdc

Mute Output Impedance – High

19

10

M

Mute Output Impedance – Low

25