Электрические параметры

Номинальное напряжение питания:

U_п1 …………………………………………………………………-15 В ± 10%

U_п2 ………………………………………………………………… 15 В ± 10%

Выходное напряжение при U_п = ±15 В ………………………… =>|±12| В

Напряжение шумов, приведенное к входу

при U_п = ±15 В, Δf = 0,1…10 Гц ………………………………… <5мкВ

Напряжение смещения нуля (при U_п = ±15 В, U_вых = ±0,02 В) … <=20 мВ

Средний входной ток (при U_п = ±15 В, U_вых = ±0,02 В) ……… <=0,05 нА

Разность входных токов (при U_п = ±15 В, U_вых = ±0,02 В) …… <=0,02 нА

Ток потребления (при U_п = ±15 В, U_вых = ±0,02 В) …………… <=2,5 мА

Коэффициент усиления напряжения

(при U_п = ±15 В, U_вых = ±4 В) …………………………………… =>200 · 10³

Коэффициент ослабления синфазных входных

напряжений при U_п = ±15 В, U_вых = ±0,02 В, U_вх = ±5 В ……… =>80 дБ

Коэффициент влияния нестабильности источников питания на

напряжение смещения нуля (при U_п = ±15 В, U_вых = ±0,02 В) <=100 мкВ/В

Средний температурный дрейф разности входных

токов при U_п = ±15 В в диапазоне от -45 до +70 °С ………… <=25 нА/°С

Средний температурный дрейф напряжения смещения нуля

(при U_п = ±15 В, U_вых = ±0,02 В) ……………………………… <=30 мкВ/°С

Частота единичного усиления при U_п = ±15 В,

U_вых = ±0,2 В …………………………………………………… =>1 МГц

Максимальная скорость нарастания выходного

напряжения (при U_п = ±15 В, U_вх = -10 В, U_вых = -10 В) ……… =>5 В/мкс

Входное сопротивление ………………………………….. =>1,5 · 10¹¹ Ом

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Напряжение источников питания U_п1, U_п2 ……………… ±(13,5…16,5) В

в предельном режиме ……………………………………… ±(7…16,6) В

Входные дифференциальные и входные синфазные напряжения … ±10 В

в предельном режиме ………………………………………………… ±12 В

Максимальная рассеиваемая мощность в диапазоне

температур от -45 до +70 °С ……………………………………… <200 мВт

Сопротивление нагрузки …………………………………………… >2 кОм

в предельном режиме ………………………………………………. >1 кОм

Емкость нагрузки …………………………………………………… <500 пФ

4. Технологические процессы монтажа и демонтажа микросхемы. Формовка выводов микросхем

При подготовке микросхем к монтажу на печатные платы (операции рихтовки, формовки и обрезки выводов) выводы подвергаются растяжению, изгибу и сжатию. Поэтому при выполнении операций по формовке необходимо следить, чтобы растягивающее усилие было минимальным. В зависимости от сечения выводов микросхем оно не должно превышать определённых значений (например, для сечения выводов от 0,1 до 2 мм – не более 0,245…19,6 Н).

Формовка выводов прямоугольного поперечного сечения должна производиться с радиусом изгиба не менее удвоенной толщины вывода, а выводов круглого сечения – с радиусом изгиба не менее двух диаметров вывода (если в ТУ не указывается конкретное значение). Участок вывода на расстоянии 1 мм от тела корпуса не должен подвергаться изгибающим и крутящим деформациям. Обрезка незадействованных выводов микросхем допускается на расстоянии 1 мм от тела корпуса.

В процессе операций формовки и обрезки не допускаются сколы и насечки стекла и керамики в местах заделки выводов в тело корпуса и деформация корпуса. В радиолюбительской практике формовка выводов может проводиться вручную с помощью пинцета с соблюдением приведённых мер предосторожности, предотвращающих нарушение герметичности корпуса микросхемы и его деформацию.