
- •Исследование характеристиk полупроводниковых излучателей
- •Введение
- •1 Принцип работы полупроводникового лазера
- •1.1 Активная среда
- •1.2 Оптический резонатор
- •1.3 Накачка
- •1.4 Механизм образования инверсии в p-n-переходе
- •2 Характеристики полупроводниковых лазеров
- •2.1 Ватт-амперная характеристика
- •2.2 Спектр излучения
- •2.3 Модовый состав излучения полупроводниковых лазеров
- •2.4 Перестройка частоты лазеров
- •2.5 Диаграмма направленности
- •2.6 Когерентность оптического излучения
- •3 Типы полупроводниковых лазеров
- •3.1 Инжекционные лазерные диоды
- •4 Описание лабораторного стенда
- •4.1 Функциональная схема стенда
- •5 Экспериментальная часть
- •5.1 Работа с импульсным лазером илпи-105
- •5.2 Работа с монохроматором и непрерывным лазером илпн-108
- •Контрольные вопросы и задания
- •Рекомендуемая литература
4 Описание лабораторного стенда
4.1 Функциональная схема стенда
Схема экспериментальной установки для исследования характеристик полупроводниковых излучателей показана на рис. 1.9.
В качестве исследуемого излучателя применимы полупроводниковые лазеры, работающие на длине волны 0,80,9 мкм, например, импульсный лазер ИЛПИ-105 или непрерывный лазер ИЛПН-108.
Рис. 1.9. Функциональная схема лабораторной установки для
исследования характеристик полупроводниковых лазеров
Для запуска лазера ИЛПИ-105 импульсного излучения используется источник постоянного тока ИП, генератор импульсов типа Г5-15 и небольшая схема (рис. 1.10), обеспечивающая прохождение импульсов тока длительностью менее 1 мкс и регулируемой амплитудой до 10 А. Для контроля служит осциллограф С9-1.
Рис. 1.10. Схема подключения ИЛПИ-105
Для запуска лазера ИЛПН-108 непрерывного излучения используется источник постоянного тока ИП типа Б5-47 напряжением 3 В и регулируемой силой тока до 240 мА. Излучатель установлен на юстировочном столике и имеет возможность поворачиваться как в горизонтальной, так и вертикальной плоскости.
Излучение проходит через монохроматор МДР-4 с дифракционной решёткой 1200 штрихов на миллиметр. Данный прибор работает в области спектра 0,24,0 мкм и позволяет отсчитывать спектр с точностью до десятых долей нанометра. Регистрируется излучение с помощью фотоэлектронного умножителя ФЭУ-62, усилителя постоянного тока (У) и цифрового вольтметра В7-38.
Для автоматизации работы стенда используется ПК с многоканальной платой ЦАП и АЦП.
Сигнал с ФЭУ поступает на вход АЦП-1, встроенный в ПК, а также на цифровой вольтметр В7-38. На АЦП-2 поступает сигнал ФД, встроенного в излучательный лазерный модуль ИЛПН-108. Сигнал ФД обрабатывается и отображается в виде излучаемой мощности ЛД.
5 Экспериментальная часть
5.1 Работа с импульсным лазером илпи-105
1. Ознакомьтесь с описанием экспериментальной установки, схемой подключения полупроводникового лазера, правилами работы на монохроматоре МДР-4. Проверьте правильность подключения блоков, наличие надёжного заземления.
2. Запустите лазер ИЛПИ-105. Для этого включите осциллограф, генератор импульсов Г5-15, блоки питания схемы управления и прибора ночного видения. Длительность импульсов генератора Г5-15, запускающих импульсный лазер ИЛПИ-105, должна быть менее 1 мкс.
Пронаблюдайте зависимость выходной оптической мощности от тока излучения. Различите светодиодный и лазерный режимы.
3. Настройте ПНВ на изображение излучателя, выявите и оцените размеры излучающей области.
Установите матовый рассеиватель на расстоянии 24 см от излучателя и зафиксируйте вертикальные и горизонтальные размеры наблюдаемой картины на матовом стекле. Объясните результаты.
4. Снимите ватт-амперную характеристику в диапазоне 38 А с шагом 0,1 А. Отметьте на кривой точки, соответствующие генерации 1, 2, 4 мод. Объясните результаты.
5. Получите апертурные характеристики в вертикальной и горизонтальной плоскостях ориентации p-n-перехода (вращая лазерный диод в вертикальной плоскости). Определите значения NA в обоих случаях. Объясните различие в значенияx NA для разных плоскостей.