- •Исследование характеристиk полупроводниковых излучателей
- •Введение
- •1 Принцип работы полупроводникового лазера
- •1.1 Активная среда
- •1.2 Оптический резонатор
- •1.3 Накачка
- •1.4 Механизм образования инверсии в p-n-переходе
- •2 Характеристики полупроводниковых лазеров
- •2.1 Ватт-амперная характеристика
- •2.2 Спектр излучения
- •2.3 Модовый состав излучения полупроводниковых лазеров
- •2.4 Перестройка частоты лазеров
- •2.5 Диаграмма направленности
- •2.6 Когерентность оптического излучения
- •3 Типы полупроводниковых лазеров
- •3.1 Инжекционные лазерные диоды
- •4 Описание лабораторного стенда
- •4.1 Функциональная схема стенда
- •5 Экспериментальная часть
- •5.1 Работа с импульсным лазером илпи-105
- •5.2 Работа с монохроматором и непрерывным лазером илпн-108
- •Контрольные вопросы и задания
- •Рекомендуемая литература
2.2 Спектр излучения
Одним из основных параметров излучателя является ширина спектра излучения, т.е. диапазон частот или длин волн, который охватывает излучение данного прибора. Для оценки ширины спектра пользуются понятиями монохроматичности [2].
Изолированная атомная система, будучи возбуждённой, самопроизвольно излучает энергию.
Распределение излучения по частотам описывают часто функцией S(), нормированной следующим образом:
.
(1.14)
В случае дисперсионного распределения она имеет вид
.
(1.15)
Спектральная плотность мощности Pv() на любой частоте связана с полной мощностью P в пределах данного распределения и с функцией S() выражением
Pv() = P S(),
где
.
Шириной линии является расстояние по шкале частот или длин волн между точками контура линии, в которых мощность равна половине максимальной.
С точки зрения квантовой электродинамики естественная ширина линии связана с неопределённостью в энергии состояния атома. Энергия системы W может быть известна лишь с точностью ∆W, связанной с временем жизни T состояния (уровня) соотношением неопределённости
∆W Т h/2 . (1.16)
Ширина спектральной линии определяется энергетической шириной начального и конечного уровней перехода. Обычно естественная ширина линии оказывается порядка 10-5 10-8 нм.
На опыте часто наблюдаются не естественные контуры спектральных линий, а значительно более широкие линии.
В спектре поглощения полупроводников также возможно "прожигание дырок", если скорость монохроматической накачки превысит (или будет равна) скорости релаксационных процессов. Тогда распределение электронов и дырок в зонах будет значительно отличаться от распределения Ферми-Дирака.
2.3 Модовый состав излучения полупроводниковых лазеров
Если в режиме люминесценции полупроводник излучает практически интегральную по спектру и направлениям мощность, то генераторный режим характеризуется определённой спектральной структурой.
Вопрос о том, какие волны могут существовать в идеальном оптическим резонаторе, был рассмотрен в п.1.1.2. Для того чтобы определить реальный состав мод генерируемого излучения, при решении уравнений Максвелла необходимо учесть нелинейные оптические свойства активной среды и выход излучения за пределы резонатора. В общем случае эта задача весьма сложна и решается приближенно.
В двух идеализированных случаях картина генерации представляется в следующем виде. Предположим, что генерируемое излучение не оказывает обратного действия на активную среду. Коэффициент усиления полностью определяется спектроскопическими свойствами вещества и накачкой. Тогда моды генерируются независимо друг от друга. С ростом накачки процесс генерации распространяется на всё новые и новые моды.
Генерироваться будут все моды, для которых коэффициент потерь меньше или равен коэффициенту усиления.
В другом крайнем случае после возникновения генерации на одной или нескольких модах вся избыточная над порогом энергия возбуждения трансформируется в энергию излучения мод. Генерируемое излучение вызывает интенсивные вынужденные переходы и препятствует увеличению уровня инверсной населённости.
После начала генерации коэффициент усиления остается постоянным при всех интенсивностях возбуждения, превышающих порог, а число генерируемых мод не изменяется.
Опыты показывают, что реальная картина генерации заключена между этими крайними случаями.
Действительно, часто генерация возникает вначале на одной моде. С ростом накачки интенсивность излучения этой моды быстро растёт. До некоторого времени она подавляет генерацию других мод, но не полностью. При дальнейшем увеличении накачки в спектре генерации появляется вторая мода, затем третья и т.д.
Спектры спонтанного и стимулированного испускания инжекционных гомолазеров на основе GaAs при различных значениях тока инжекции приведены на рис. 1.6.
Рис. 1.6. Спектры люминесценции и генерации
лазерного диода на основе GaAs
Если j < jпор, то наблюдается только широкая полоса люминесценции. При j jпор на фоне этой полосы возникает первый пичок стимулированного испускания. С ростом накачки его интенсивность быстро увеличивается. Высота пичка становится на несколько порядков больше максимума полосы люминесценции. Поэтому на рис. 1.6 масштаб для
j > Jпор по сравнению с масштабом для j < jпор уменьшен во много раз.
Когда плотность тока превышает порог в 1,1 раза, спектр генерации состоит уже из трёх мод. В дальнейшем генерация становится многомодовой.
Для получения одномодовой генерации применяют дифракционные решётки, которые используют в качестве одного из зеркал резонатора. При этом если постоянная решётки равна b, а нормаль к решётке расположена под углом к оси резонатора, то будет генерироваться мода, длина волны которой удовлетворяет условию = 2 b sin. Путем изменения угла легко осуществить плавную перестройку частоты генерации.
