4. Задание
4.1. Снятие статических характеристик транзистора.
4.1.1. Установить переключатели в положение 2-4-5-17. Регулировкой источника питания G2 установить ток базы транзистора I2 равным 100мкА. Изменяя регулировкой источника питания G1 напряжение в точке КТ5 (коллектор транзистора), снять зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе при постоянном токе базы (статическую характеристику). Устанавливая фиксированные значения тока базы равными 200, 300 и 400 мкА, снять соответствующие статические характеристики.
4.1.2. Установить напряжение источника питания G1 равным 5 В, а переключатели в положение 2-4-5-16. Снять входную характеристику транзистора – зависимость тока базы (I2) от напряжения на базе (точка КТ4).
4.2. Снятие импульсных характеристик транзистора.
4
.2.1.
Установить переключатель формы выходного
напряжения генератора низких частот
(НЧ) в положение с амплитудой
(2…3) В и частотой порядка 10…20 кГц.
Подключить выход генератора на Вх.1
лабораторной установки.
Форму и амплитуду сигнала проверить в точке КТ2. Установить напряжение источника питания G1 равное 10 В, а переключатели в положение
2-4-5. Изменяя положения 16…20 переключателя S4, снять зависимость времени нарастания и спада импульса от сопротивления нагрузки (резисторы R4…R8).
4.2.2. Подключить во входной цепи конденсатор С2 параллельно резистору R2 (положение 3 переключателя S2) и повторить измерения в соответствии с п.3.2.1.
4.2.3. Подключить конденсатор С3 параллельно переходу коллектор-эмиттер транзистора (положение 6 переключателя S3) и повторить измерения в соответствии с п.3.2.1.
5. Методические указания
5.1. Время нарастания и спада импульса (соответственно, длительность переднего и заднего фронта импульса) определяется на интервале от 0,1Um до 0,9Um, где Um – амплитуда импульса.
5.2. Перед началом измерений по п. 3.2.1 установить переключатели в положение 2-4-5-16 и изменением напряжения смещения (источник питания G2) и амплитуды импульсов на выходе генератора НЧ получить на выходе транзистора (КТ5) форму импульсов, близкую к прямоугольной.
5.3. Резисторы R4…R8 в цепи коллектора имеют значения 75 кОм, 30 кОм, 5,1 кОм, 910 Ом и 130 Ом, соответственно. Ёмкости конденсаторов С2 и С3
1 нФ и 470 пФ, соответственно.
6. Обработка результатов измерений
6.1. Построить входные и выходные характеристики транзистора. Определить коэффициент передачи по току и дифференциальное сопротивление транзистора при токе базы, равном 200 мкА.
6.2. Построить графики времени нарастания и спада импульсов в зависимости от сопротивления нагрузки.
6.3. Построить аналогичные графики при подключенном ускоряющим конденсатором С2 и при шунтировании перехода коллектор-эмиттер транзистора конденсатором С3. Сравнить между собой полученные результаты.