5 Содержание отчета

Отчет должен содержать ВАХ различных диодов, таблицы и графики зависимостей для всех трех типов диодов, полученные в результате исследования:

1. U_ПРОБ= f( T )

2. I_ОБР = f(T) U_ОБР = const

3. I_ПР = f( T ) U_ПР = const

4. I_ОБР = f( W )  T = const.

По каждому из графиков сделать необходимые выводы о влиянии температуры на характеристики и параметры диодов. В частности:

1. Оценить во сколько раз изменится обратный ток каждого из диодов при изменении температуры на 10⁰ С.

2. Сравнить обратные токи различных диодов при одной температуре.

3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов с управляющим

p-n ПЕРЕХОДОМ

1 Цель работы

Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ) с управляющим p-n переходом.

В работе снимаются передаточные (сток - затворные) и выходные (стоковые) характеристики, а также определяются основные параметры транзистора.

2 Подготовка к работе

2.1 Изучить следующие вопросы курса:

1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ разных структур.

2. Схемы включения ПТ.

3. Статические характеристики и параметры ПТ.

4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.

2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы:

1. Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом и изолированным затвором.

2. Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур.

3. Объяснить принцип действия полевых транзисторов с p-n переходом и с изолированным затвором.

4. Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик ПТ различных типов и структур.

5. Объяснить определение дифференциальных параметров по статическим характеристикам ПТ.

6. Нарисовать схемы для исследования статических характеристик полевых транзисторов различных типов с каналом типа «p» и «n».

7. Дать определение предельным эксплуатационным параметрам ПТ.

8. Пояснить влияние температуры на работу ПТ, его статические характеристики и параметры.

Литература

Игнатов А.Н. и др. Основы электроники: Учебное пособие /СибГУТИ.-Новосибирск, 2005. Стр.48-59.

Бобровский Ю. Л. И др. Под редакцией Федорова Н.Д. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. -М: Радио и связь, 1998. Стр.146-156, 166-176, 184-185.

Дулин В.Н. и др. Под редакцией Шишкина Г.Г. Электронные приборы. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр. 205-224, 235-245 (выборочно).

Батушев В. А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. Стр. 183-211 (выборочно).

Дулин В. Н. Электронные приборы. -М.: Энергия, 1977. Стр. 342-357 (выборочно).

Конспект лекций.

3 Транзисторы, исследуемые в работе

В лабораторном макете предусмотрена возможность исследования полевых транзисторов любого типа и структуры. Конкретный тип исследуемого прибора указывает преподаватель.

Для заданного преподавателем типа ПТ пользуясь справочником, выписать предельно-допустимые значения I_{С МАКС}, U_{СИ МАКС}, U_{ЗИ МАКС}, P_{С МАКС}. Привести рисунок внешнего вида ПТ с указанием выводов.

При установке в макет МДП транзисторов следует соблюдать меры предосторожности с целью исключения пробоя участка затвор-канал статическими зарядами электричества. Для этого перед монтажом производят закоротку выводов транзистора вблизи корпуса специальной перемычкой.

После сборки схемы перемычку убирают.