
- •Прохождение электронов и ионов через вещество
- •Ионизационные потери и потери на излучение при прохождении электронов через вещество
- •Процессы смещения атомов при взаимодействии с высокоэнергетичными электронами
- •Влияние облучения на дефектную структуру кристалла
- •1.2 Закономерности нагрева, модификации и упрочнения поверхностного слоя сплава при электронном облучении
- •Коэффициенты радиационно-стимулированной диффузии точечных дефектов
- •Сегрегация примеси в условиях облучения пучком электронов
- •Сегрегация примеси на дефектах кристаллической решетки Экспериментальное изучение сегрегации примеси на дефектах кристаллической решетки
- •Модели радиационно-стимулированной сегрегации на дефектах кристаллической решетки
- •Сегрегация примеси на поверхности образца Экспериментальное изучение сегрегации примеси на поверхности образца
- •Модели радиационно-стимулированной сегрегации на поверхности образца
- •Коэффициенты радиационно-стимулированной диффузии
- •Массоперенос в гомогенных системах при облучении пучком электронов [Error: Reference source not found]
- •Массоперенос в гетерогенных системах при электронном облучении [Error: Reference source not found]
- •Экспериментальное изучение перераспределения компонентов на границах зерен [37].
- •Экспериментальное изучение массопереноса в многофазных системах [Error: Reference source not found].
- •1.2. Пространственное распределение температуры при облучении пучком электронов Профиль температурного поля в условиях облучения пучком электронов
- •Метод расчета пространственного распределения температуры в условиях облучения пучком электронов
- •Распределение температуры в материалах при облучении пучками электронов
- •Концентрационные профили точечных дефектов в условиях облучения пучком электронов
- •Концентрация точечных дефектов в условиях облучения
- •Распределение вакансий по глубине образца
- •Массоперенос в металлических системах на основе твердых растворов при облучении пучком электронов средних энергий
- •Кинетическая теория диффузии в бинарных системах в поле градиентов температуры и точечных дефектов
- •Численный метод решения кинетического уравнения диффузии. Принцип расщепления
- •Пространственное распределение элементов в твердых растворах при облучении пучком электронов
- •Гомогенная система
- •1.2.3 Внутренние напряжения в материале при электронном облучении
- •Структурно-фазовые изменения в материалах при облучении заряженными частицами
- •Применение пучков заряженных частиц для модификации поверхности материалов
- •Перераспределение элементов в сплавах при облучении пучком электронов средних энергий
- •1.2.4 Структурно-фазовые превращения при электронном облучении
- •1.3 Закономерности нагрева, модификации и упрочнения поверхностного слоя сплава при ионном облучении
- •1.3.1 Теоретические модели эффекта дальнодействия
- •1.3.2 Влияние напряжений на перераспределение вакансий при ионном облучении
- •1.3.4 Эволюции кластеров радиационных дефектов при ионном облучении твердых тел
- •1.4.1 Описание параметров состояния вещества в задачах моделирования процессов в сплавах при облучении электронами и ионами
- •1.4.2 Численное моделирования процессов теплопередачи при облучении пучками заряженных частиц.
- •Тема 1. Ионно-плазмешюе осаждение слоев ..5
- •Тема 2. Применение ионной имплантации 42
- •Тема 4. Литографические методы в микро- и наноэлектроникс 86
- •Тема 1. Ионно-плазменное осаждение
- •Тема 2. Применение ионной имплантации 2.1. Особенности ионной технологии
- •Тема 3. Особенности применения электронных процессов в электронике
- •Тема 4, литографические методы в микро- и наноэлектронике
- •Литература
1.2. Пространственное распределение температуры при облучении пучком электронов Профиль температурного поля в условиях облучения пучком электронов
Экспериментальные результаты (глава 1) свидетельствуют о том, что интенсивность аномального массопереноса в твердом теле, возникающего при воздействии пучков электронов, зависит от энергии электронов в пучке, плотности тока, интегральной дозы облучения и температурных режимов. Для понимания природы наблюдаемого массопереноса необходимо изучить состояние твердого тела в процессе облучения, т.е. определить температурное поле в образце и распределение радиационных точечных дефектов.
Методы расчета температуры в условиях облучения в литературе изложены достаточно подробно [40, 41, 42], но точные численные данные для определенных условий облучения отсутствуют, поэтому необходимо провести расчеты температурного профиля при облучении пучком электронов с энергией 110 МэВ и плотностью тока 0,011 А/м2.
Метод расчета пространственного распределения температуры в условиях облучения пучком электронов
Применение законов сохранения энергии и закона Фурье к анализу процесса теплопроводности в неподвижной изотропной среде приводят к дифференциальному уравнению теплопроводности, которое связывает временное и пространственное изменение температуры:
(2.3)
где
- плотность;
-
удельная теплоемкость;
- мощность внутренних источников теплоты,
которая представляет собой количество
теплоты, выделяемое источниками в
единице объема тела за единицу времени.
В данном случае мощность внутренних источников тепла представляет собой поглощенную дозу (глава 1, рисунок 1, 2). В рассматриваемом случае, площадь поверхности образца значительно меньше площади пучка, поэтому задачу распределения температуры можно рассматривать как одномерную. Тогда уравнение (2.1) примет следующий вид:
. (2.3)
Так как величина
имеет сложную зависимость от x,
поэтому решить аналитически это уравнение
не представляется возможным. Для
нахождения профиля температуры
воспользуемся численными методами.
Как и в случае обыкновенных дифференциальных уравнений, при решении уравнений с частными производными методом конечных разностей, производные заменяются соответствующих разностями
(2.3)
где - шаг по координате.
(2.3)
аналогично
(2.3)
где
- шаг по времени.
Применим граничные условия третьего
рода. При этом задаются температура
окружающей среды
и закон теплообмена между поверхностью
тела и окружающей средой. Граничное
условие третьего рода характеризует
закон теплообмена между поверхностью
и окружающей средой в термодинамическом
процессе. Для описания процесса
теплообмена между поверхностью тела и
средой используется закон Ньютона-Рихмана.
Согласно закону Ньютона-Рихмана,
количество теплоты, отдаваемое единицей
поверхности тела в единицу времени,
пропорционально разности температур
поверхности тела
и окружающей среды
:
, (2.3)
где
-коэффициент
пропорциональности, называемый
коэффициентом теплоотдачи, Вт/(м2К),
который характеризует интенсивность
теплообмена между поверхностью тела и
окружающей средой [43].
Согласно закону сохранения энергии количество теплоты, которое отводится с поверхности в единицу времени вследствие теплоотдачи (2.6), должно равняться количеству теплоты, подводимому к единице поверхности в единицу времени вследствие теплопроводности из внутренних объемов тела, т.е.
(2.3)
Окончательно граничное условие третьего рода можно записать в виде
. (2.3)
В процессе эксперимента охлаждение осуществляется потоком инертного газа (N2, Ar).
Для расчета температурных полей в вакууме необходимо изменить граничное условие на поверхности образца. Теплообмен между образцом и окружающим пространством в вакууме осуществляется излучением, тогда граничное условие запишется следующим образом:
, (2.3)
где
-
степень черноты поверхности образца;
- константа излучения абсолютно черного
тела.
Используя уравнения (2.4) и (2.5) запишем (2.2) с помощью конечных разностей
, (2.3)
где
.
Определим
(2.3)
Из формулы (2.11) следует, что если известны
три значения в
слое:
,
,
,
то определяется значение
в
-слое.
Нам известны все значения на прямой
из начальных условий. По формуле (2.11) мы
определим значения на всех внутренних
точках отрезка
.
Значения в крайних точках этого отрезка
нам известны из граничных условий. Так
слой за слоем мы определим значения
искомого решения во всех узлах сетки
[44,
45].
Доказано, что по формуле (2.11) можно получить приближенное значение решения не при произвольном соотношении шагов h и l, а только в том случае, если
(2.3)
Пространственное распределение температуры в образце рассчитывалась с помощью ЭВМ.