
- •Прохождение электронов и ионов через вещество
- •Ионизационные потери и потери на излучение при прохождении электронов через вещество
- •Процессы смещения атомов при взаимодействии с высокоэнергетичными электронами
- •Влияние облучения на дефектную структуру кристалла
- •1.2 Закономерности нагрева, модификации и упрочнения поверхностного слоя сплава при электронном облучении
- •Коэффициенты радиационно-стимулированной диффузии точечных дефектов
- •Сегрегация примеси в условиях облучения пучком электронов
- •Сегрегация примеси на дефектах кристаллической решетки Экспериментальное изучение сегрегации примеси на дефектах кристаллической решетки
- •Модели радиационно-стимулированной сегрегации на дефектах кристаллической решетки
- •Сегрегация примеси на поверхности образца Экспериментальное изучение сегрегации примеси на поверхности образца
- •Модели радиационно-стимулированной сегрегации на поверхности образца
- •Коэффициенты радиационно-стимулированной диффузии
- •Массоперенос в гомогенных системах при облучении пучком электронов [Error: Reference source not found]
- •Массоперенос в гетерогенных системах при электронном облучении [Error: Reference source not found]
- •Экспериментальное изучение перераспределения компонентов на границах зерен [37].
- •Экспериментальное изучение массопереноса в многофазных системах [Error: Reference source not found].
- •1.2. Пространственное распределение температуры при облучении пучком электронов Профиль температурного поля в условиях облучения пучком электронов
- •Метод расчета пространственного распределения температуры в условиях облучения пучком электронов
- •Распределение температуры в материалах при облучении пучками электронов
- •Концентрационные профили точечных дефектов в условиях облучения пучком электронов
- •Концентрация точечных дефектов в условиях облучения
- •Распределение вакансий по глубине образца
- •Массоперенос в металлических системах на основе твердых растворов при облучении пучком электронов средних энергий
- •Кинетическая теория диффузии в бинарных системах в поле градиентов температуры и точечных дефектов
- •Численный метод решения кинетического уравнения диффузии. Принцип расщепления
- •Пространственное распределение элементов в твердых растворах при облучении пучком электронов
- •Гомогенная система
- •1.2.3 Внутренние напряжения в материале при электронном облучении
- •Структурно-фазовые изменения в материалах при облучении заряженными частицами
- •Применение пучков заряженных частиц для модификации поверхности материалов
- •Перераспределение элементов в сплавах при облучении пучком электронов средних энергий
- •1.2.4 Структурно-фазовые превращения при электронном облучении
- •1.3 Закономерности нагрева, модификации и упрочнения поверхностного слоя сплава при ионном облучении
- •1.3.1 Теоретические модели эффекта дальнодействия
- •1.3.2 Влияние напряжений на перераспределение вакансий при ионном облучении
- •1.3.4 Эволюции кластеров радиационных дефектов при ионном облучении твердых тел
- •1.4.1 Описание параметров состояния вещества в задачах моделирования процессов в сплавах при облучении электронами и ионами
- •1.4.2 Численное моделирования процессов теплопередачи при облучении пучками заряженных частиц.
- •Тема 1. Ионно-плазмешюе осаждение слоев ..5
- •Тема 2. Применение ионной имплантации 42
- •Тема 4. Литографические методы в микро- и наноэлектроникс 86
- •Тема 1. Ионно-плазменное осаждение
- •Тема 2. Применение ионной имплантации 2.1. Особенности ионной технологии
- •Тема 3. Особенности применения электронных процессов в электронике
- •Тема 4, литографические методы в микро- и наноэлектронике
- •Литература
Коэффициенты радиационно-стимулированной диффузии
Исследование массопереноса показало, что коэффициенты диффузии при облучении превосходят на несколько порядков коэффициенты термодиффузии. На диффузионной паре Fe-Zn экспериментально полученное значение коэффициента диффузии в условиях облучения оказалось на 4 порядка выше, по сравнению с необлученным образцом, выдержанным при той же температуре [27].
Многослойные пленки Ag/Ni облучались ионами Ar с энергией 1 и 4 кэВ при комнатной температуре. Методом Оже-электронной спектроскопией изучено распределение Ag и Ni по глубине слоев в зависимости от времени облучения. По экспериментальным данным проведены оценки коэффициентов радиационно-стимулированной диффузии, которые на 6 порядков больше обычной диффузии [28]. В таблице 4 представлены коэффициенты термической и радиационно-стимулированной диффузии для различных систем.
Таблица 4
Радиационно-стимулированная диффузия [Error: Reference source not found]
Система |
Вид облучения |
Е, МэВ |
Тобл, С |
Dтермич, 10-4 м2с-1 |
Dрадиац, 10-4 м2с-1 |
Ускорение диффузии |
Лит. источник |
Ag-110Ag |
p |
10 |
780 |
4.010-10 |
4.910-10 |
1 |
[29] |
Au-198Au |
n |
1 |
150 |
3.010-37 |
2.310-16 |
1.310-27 |
[30] |
Pb-212Pb |
|
5.3 |
82 |
2.510-16 |
10-15 |
4 |
[31] |
Al-Cu |
Cu+ |
0.50 |
200 |
3.610-18 |
3.610-13 |
10 |
[32] |
Al-Cu |
n |
>1 |
36 |
210-22 |
610-16 |
3.0106 |
[33] |
Al-Au |
n |
>1 |
35 |
8.810-22 |
9.710-16 |
1.1106 |
[Error: Reference source not found] |
Ag-212Pb |
|
2.20 |
361 |
3.510-19 |
4.410-18 |
12.6 |
[34] |
Cu-63Ni |
|
2.30 |
210 |
2.210-22 |
1.210-18 |
5.5103 |
[35] |
Cu-+Ni |
|
0.5 |
350 |
8.210-18 |
1.210-14 |
1.5103 |
[Error: Reference source not found] |
Ti-Ni+ |
Ni+ |
0.04 |
520 |
5.210-15 |
2.610-12 |
500 |
[36] |
К сожалению в литературе слабо отражены коэффициенты радиационно-стимулированной диффузии при облучении пучками электронов.
Массоперенос в гомогенных системах при облучении пучком электронов [Error: Reference source not found]
В качестве гомогенных систем использовались образцы из железа (содержание примесей менее 0,001 ат. д.), стали 40Х, сплава 40ХНЮ, в состоянии промышленной поставки.
Облучение образцов сплава 40ХНЮ диаметром 18 мм и толщиной 6 мм проводились на вертикальном линейном ускорителе ЭЛУ-5-1-5. Энергия электронов составляла 3,75-4,5 МэВ, время облучения 103 с и 104 с. Температура образца находилась в пределах 540-570о С.
Микрорентгеноспектральный анализ распределения элементов в образце после воздействия пучка электронов в течение 3·103 с показал, что в нем произошло существенное перераспределение элементов. В образце возникают три области. Поверхностный слой толщиной 220 мкм по краю образца и 150 мкм в середине верхней поверхности, по боковой и тыльной стороне порядка 80 мкм стал содержать, 0,80-0,82 ат. д. алюминия, порядка 0,006-0,06ат.д. хрома, 0,05-0,06 ат. д. никеля (рисунок 12). Слой содержит повышенную концентрацию железа – до 0,0017 (исходная концентрация менее 0,0005 ат. д.). В этом слое образца встречаются также области с выделениями, в которых содержание хрома, никеля и алюминия находятся в пределах 0,25-0,35 ат. д., концентрация железа может достигать 0,03 ат. д., встречаются также выделения, в которых концентрация повышается до 0,10 ат. д.
В начале второй зоны, которая создается также по всему периметру образца, и общая ширина которой достигает 200-240 мкм, содержание хрома скачком поднимается до 0,44-0,46 ат. д., никеля до 0,51 ат. д., концентрация алюминия уменьшается до 0,004-0,008 ат. д.
В третьей зоне, охватывающей весь объем образца, концентрация алюминия повышается до 0,008-0,009 ат. д., соотношение концентраций никеля и хрома совпадает с первоначальным распределением.
Рис. 12. Распределение Al, Cr, Ni по глубине образца в сплаве 40ХНЮ после облучения электронами. Энергия электронов 3,75 МэВ, время облучения 3·103 с, температура образца 600º С [Error: Reference source not found].
Исследовались распределения концентраций железа, никеля, хрома, титана и алюминия в поверхностном слое сплава 36НХТЮ, сформированные действием пучка электронов. Облучение проводилось при температурах образцов 500º С, 650º С, 800º С, 900º С в течение 3·103 с и 104 с.
На рисунке 13 приведено распределение элементов в образце после облучения пучком электронов с энергией 4,2 МэВ при температуре 550º С в течение 104 с на поверхности образца сформировался слой толщиной 60 мкм, содержащий большое количество алюминия [Error: Reference source not found].
Рис. 13. Распределение элементов по глубине образца в сплаве 36НХТЮ после облучения. Средняя энергия электронов в пучке Е=3,75 МэВ, плотность тока j=0,5А/м2, Т=550С, время облучения t=3103 c [Error: Reference source not found].