
- •Прохождение электронов и ионов через вещество
- •Ионизационные потери и потери на излучение при прохождении электронов через вещество
- •Процессы смещения атомов при взаимодействии с высокоэнергетичными электронами
- •Влияние облучения на дефектную структуру кристалла
- •1.2 Закономерности нагрева, модификации и упрочнения поверхностного слоя сплава при электронном облучении
- •Коэффициенты радиационно-стимулированной диффузии точечных дефектов
- •Сегрегация примеси в условиях облучения пучком электронов
- •Сегрегация примеси на дефектах кристаллической решетки Экспериментальное изучение сегрегации примеси на дефектах кристаллической решетки
- •Модели радиационно-стимулированной сегрегации на дефектах кристаллической решетки
- •Сегрегация примеси на поверхности образца Экспериментальное изучение сегрегации примеси на поверхности образца
- •Модели радиационно-стимулированной сегрегации на поверхности образца
- •Коэффициенты радиационно-стимулированной диффузии
- •Массоперенос в гомогенных системах при облучении пучком электронов [Error: Reference source not found]
- •Массоперенос в гетерогенных системах при электронном облучении [Error: Reference source not found]
- •Экспериментальное изучение перераспределения компонентов на границах зерен [37].
- •Экспериментальное изучение массопереноса в многофазных системах [Error: Reference source not found].
- •1.2. Пространственное распределение температуры при облучении пучком электронов Профиль температурного поля в условиях облучения пучком электронов
- •Метод расчета пространственного распределения температуры в условиях облучения пучком электронов
- •Распределение температуры в материалах при облучении пучками электронов
- •Концентрационные профили точечных дефектов в условиях облучения пучком электронов
- •Концентрация точечных дефектов в условиях облучения
- •Распределение вакансий по глубине образца
- •Массоперенос в металлических системах на основе твердых растворов при облучении пучком электронов средних энергий
- •Кинетическая теория диффузии в бинарных системах в поле градиентов температуры и точечных дефектов
- •Численный метод решения кинетического уравнения диффузии. Принцип расщепления
- •Пространственное распределение элементов в твердых растворах при облучении пучком электронов
- •Гомогенная система
- •1.2.3 Внутренние напряжения в материале при электронном облучении
- •Структурно-фазовые изменения в материалах при облучении заряженными частицами
- •Применение пучков заряженных частиц для модификации поверхности материалов
- •Перераспределение элементов в сплавах при облучении пучком электронов средних энергий
- •1.2.4 Структурно-фазовые превращения при электронном облучении
- •1.3 Закономерности нагрева, модификации и упрочнения поверхностного слоя сплава при ионном облучении
- •1.3.1 Теоретические модели эффекта дальнодействия
- •1.3.2 Влияние напряжений на перераспределение вакансий при ионном облучении
- •1.3.4 Эволюции кластеров радиационных дефектов при ионном облучении твердых тел
- •1.4.1 Описание параметров состояния вещества в задачах моделирования процессов в сплавах при облучении электронами и ионами
- •1.4.2 Численное моделирования процессов теплопередачи при облучении пучками заряженных частиц.
- •Тема 1. Ионно-плазмешюе осаждение слоев ..5
- •Тема 2. Применение ионной имплантации 42
- •Тема 4. Литографические методы в микро- и наноэлектроникс 86
- •Тема 1. Ионно-плазменное осаждение
- •Тема 2. Применение ионной имплантации 2.1. Особенности ионной технологии
- •Тема 3. Особенности применения электронных процессов в электронике
- •Тема 4, литографические методы в микро- и наноэлектронике
- •Литература
1.3.2 Влияние напряжений на перераспределение вакансий при ионном облучении
Результаты экспериментов по ионному облучению свидетельствуют, что эволюция дефектов является существенно неравновесным процессом [11, 16-26]. Поскольку характерное время формирования дефектной структуры оказывается существенно меньшим, чем время распространения дефектов за счет диффузии, для описания эффекта “дальнодействия” необходимы методы неравновесной термодинамики, учитывающей отсутствие локального равновесия [13]. Облученный материал, в общем случае, обладает сложной дефектной структурой, эволюционирующей во времени и не поддающейся прямому наблюдению в процессе эволюции. Тем не менее, анализ экспериментальной ситуации показывает, что эффект “дальнодействия” наиболее ярко проявляется тогда когда исходный материал насыщен дефектами (в частности, вакансиями и дислокациями), причем распространение вакансий может играть основополагающее значение.
При моделировании влияния напряжений на перераспределение вакансий при ионном облучении рассматривается процесс облучения пластины, толщина которой d<<L, где L – характерный поперечный размер пластины (Рис. 8). Верхний слой толщиной W(E), определяется энергией имплантируемых атомов (область каскадного перемешивания), представляет собой частично разрушенную решетку, насыщенную межузельными атомами, вакансиями, атомами примеси и прочими дефектами.
Рис. 8. Схематичное изображение облучаемой пластины.
При ионной имплантации в результате торможения ионов генерируются упругие волны. Они могут воздействовать на примесно-дефектные атмосферы протяженных дефектов и способствовать их модификации на больших расстояниях от поверхности пластины. Если ограничиться предположением, что облучаемая пластина – бездислокационный монокристалл, то в такой ситуации релаксация облученной системы к положению равновесия будет полностью определяться динамикой точечных дефектов. Соответственно напряженное состояние системы в каждый момент времени является стационарным и определяется мгновенным распределением дефектов.
1.3.4 Эволюции кластеров радиационных дефектов при ионном облучении твердых тел
В работе [15] проведен анализ эволюции концентрации точечных дефектов при ионном облучении твердых тел. Предложена приближенная аналитическая методика для ее описания с учетом диффузии и некоторых вторичных процессов (рекомбинация точечных дефектов и образование дивакансий). Рассмотрена среда, в которой образовывается кластер точечных радиационных дефектов (вакансий имеждоузельных атомов) с эллипсоидальной симметрией и гауссовым распределением концентрации после попадания в нее быстрой частицы (электрона, иона). Дефекты диффундируют с постоянным коэффициентом диффузии и участвуют в образовании дивакансий (по бимолекулярному механизму). Одновременно происходит прямая рекомбинация дефектов друг с другом. В работе определялись концентрации междоузельных атомов, вакансий и дивакансий, как функции координат и времени, при наложении (в пространстве и времени) на кластер дефектов, сформированный одной радиационной частицей (ионом), кластеров, созданных другими частицами (ионами), в зависимости от дозы и плотности ионного тока.
В результате попадания одной частицы образуется кластер дефектов [15]. Предполагается, что междоузельные атомы имеют существенно больший коэффициент диффузии и покидают поврежденную область образца быстрее вакансий. Распределение концентрации междоузельных атомов I(r,,z,t) и вакансий V(r,,z,t) по радиальной (r), угловой () и осевой (z) координатам в момент окончания динамической стадии эволюции каскада, принятый за начало отсчета по времени t=0 имеет вид:
где
– функция ошибок [2].
Динамика точечных радиационных дефектов на этапе стабилизации кластеров может быть описана с учетом их диффузии, а также их рекомбинации друг с другом и образования дивакансий [15]. В цилиндрической системе координат можно записать:
Данная система описывающим перераспределение дивакансий уравнением:
где (r,,z,t)
и D
– соответственно концентрация и
коэффициент диффузии дивакансий,
– кинетический коэффициент распада
дивакансий,
В работе [15] определялись концентрации междоузельных атомов, вакансий и дивакансий, как функции координат и времени, при наложении (в пространстве и времени) на кластер дефектов, сформированный одной радиационной частицей (ионом), кластеров, созданных другими частицами (ионами), в зависимости от дозы и плотности ионного тока. Расчеты произведены приближенно помощью метода усреднения функциональных поправок с учетом дискретного во времени и пространстве попадания ионов на поверхность образца.