
- •Прохождение электронов и ионов через вещество
- •Ионизационные потери и потери на излучение при прохождении электронов через вещество
- •Процессы смещения атомов при взаимодействии с высокоэнергетичными электронами
- •Влияние облучения на дефектную структуру кристалла
- •1.2 Закономерности нагрева, модификации и упрочнения поверхностного слоя сплава при электронном облучении
- •Коэффициенты радиационно-стимулированной диффузии точечных дефектов
- •Сегрегация примеси в условиях облучения пучком электронов
- •Сегрегация примеси на дефектах кристаллической решетки Экспериментальное изучение сегрегации примеси на дефектах кристаллической решетки
- •Модели радиационно-стимулированной сегрегации на дефектах кристаллической решетки
- •Сегрегация примеси на поверхности образца Экспериментальное изучение сегрегации примеси на поверхности образца
- •Модели радиационно-стимулированной сегрегации на поверхности образца
- •Коэффициенты радиационно-стимулированной диффузии
- •Массоперенос в гомогенных системах при облучении пучком электронов [Error: Reference source not found]
- •Массоперенос в гетерогенных системах при электронном облучении [Error: Reference source not found]
- •Экспериментальное изучение перераспределения компонентов на границах зерен [37].
- •Экспериментальное изучение массопереноса в многофазных системах [Error: Reference source not found].
- •1.2. Пространственное распределение температуры при облучении пучком электронов Профиль температурного поля в условиях облучения пучком электронов
- •Метод расчета пространственного распределения температуры в условиях облучения пучком электронов
- •Распределение температуры в материалах при облучении пучками электронов
- •Концентрационные профили точечных дефектов в условиях облучения пучком электронов
- •Концентрация точечных дефектов в условиях облучения
- •Распределение вакансий по глубине образца
- •Массоперенос в металлических системах на основе твердых растворов при облучении пучком электронов средних энергий
- •Кинетическая теория диффузии в бинарных системах в поле градиентов температуры и точечных дефектов
- •Численный метод решения кинетического уравнения диффузии. Принцип расщепления
- •Пространственное распределение элементов в твердых растворах при облучении пучком электронов
- •Гомогенная система
- •1.2.3 Внутренние напряжения в материале при электронном облучении
- •Структурно-фазовые изменения в материалах при облучении заряженными частицами
- •Применение пучков заряженных частиц для модификации поверхности материалов
- •Перераспределение элементов в сплавах при облучении пучком электронов средних энергий
- •1.2.4 Структурно-фазовые превращения при электронном облучении
- •1.3 Закономерности нагрева, модификации и упрочнения поверхностного слоя сплава при ионном облучении
- •1.3.1 Теоретические модели эффекта дальнодействия
- •1.3.2 Влияние напряжений на перераспределение вакансий при ионном облучении
- •1.3.4 Эволюции кластеров радиационных дефектов при ионном облучении твердых тел
- •1.4.1 Описание параметров состояния вещества в задачах моделирования процессов в сплавах при облучении электронами и ионами
- •1.4.2 Численное моделирования процессов теплопередачи при облучении пучками заряженных частиц.
- •Тема 1. Ионно-плазмешюе осаждение слоев ..5
- •Тема 2. Применение ионной имплантации 42
- •Тема 4. Литографические методы в микро- и наноэлектроникс 86
- •Тема 1. Ионно-плазменное осаждение
- •Тема 2. Применение ионной имплантации 2.1. Особенности ионной технологии
- •Тема 3. Особенности применения электронных процессов в электронике
- •Тема 4, литографические методы в микро- и наноэлектронике
- •Литература
Перераспределение элементов в сплавах при облучении пучком электронов средних энергий
В твердых телах в результате облучения протекают процессы, которые могут привести к структурным изменениям, к перераспределению элементов и образованию неравновесных фаз. В некоторых случаях возможно использование этих процессов для создания необходимой кристаллической структуры и состава в поверхностных слоях, что уже используется в процессах ионного легирования [86]. Одним из перспективных методов радиационной обработки является воздействие пучками электронов средних энергий (110МэВ), который имеет ряд существенных преимуществ по сравнению с другими видами обработки высокоэнергетичными заряженными частицами. В качестве преимуществ данного метода следует отметить: значительную глубину проникновения электронов (несколько миллиметров); относительную простоту генерации электронного пучка и управления его параметрами; отсутствие наведенной радиоактивности в материале после облучения.
Значительный интерес в плане создания неравновесных фаз в локальных областях изделий, которые регламентируют эксплуатационные свойства, представляют процессы радиационно-стимулированной диффузии в условиях облучения пучками электронов [87].
1.2.4 Структурно-фазовые превращения при электронном облучении
Обработка материалов электронными пучками весьма привлекательна как с фундаментальной, так и с прикладной точки зрения, поскольку позволяет: во-первых, за счет импульсного плавления растворять частицы вторых фаз и за счет сверхбыстрой (~109 К/с) закалки из жидкого состояния формировать за счет внутренних напряжений в тонких поверхностных слоях неравновесные структурно-фазовые состояния с плавным переходом к матрице; во-вторых, формировать высококонцентрированные поверхностные сплавы при импульсном плавлении систем пленка-подложка; в-третьих, обеспечить за счет указанных выше факторов улучшение ряда поверхностно-чувствительных характеристик материала [7].
Поле температуры локализовано в зоне теплового влияния, толщина которой не превышает нескольких десятков микрометров. На Рис. 2 приведены зависимости температуры поверхности Fe мишени от времени для режима начального плавления (4 Дж/см2) и заметного испарения (12 Дж/см2) соответственно. Видно, что скорости нагрева и охлаждения достигают значений ~1010 и 109 К/с соответственно [7].
Рис. 2. Зависимости температуры поверхности Fe мишени от времени для режима 1 – начального плавления (4 Дж/см2) и 2 – испарения (12 Дж/см2).
Импульсного плавление поверхностей сплавов под действием электронного облучения способствует формированию однофазной микроструктуры (-фаза) и обеспечивает повышению их электрическую прочности, следовательно: увеличению выносливости; циклическую долговечность; кратковременную прочность; повышенную износостойкость твердых сплавов на основе титана, железа, вольфрама [7].
В статье [9] представлены результаты экспериментальных исследований градиентной структуры и фазового состава стали 38ХНЗМФА, облученной электронным пучком микросекундной длительности: профили нано- и микротвердости; гистограмма скола; фазовые гистограммы и таблицы.
В статье [10] представлены результаты экспериментальных исследований зависимости нанотвердости поверхности сплава на основа карбида титана TiC-(Ni-Cr) структурированной электронно-пучковым облучением. Представлены зависимости величин нанотвердости Н и коэффициента трения μ на поверхности металлокерамического сплава от длительности импульсов облучения сплава Рис. 3. Явная нелинейность этих зависимостей связана с образованием микротрещин.
Рис. 3. Зависимости величин нанотвердости Н (а) и коэффициента трения μ (б) на поверхности металлокерамического сплава от длительности импульсов облучения сплава.