- •Прохождение электронов и ионов через вещество
- •Ионизационные потери и потери на излучение при прохождении электронов через вещество
- •Процессы смещения атомов при взаимодействии с высокоэнергетичными электронами
- •Влияние облучения на дефектную структуру кристалла
- •1.2 Закономерности нагрева, модификации и упрочнения поверхностного слоя сплава при электронном облучении
- •Коэффициенты радиационно-стимулированной диффузии точечных дефектов
- •Сегрегация примеси в условиях облучения пучком электронов
- •Сегрегация примеси на дефектах кристаллической решетки Экспериментальное изучение сегрегации примеси на дефектах кристаллической решетки
- •Модели радиационно-стимулированной сегрегации на дефектах кристаллической решетки
- •Сегрегация примеси на поверхности образца Экспериментальное изучение сегрегации примеси на поверхности образца
- •Модели радиационно-стимулированной сегрегации на поверхности образца
- •Коэффициенты радиационно-стимулированной диффузии
- •Массоперенос в гомогенных системах при облучении пучком электронов [Error: Reference source not found]
- •Массоперенос в гетерогенных системах при электронном облучении [Error: Reference source not found]
- •Экспериментальное изучение перераспределения компонентов на границах зерен [37].
- •Экспериментальное изучение массопереноса в многофазных системах [Error: Reference source not found].
- •1.2. Пространственное распределение температуры при облучении пучком электронов Профиль температурного поля в условиях облучения пучком электронов
- •Метод расчета пространственного распределения температуры в условиях облучения пучком электронов
- •Распределение температуры в материалах при облучении пучками электронов
- •Концентрационные профили точечных дефектов в условиях облучения пучком электронов
- •Концентрация точечных дефектов в условиях облучения
- •Распределение вакансий по глубине образца
- •Массоперенос в металлических системах на основе твердых растворов при облучении пучком электронов средних энергий
- •Кинетическая теория диффузии в бинарных системах в поле градиентов температуры и точечных дефектов
- •Численный метод решения кинетического уравнения диффузии. Принцип расщепления
- •Пространственное распределение элементов в твердых растворах при облучении пучком электронов
- •Гомогенная система
- •1.2.3 Внутренние напряжения в материале при электронном облучении
- •Структурно-фазовые изменения в материалах при облучении заряженными частицами
- •Применение пучков заряженных частиц для модификации поверхности материалов
- •Перераспределение элементов в сплавах при облучении пучком электронов средних энергий
- •1.2.4 Структурно-фазовые превращения при электронном облучении
- •1.3 Закономерности нагрева, модификации и упрочнения поверхностного слоя сплава при ионном облучении
- •1.3.1 Теоретические модели эффекта дальнодействия
- •1.3.2 Влияние напряжений на перераспределение вакансий при ионном облучении
- •1.3.4 Эволюции кластеров радиационных дефектов при ионном облучении твердых тел
- •1.4.1 Описание параметров состояния вещества в задачах моделирования процессов в сплавах при облучении электронами и ионами
- •1.4.2 Численное моделирования процессов теплопередачи при облучении пучками заряженных частиц.
- •Тема 1. Ионно-плазмешюе осаждение слоев ..5
- •Тема 2. Применение ионной имплантации 42
- •Тема 4. Литографические методы в микро- и наноэлектроникс 86
- •Тема 1. Ионно-плазменное осаждение
- •Тема 2. Применение ионной имплантации 2.1. Особенности ионной технологии
- •Тема 3. Особенности применения электронных процессов в электронике
- •Тема 4, литографические методы в микро- и наноэлектронике
- •Литература
Пространственное распределение элементов в твердых растворах при облучении пучком электронов
Были проведены расчеты концентрации компонентов в конструкционных и инструментальных сталях 40Х, 4Х5МФС, сплавах 36НХТЮ и 40ХНЮ, в системах с покрытиями из никеля и хрома: хром-молибден, хром-вольфрам, хром-железо, никель-хром-железо (сталь 40Х), алюминий–монокристалл кремния и т.д. Перечисленные стали используются в промышленности, часть металлических систем являются модельными. Выбор данных материалов также обусловлен наличием экспериментальных данных по перераспределению элементов, что позволяет провести сравнение модели и эксперимента.
Все исследуемые системы условно были разделены на две группы: системы с первоначально равномерным распределением компонентов (гомогенные системы) и системы с нанесенным покрытием (гетерогенные системы).
За основу расчетов принята система в виде полубесконечного образца на интервале от 0 до 200 мкм, которая облучается потоком электронов с энергией 110МэВ и плотностью пучка 0,11 А/м2. Расчеты проводились для двух случаев: при первоначальном равномерном распределении примеси по всей длине образца (гомогенная система), и когда примесь находится на поверхности образца в виде нанесенной пленки (гетерогенная система) [60].
Гомогенная система
Расчет перераспределения примеси в системе 0,1Al-Ni (рисунок 28) при облучении пучком электронов показывает, что алюминий диффундирует к поверхности образца (расчетная температура поверхности Тп=550С). Расчет качественно соответствует экспериментальным данным, полученным при облучении сплава 36НХТЮ (рисунок 9).
Рис. 28. Пространственно-временное распределение Al в никеле, при облучении гомогенной системы Ni-0,1Al пучком электронов. Энергия электронов E=2,75 МэВ, плотность тока j=0,5 А/м2, Тп=550С, [61, 62].
Поток алюминия к поверхности вызван термодиффузионным механизмом. Отличие между расчетными и экспериментальными профилями вызвано образованием в сплаве 36НХТЮ нескольких фаз с резко отличающимися свойствами, в том числе и коэффициентами диффузии компонентов.
Проведены расчеты концентрации в двух модельных системах ванадий-железо и молибден-железо, данные системы характеризуются наличием непрерывной растворимости в друг друге. Проведенные расчеты свидетельствуют, что происходит увеличение концентрации ванадия и молибдена в приповерхностной области (рисунок 29 и 30). Данные элементы обладают меньшими коэффициентами диффузии по сравнению с железной матрицей, наблюдается преобладание механизма диффузии под действием градиента неравновесных вакансий.
Рис. 29. Распределение V в железе по глубине образца в зависимости от времени облучения электронами. Энергия электронов E=4.2 МэВ, плотность тока j=0,6 А/м2, Тп=650С, [63].
Рис. 30. Пространственно-временное распределение молибдена в железе, при облучении гомогенной системы Fe-0,1Mo пучком электронов. Энергия электронов E=4.2 МэВ, плотность тока j=0,6 А/м2, Тп=650С [64].
1.2.3 Внутренние напряжения в материале при электронном облучении
Измерять поля термомеханических напряжений, возникающих в результате передачи энергии электронного при облучении материалов достаточно сложно, эти величины обычно определяют теоретически. Поле напряжений состоит из двух компонент: упругой или упруго-пластической волны напряжений, распространяющейся от поверхности в глубь мишени, и квазистатических напряжений, которые в случае массивной мишени сосредоточены в зоне теплового влияния. Параметры упругой волны напряжений можно определить из решения несвязанной системы уравнений термоупругости в предположении, что в материале при нагреве отсутствуют фазовые превращения. В случае плоского напряженного состояния квазистатические напряжения можно вычислить, решая уравнение движения пластины [7].
На Рис. 1 приведены зависимости квазистатических напряжений п от времени для железа, на различных глубинах облученного электронным пучком [7].
Рис. 1. Зависимость квазистатических напряжений п от времени для железа (толщина образца 400 мкм), облученного электронным пучком (2.5 Дж/см2 ,2 мкс), на различных расстояниях от поверхности (мкм): 1-0; 2-1; 3-2; 4-5 и 5-10.
Эти напряжения являются сжимающими в плоскости поверхности, а их величина существенно превышает предел текучести железа, что подтверждается экспериментально. После полного остывания, согласно [7], в поверхностных слоях формируются небольшие (40-80 МПа) остаточные растягивающие напряжения.
