
- •Прохождение электронов и ионов через вещество
- •Ионизационные потери и потери на излучение при прохождении электронов через вещество
- •Процессы смещения атомов при взаимодействии с высокоэнергетичными электронами
- •Влияние облучения на дефектную структуру кристалла
- •1.2 Закономерности нагрева, модификации и упрочнения поверхностного слоя сплава при электронном облучении
- •Коэффициенты радиационно-стимулированной диффузии точечных дефектов
- •Сегрегация примеси в условиях облучения пучком электронов
- •Сегрегация примеси на дефектах кристаллической решетки Экспериментальное изучение сегрегации примеси на дефектах кристаллической решетки
- •Модели радиационно-стимулированной сегрегации на дефектах кристаллической решетки
- •Сегрегация примеси на поверхности образца Экспериментальное изучение сегрегации примеси на поверхности образца
- •Модели радиационно-стимулированной сегрегации на поверхности образца
- •Коэффициенты радиационно-стимулированной диффузии
- •Массоперенос в гомогенных системах при облучении пучком электронов [Error: Reference source not found]
- •Массоперенос в гетерогенных системах при электронном облучении [Error: Reference source not found]
- •Экспериментальное изучение перераспределения компонентов на границах зерен [37].
- •Экспериментальное изучение массопереноса в многофазных системах [Error: Reference source not found].
- •1.2. Пространственное распределение температуры при облучении пучком электронов Профиль температурного поля в условиях облучения пучком электронов
- •Метод расчета пространственного распределения температуры в условиях облучения пучком электронов
- •Распределение температуры в материалах при облучении пучками электронов
- •Концентрационные профили точечных дефектов в условиях облучения пучком электронов
- •Концентрация точечных дефектов в условиях облучения
- •Распределение вакансий по глубине образца
- •Массоперенос в металлических системах на основе твердых растворов при облучении пучком электронов средних энергий
- •Кинетическая теория диффузии в бинарных системах в поле градиентов температуры и точечных дефектов
- •Численный метод решения кинетического уравнения диффузии. Принцип расщепления
- •Пространственное распределение элементов в твердых растворах при облучении пучком электронов
- •Гомогенная система
- •1.2.3 Внутренние напряжения в материале при электронном облучении
- •Структурно-фазовые изменения в материалах при облучении заряженными частицами
- •Применение пучков заряженных частиц для модификации поверхности материалов
- •Перераспределение элементов в сплавах при облучении пучком электронов средних энергий
- •1.2.4 Структурно-фазовые превращения при электронном облучении
- •1.3 Закономерности нагрева, модификации и упрочнения поверхностного слоя сплава при ионном облучении
- •1.3.1 Теоретические модели эффекта дальнодействия
- •1.3.2 Влияние напряжений на перераспределение вакансий при ионном облучении
- •1.3.4 Эволюции кластеров радиационных дефектов при ионном облучении твердых тел
- •1.4.1 Описание параметров состояния вещества в задачах моделирования процессов в сплавах при облучении электронами и ионами
- •1.4.2 Численное моделирования процессов теплопередачи при облучении пучками заряженных частиц.
- •Тема 1. Ионно-плазмешюе осаждение слоев ..5
- •Тема 2. Применение ионной имплантации 42
- •Тема 4. Литографические методы в микро- и наноэлектроникс 86
- •Тема 1. Ионно-плазменное осаждение
- •Тема 2. Применение ионной имплантации 2.1. Особенности ионной технологии
- •Тема 3. Особенности применения электронных процессов в электронике
- •Тема 4, литографические методы в микро- и наноэлектронике
- •Литература
Численный метод решения кинетического уравнения диффузии. Принцип расщепления
Для решения уравнений воспользуемся методом расщепления [58]. Рассмотрим этот принцип решения на основе уравнения диффузии. Уравнение диффузии (4.32) можно схематично представить в следующим образом:
. (4.6)
Уравнение (4.33) описывает одномерное распределение примеси, обусловленное следующими процессами: концентрационной диффузией (первое слагаемое в правой части), термодиффузией (второе слагаемое в правой части), вакансионным механизмом (третье слагаемое в правой части). Запишем уравнение для этих процессов отдельно:
, (4.6)
. (4.6)
Переход от
к
выполним за два «дробных» шага. На первом
шаге в течение времени
действует уравнение (4.34),
на втором шаге также в течение времени
действует уравнение (4.35).
Естественно ожидать, что совокупный
эффект двух таких шагов близок к эффекту
перехода от
к
по уравнению (4.33).
Согласно принципу расщепления, отдельные члены (или комплексы), входящие в уравнение, можно реализовать порознь на различных промежуточных этапах. Это, естественно, упрощает построение и исследование аппроксимирующих схем.
Если уравнения дробных шагов описывают частные физические явления (как в нашем примере), то говорят о расщеплении по физическим процессам.
Применение неявных схем связано с необходимостью при расчете очередного временного слоя решать систему уравнений, связывающих в узлах шаблона, принадлежащие этому слою точки. Для решения подобных систем уравнений разработаны специальные методы.
Рассмотрим третью краевую задачу для уравнения диффузии.
,
с граничными условиями
при
(4.6)
при
(4.6)
где
-заданные
функции времени.
Введем сетку
Пользуясь интерполяцией по t, построим неявную схему с ошибкой аппроксимации O(2)+O(h2):
(4.6)
Граничные условия приближенно заменим следующими:
(4.6)
(4.6)
предположим что в слое
значения
,
уже вычислены. Опишем способ расчета
значений
и перепишем систему уравнений (4.39),
(4.40), (4.34) в
виде
(4.6)
где
,
Для решения системы уравнений (4.41)
применим метод последовательного
исключения неизвестных. Предположим,
что
,
тогда из первого уравнения системы
(4.37) найдем соотношение
Подставив это выражение для
в
следующее уравнение, преобразуем его
в соотношение
и т.д. С помощью индукции легко
устанавливаются следующие формулы:
(4.6)
(4.6)
Решение системы осуществляется в два
этапа. Сначала по формулам (4.43)
последовательно вычисляются прогоночные
коэффициенты
,
.
При
имеем
,
и (4.41) даст непосредственное значение
.
На втором этапе с помощью прогоночных
соотношений (4.43) последовательно
определяем
для
Описанный процесс называют прогонкой,
точнее, трехточечной прогонкой [59].
В силу нелинейности исходного уравнения, значения коэффициентов при неизвестных брались из предыдущего слоя по времени. Поэтому полученная неявная конечно-разностная схема имеет первый порядок аппроксимации. Для увеличения точности расчетов уменьшались шаги по координате и времени. В некоторых случаях проводилась тройная итерация внутри метода прогонки, которым решалась исходная система уравнений, что приводило к лучшей сходимости решения. Расчеты проводились для различных гомогенных и гетерогенных систем.