
- •Прохождение электронов и ионов через вещество
- •Ионизационные потери и потери на излучение при прохождении электронов через вещество
- •Процессы смещения атомов при взаимодействии с высокоэнергетичными электронами
- •Влияние облучения на дефектную структуру кристалла
- •1.2 Закономерности нагрева, модификации и упрочнения поверхностного слоя сплава при электронном облучении
- •Коэффициенты радиационно-стимулированной диффузии точечных дефектов
- •Сегрегация примеси в условиях облучения пучком электронов
- •Сегрегация примеси на дефектах кристаллической решетки Экспериментальное изучение сегрегации примеси на дефектах кристаллической решетки
- •Модели радиационно-стимулированной сегрегации на дефектах кристаллической решетки
- •Сегрегация примеси на поверхности образца Экспериментальное изучение сегрегации примеси на поверхности образца
- •Модели радиационно-стимулированной сегрегации на поверхности образца
- •Коэффициенты радиационно-стимулированной диффузии
- •Массоперенос в гомогенных системах при облучении пучком электронов [Error: Reference source not found]
- •Массоперенос в гетерогенных системах при электронном облучении [Error: Reference source not found]
- •Экспериментальное изучение перераспределения компонентов на границах зерен [37].
- •Экспериментальное изучение массопереноса в многофазных системах [Error: Reference source not found].
- •1.2. Пространственное распределение температуры при облучении пучком электронов Профиль температурного поля в условиях облучения пучком электронов
- •Метод расчета пространственного распределения температуры в условиях облучения пучком электронов
- •Распределение температуры в материалах при облучении пучками электронов
- •Концентрационные профили точечных дефектов в условиях облучения пучком электронов
- •Концентрация точечных дефектов в условиях облучения
- •Распределение вакансий по глубине образца
- •Массоперенос в металлических системах на основе твердых растворов при облучении пучком электронов средних энергий
- •Кинетическая теория диффузии в бинарных системах в поле градиентов температуры и точечных дефектов
- •Численный метод решения кинетического уравнения диффузии. Принцип расщепления
- •Пространственное распределение элементов в твердых растворах при облучении пучком электронов
- •Гомогенная система
- •1.2.3 Внутренние напряжения в материале при электронном облучении
- •Структурно-фазовые изменения в материалах при облучении заряженными частицами
- •Применение пучков заряженных частиц для модификации поверхности материалов
- •Перераспределение элементов в сплавах при облучении пучком электронов средних энергий
- •1.2.4 Структурно-фазовые превращения при электронном облучении
- •1.3 Закономерности нагрева, модификации и упрочнения поверхностного слоя сплава при ионном облучении
- •1.3.1 Теоретические модели эффекта дальнодействия
- •1.3.2 Влияние напряжений на перераспределение вакансий при ионном облучении
- •1.3.4 Эволюции кластеров радиационных дефектов при ионном облучении твердых тел
- •1.4.1 Описание параметров состояния вещества в задачах моделирования процессов в сплавах при облучении электронами и ионами
- •1.4.2 Численное моделирования процессов теплопередачи при облучении пучками заряженных частиц.
- •Тема 1. Ионно-плазмешюе осаждение слоев ..5
- •Тема 2. Применение ионной имплантации 42
- •Тема 4. Литографические методы в микро- и наноэлектроникс 86
- •Тема 1. Ионно-плазменное осаждение
- •Тема 2. Применение ионной имплантации 2.1. Особенности ионной технологии
- •Тема 3. Особенности применения электронных процессов в электронике
- •Тема 4, литографические методы в микро- и наноэлектронике
- •Литература
Распределение температуры в материалах при облучении пучками электронов
Используя, математическую модель, рассчитаны температурные поля для сплавов на основе железа, никеля, хрома, алюминия при облучении пучком электронов средней энергии в непрерывном режиме.
На рисунке 19 показано распределение температуры в железе при облучении электронами с энергией 2,75 МэВ и плотностью тока пучка 1,5 А/м2. Распределение имеет коолоколообразный вид, по форме приблизительно совпадающий с поглощенной дозой.
В координатах
профиль температуры имеет следующий
вид (рисунок 20) [46,
47].
Как видно из рисунка 20 температура с
течением времени растет по линейному
закону, но приблизительно через время
=50
с профиль распределения температуры
прекращает изменяться. Это означает,
что система перешла в термодинамическое
равновесие. Проведем аналитический
расчет температуры в этом состоянии.
Рис. 19. Распределение
температуры по глубине железного образца
в зависимости от времени облучения
электронами при охлаждении поверхности
образца азотом. Энергия электронов
=
2,75 МэВ, плотность тока
=1,5
А/м2. 1. - - - профиль температуры
через 5 с. 2. профиль
температуры через 25с. 3.
через 50с.
Рис. 20. Пространственно-временное распределение температуры при облучении железа пучком электронов при охлаждении поверхности образца азотом. Энергия электронов =2,75 МэВ, плотностью тока =1,5 А/м2.
В термодинамическом равновесии
,
тогда уравнение (3.2) примет вид:
. (3.3)
Воспользуемся методом разделения переменных. Две константы, появляющиеся при интегрировании (2.11), находим из граничных условий (2.8). Профиль, полученный в результате решения уравнения (2.11), представлен на рисунке 21. Сопоставление расчетов на ЭВМ и аналитического расчета в термодинамическом равновесии показывает их хорошую корреляцию.
Рис. 21. Профиль температуры в термодинамическом равновесии, при облучении железа пучком электронов при охлаждении поверхности образца азотом. Энергия электронов =2,75 МэВ, плотностью тока =1,5 А/м2.
Проведены расчеты температуры при облучении в вакууме. Профиль температуры представлен на рисунке 22.
Как показывает расчет, температура не
меняется в зависимости от координаты
до определенного значения
,
которое несколько больше, чем точка
максимума на рисунке 20, после этого
значения
происходит снижение температуры до
комнатного уровня.
Рис. 22. Пространственно-временное распределение температуры при облучении железа пучком электронов в вакууме. Энергия электронов =1 МэВ, плотность тока =1 А/м2.
Рис. 23. Распределение
градиента температуры по глубине образца
в стационарном состоянии, при облучении
железа электронами. Энергия электронов
=1
МэВ, плотность тока
=1,5
А/м2,
при охлаждении поверхности азотом,
--х-- при облучении в вакууме.
Интерес представляет и градиент температуры, так как он оказывает прямое воздействие на массоперенос. Градиент температуры, рассчитанный для стационарного состояния при облучении в вакууме и при охлаждении поверхности представлен на рисунке 23.
Проведенные расчеты пространственно-временного распределения температуры позволяют сделать следующие выводы:
С течением времени облучения температура в образце растет до некоторого распределения температуры Т(х), определяемого параметрами облучения. Время установления термодинамического равновесия при энергии электронов в пучке 1-10 МэВ, плотности тока 0,1-1,2 А/м2 составляет приблизительно 30120 с.
При облучении пучком электронов средних энергий можно создать значительные градиенты температуры до 5105 К/м. Кривая градиента температуры, в большинстве случаев, имеет два максимума и один минимум. Первый максимум градиента температуры наблюдается у поверхности образца, его величина определяется условиями теплоотвода на поверхности. Второй максимум возникает между поверхностью и максимумом поглощенной дозы, его величина обусловливается теплопроводностью материала и величиной пика поглощенной дозы. Минимум градиента температуры расположен за пиком поглощенной дозы, его величина определяется теплопроводностью материала.